ASML光刻機裡的所有零部件都是全世界頂尖的公司供應，質量和做工的精密程度都是世界頂尖的，即使有了專利，圖紙，沒有這些零部件供應，靠一個國家之力還是很難做到的。就拿透鏡這一個部件來說，中國要做出蔡司公司最高級別的產品還是不可能的。我們目前可以說是製造大國，但是說製造強國還真的還有很長的路要走。ASML公司的成功，是全世界大公司不停給它輸血才做到的，中國目前實力再強大也做不到這點。

目前的問題不是專利的問題，專利都是公開的，如果我看到專利把裝置做出來了，那麼最後無非就是付專利費的問題。

現在的主要問題是工藝和原材料，兩個相輔相成，比如鐳射鏡頭的打磨，這是一個精細活，需要很長時間的積累，歐洲很多企業就是家族式的作坊，幾代人就做一件事情，就把這個鏡頭磨得越來越完美…類似的部件還有不少…

但這一切不是不可解決，主要是看我們的決心，政府的支援，中國這麼大市場體量的孵化，ASML被淘汰是遲早的事情！

很多人都知道，中國目前無法生產製造最先進工藝的晶片，很大程度上是缺乏尖端光刻機，雖說光刻機可以從荷蘭ASML進行購買，但是歐美的相關協議條款把中國拒之門外，所以無法購買最先進的光刻機，像ASML的euv極紫外光刻機可能需要很多年以後我們才能購買，當然，價格也會非常昂貴。

而如果有辦法打破封鎖協議，即使花重金，我們也能買到ASML的euv光刻機的話，那麼我們國家是否就可以製造出7nm乃至5nm工藝的先進晶片呢？其實不然，晶片製造是一個非常系統複雜的過程，擁有先進光刻機固然重要，但是光刻機絕對不是唯一決定性的因素，而只是一部分。

一顆晶片的製造需要5000道程式，任何環節都缺一不可，而且一旦環節出了問題，整個晶片可能就會報廢或者難產。臺積電可以靠著euv光刻機來生產7nm晶片，而三星和英特爾也有euv光刻機，而且這些企業一定程度上也是ASML的股東，也是共同參與euv光刻機研發的企業，然而英特爾就一直停留在14nm工藝，三星也追不上臺積電，所以一在這個中間環節，晶片製造仍然存在很多技術難點。

此外，ASML光刻機裡的所有零部件都是全世界頂尖的公司供應，即使有了裝置、專利和圖紙，如果缺乏這些零部件供應，靠一個國家之力還是很難做到的。就拿透鏡這一個部件來說，中國要做出蔡司公司最高級別的產品還是不可能的。所以說，晶片的製造過程是非常複雜的，任何一個國家僅靠一國之力都是不可能做到，所以全球化分工仍然是大勢所趨，我們只是要儘可能掌握更多的核心技術。

專利反而不是制約我們造出高階光刻機的關鍵。

說白了，專利是用公開的手段換取科技控制權，不公開就沒有專利權，所以保密性和專利權一般不可兼得，除非公佈的技術方案裡，故意隱藏一些技術引數或者關鍵點，但是這樣無法完全保護產生專利保護。

而對於光刻機，ASML有很多壓箱底的保密技術，不會輕易洩露，而且高階光刻機的製造難度更在於，它是全球頂尖科技工藝的彙集，並且透過頂級晶片代工企業，在生產實踐中的不斷驗證和強化。

光刻機的製造目前被荷蘭ASML、日本尼康和佳能、中國上海微電子四家所把持。中國雖佔一席之地，但只限低端裝置。

下面試著分析一下專利對光刻機制造的影響。

日本在光刻技術和光刻機制造領域起步較早，所以，日本的專利申請量最多，而且除了在本國大量佈局之外，日本也比較重視在美國、南韓、中國臺灣和中國大陸的專利佈局。日本光刻有先發優勢，在中低端光刻機的研發投入了大量精力，也佈局了大量相關專利，所以在中低端光刻技術上，實力還是很雄厚的。

但是ASML後來居上，專注研發，且核心技術絕對保密，在專利建設上，也超過了尼康和佳能。近幾年關於高階EUV光刻機的專利數量，排名第一的是老牌王者卡爾蔡司（Carl Zeiss），ASML位列第二名，再依次為海力士、三星，它們同時也是ASML的合作伙伴，日本尼康及佳能分別位列第四及第六位。

所以高階EUV光刻機的專利壁壘還是很高的。但需要注意：ASML深藏不漏的核心機密技術，是更具價值的。

ASML的成功是全球頂尖工藝的彙集和晶片代工企業在生產實踐中的不斷驗證和強化。它集合了數學、光學、流體力學、高分子物理與化學、表面物理與化學、精密儀器、機械、自動化、軟體、影象識別領域等多項頂尖技術。

第一難點在於頂級的鏡頭來自獨一無二的蔡司。

現在世界主流的極紫光刻機的紫外光線來說要想達到13.5奈米的水平，那麼物鏡的數值口徑要達到1.35以上，要達到這個口徑很難，因為要加工亞奈米精度的大口徑的鏡片，用到的最大口徑的鏡片達到了400毫米。目前只有德國的光學公司可以達到，當然，日本尼康透過購買德國的技術也可以達到。

但浸沒式光刻物鏡異常複雜，涵蓋了光學、機械、計算機、電子學等多個學科領域最前沿，二十餘枚鏡片的初始結構設計難度極大——不僅要控制物鏡波像差，更要全面控制物鏡系統的偏振像差。因此，在現階段國內物鏡也無法完全替代進口產品。

第二難點在於13.5nm EUV的極紫光源。

業內巨頭臺積電及英特爾的7nm工藝使用的是浸入式ArF的光刻裝置，但沉浸式光刻在7nm之後的工藝節點，難以再次發展，EUV成為了解決這一問題的關鍵，目前EUV光刻機光源主要採用的辦法是將準分子鐳射照射在錫等靶材上，激發出13.5nm的光子，作為光刻機光源。

ASML也是透過收購了全球領先的準分子鐳射器廠商Cymer，才獲得光源技術的保障。

2016年底，華中科技大學國家光電實驗室目前利用雙光束在光刻膠上首次完成了 9nm 線寬，雙線間距低至約 50nm 的超分辨光刻。未來將這一工程化應用到光刻機上可以突破國外的專利壁壘，直接達到 EUV 的加工水平。

據說，與動輒幾千萬美元的主流光刻機乃至一億美元售價的 EUV 光刻機相比，中國的新技術使得光刻硬體只需要一臺飛秒鐳射器和一臺普通連續鐳射器，成本只是主流光刻機的幾分之一。

但一個產品從實驗室，走向最後的落地，何其漫長艱難。

光刻機在晶片製造過程中起著至關重要的作用，再難也要堅持攻關，為了使中國的半導體產業鏈不受制於人，我們需要加快光刻機的研製步伐，刻不容緩。我們也看到，國家的科學工作者和企業界在這方面的努力，希望有一天中中國產光刻機在高階領域實現彎道超車、有所突破。