在Hot Chip2016大會中，我們可以見到不少關於GDDR5、DDR5以及HBM3的訊息。

目前主流記憶體規格為DDR4、GDDR5X、GDDR5以及LPDDR4，還有HBM2，但科技的腳步一直往前走，所以我們將會在未來數年內見到DDR5、GDDR6、LODDR5以及HBM3出現。

我們最快會在2017年見到GDDR6、LPDDR5以及DDR5記憶體規格。

從既有的規劃來看，GDDR6、LPDDR5以及DDR5記憶體規格會提供更佳的效能表現，當然在功耗部分也較過去要低不少。全新的GDDR6可以達到14Gbps，要比GDDR5的10Gbps和GDDR5X的12Gbps高出一些。至於LPDDR5正式登場前，中間會有LPDDR4X加入戰局，目前韓系的SK Hynix與Samsung Electronics有相關產品規劃。

如果拿最高3733Mbps的LPDDR4比較，LPDDR4最高速度可達4266Mbps，可說高出不少，而且最重要部分在於LPDDR4X的VDD電壓不會比LPDDR4要高。

從資料可以看出，相較於LPDDR4記憶體，全新的LPDDR4X可以降低2成功耗，對於使用這型別記憶體的智慧手機而言，功耗可以降低當然是一件好事。

目前只有MWC 2016宣佈的聯發科Helio P20處理器支援LPDDR4X記憶體，只是這顆SoC搭配LPDDR4X有點突兀，而且聯發科Helio P20至今仍未正式推出，預計可能要到2017年初才會有相關裝置亮相。

至於HBM 3最快也要等到2019或是2020年才會推出，目前Samsung Electronics已經在IDF 2016的舊金山場放出一些資訊。

DDR5部分最小容量會是8GB，單條最大容量可以達到32GB，頻寬方面最大則是6.4Gbps，整體有所提升，但電壓仍舊維持在1.1V。

據目前來說是沒有的。目前安卓最先進的驍龍835也只是支援LP DDR4x 雙通道 1866MHz。（a10未知，所以我用了安卓最強的835）。

雖然沒有lpDDR5，但是，這幾年硬體的發展極其迅速，在不久的將來絕對可以看到。