晶片製造•重資產、技術密集型，技術迭代快。晶片製造流程較為複雜，主要包括：薄膜、光刻、顯影、蝕刻、光阻去除等步驟。

1，首先你要解決晶圓（矽）的提純切割問題。

2，在晶圓上敷光刻㬵，要解決光刻㬵。

3，光刻，這裡用光刻機在光刻㬵膜上刻出電路圖案（你可以理解為曝光），和照相原理一樣，不過底片變成光刻㬵。

4，注入離子（也叫蝕刻）形成電路

5，光阻去除

以上每項又細分N多繁複工藝，現在來說5nm是什概念，就是刻上去的電路寬度約等於20個原子的大小，還要保持完整不斷，不短路。

光刻機問題：假如光刻機解決有無的問題，你還得解決升級迭代，給你一個7nm的光刻機但7nm能用一輩子嗎？

5nm製程：我們都知道英特爾在14nm上徘徊好多年了，如果臺積電的5nm推出後，他會在5nm上停留多少年？人類的工藝其實受基礎科學制約，基礎科學停步一百多年了，所以我覺得晶片的工藝製程很可能要觸頂。到了5nm你再向更小奈米推會更加困難。在5nm上徘徊20年你都不用奇怪。

中國不一樣啊，因為一開始的落後，我們走的其實是別人走過的路，最起碼你不用迷茫，沿著腳印低頭趕路就行了，走最快的那幾個人他們前面全是霧，沒路燈沒指引，所以後來者追上去是遲早的事。

但是趕超就難了，別人摸黑走路慣了，你是看著路牌過來的，大家不在一個級別。

總結來說就是：現在的晶圓大拿想在工藝上突破的難度——比我們追趕的難度））大一百倍！他們負責開路，我們只是負責把他們開的路做成地圖好讓自己走，這就華人的機會！

應該使用電子束掃瞄取代光學掃瞄。若光敏膠可被電子射線曝光，則與目前光學制掩膜法同。若目前沒有此種光敏膠，則開發。如不可能或沒必要，則直接以電子東"燒蝕"光敏膠，對其鏤刻，刻劃出線條視窗即可。不要再在光裡繞了。擴散可用離子注入技術，乾脆去掉掩散製版工藝，也是一個辦法。

晶片製造分為幾個重要環節，按照大家習慣的理解，一般就是設計、製造、封測這三個常規環節。其中設計和製造門檻高，而封測相對容易一些。

一、設計中的核心技術是什麼？

設計中的最核心的技術，在我看來其實是架構，目前在電腦CPU中，X86架構一家獨大，在移動處理器中，ARM架構一家獨大。

目前中國沒有自已的架構，全是採用的是別人的，這就是核心技術，所以後續如果真的要發展中國芯，最好還是要有自己的架構的，而不是用別人的架構，按照別人劃的圈子走路。

二、製造中的核心技術是什麼？

而在製造中，確實光刻機是核心技術，當然在這個階段，還有很多的核心技術都非常重要，比如材料，刻蝕機，光刻機等等。

之所以大家覺得光刻機是最最核心的技術，是因為中國這方面的水平落後，高階的生產不出來，要靠進口。

三、中國光刻機的製造水平如何？

目前光刻機最牛的 ASML，極紫外光刻機，也就是EUV光刻機，用於生產7nm或以下的晶片。

而中國現在能生產出5nm的刻蝕機，卻只能生產出90nm的光刻機，由上海微電子裝備(SMEE)生產，還在攻關65nm，45nm等技術，離ASML的7nm量產技術，差得還太遠，別說幾十年，十年八年的差距還是有的。