本身無毒，不會輻射，光線激發，任何輻射只要量達到一定程度都會影響健康。 單晶矽是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分，處於新材料發展的前沿。其主要用途是用作半導體材料和利用太陽能光伏發電、供熱等。由於太陽能具有清潔、環保、方便等諸多優勢，近三十年來，太陽能利用技術在研究開發、商業化生產、市場開拓方面都獲得了長足發展，成為世界快速、穩定發展的新興產業之一。

單晶矽建設專案具有巨大的市場和廣闊的發展空間。在地殼中含量達25.8%的矽元素，為單晶矽的生產提供了取之不盡的源泉。

近年來，各種晶體材料，特別是以單晶矽為代表的高科技附加值材料及其相關高技術產業的發展，成為當代資訊科技產業的支柱，並使資訊產業成為全球經濟發展中增長最快的先導產業。單晶矽作為一種極具潛能，亟待開發利用的高科技資源，正引起越來越多的關注和重視。

與此同時，鑑於常規能源供給的有限性和環保壓力的增加，世界上許多國家正掀起開發利用太陽能的熱潮併成為各國制定可持續發展戰略斬重要內容。

前幾天我爸做一個小手術，同病房的一位病人就是從事光伏產品生產的，也聊到了這個問題，發現他們很擔心這個問題。

任何物質都有輻射， 單晶矽作為具有完整點陣結構（可以通俗的理解為一大堆矽原子按照一定方式有序排列）的單晶體，肯定是有電磁輻射的，只是極其微弱，根本就可以忽略不計。

電離輻射的條件是有放射性物質發生衰變，釋放能量併產生如α、β、γ、中子等粒子射線。而純的單晶矽是由矽原子組成，自然界中矽的三種同位素28Si，29Si，30Si均是穩定同位素，不存在放射性，因此單晶矽不存在電離輻射。

綜上所述，單晶矽存在電磁輻射，不存在電離輻射。

值得注意的是在生產過程中，高壓拉晶裝置相對於單晶矽的電磁輻射更大些，此外，矽的粉塵極細，如果廠房通風狀況不好，部分工藝流程易造成粉塵懸浮，吸入肺部後就會造成矽肺病，矽以前就稱為矽，矽肺病就是這麼來的。

我認為題主明顯是在問，單晶矽有沒有“電離輻射”。那麼，一般的單晶矽，由於採用了天然的矽材料，是不含有放射性同位素的。特別是單晶矽的純度非常高，所以不會產生什麼“電離輻射”。

但一般的單晶矽都是p型的，因為其中的硼元素很難從矽材料中完全去除。而且，純度高的“矽基片”電阻率非常高，而大量的半導體器件，需要n型的單晶矽來製作，這就需要在單晶矽中摻雜磷元素，以形成電阻率低到符合要求的n型矽。

然而，在“拉制”單晶矽的同時向裡面摻雜磷元素是不行的，這樣的單晶矽會出現很多“缺陷”，不能滿足要求。而在單晶矽拉制完成後再摻雜磷元素，又會遇到“摻雜不均勻”的問題，越是大直徑（例如四英寸或以上）的單晶矽，摻雜越會不均勻。

科學家想到了一個很好的摻雜辦法，就是採用“中子輻照單晶矽”的辦法來“摻雜磷”。由於中子的穿透力強，可以在整個的單晶矽棒內形成均勻的“中子場”。而中子可以與矽-30發生“中子吸收核反應”，生成矽-31。而矽-31的半衰期只有157分鐘，很快就會自然衰變成為穩定的磷-31同位素，這就相當於在單晶矽中摻雜了穩定的磷元素。透過控制中子輻照的“注量”（主要是控制輻照時間），還可以很容易的精確控制磷元素的摻雜量。摻雜後的磷元素分佈是非常均勻的，而且直徑越大，這種摻雜辦法的均勻性比其它辦法越好。這種單晶矽被稱為“中照單晶矽”。

不幸的是，在中子輻照的過程中，總是會生成一些放射性的矽-32同位素，它是由先生成的矽-31再吸收一箇中子而生成的。這個核反應過程是人為無法控制的。而矽-32的半衰期長達132年，無法在有限時間內“衰變殆盡”（與矽-31不一樣），所以“中照單晶矽”會帶有一點點“電離輻射”。只不過矽-32的含量極低，不會對人體產生“電離輻射危害”。