日常生活中，我們買U盤或固態都會看到詳情頁寫著這樣的字樣，SLC、MLC等，那麼它們之間到底有什麼區別呢？

SLC，它的優點是傳輸速度快，壽命長。缺點是成本太高，不太適合普通使用者。一般用於企業級固態硬碟中。

MLC，它的成本相對於SLC較低，價格適中，相比SLC，傳輸速度慢一些，但價格有優勢。

TLC，它的壽命短，相比於MLC，傳輸速度更慢。後來出了一個3D-TLC，可以延長TLC壽命問題，讓它和MLC基本持平。

總結：SLC由於較高的成本，導致售價過高，不太適合普通使用者；而MLC因為有成本優勢，價格親民，速度相對SLC慢一些，但價格和速度都均衡，所以價效比很高。TLC一般用於入門級固態，中端一般MLC，高階SLC。大家在選擇時，根據預算購買即可。

從以上我們可以看出，MLC的速度是快於TLC，而且價格也相對高一些，所以如果預算充足還是建議上MLC；反之TLC也不差，省點錢買零食不香嗎。

固態硬碟越來越便宜，也越來越流行。更多此類驅動器的型號出現在市場中，這不僅因為新制造商正在提供其產品，還因為"老玩家"正在使用新技術。目前，大多數公司正在推出具有兩種主要記憶體型別的 SSD 驅動器：MLC 和 TLC。在這篇文章中，我們將探討這兩者的主要區別是什麼，以及哪種更適合於家用。

您可以將此縮寫解釋為“單級單元格”和“多級單元格”。對於SLC儲存器型別，一個單元最多可以包含一位資料，而在第二種情況下（當我們談論MLC儲存器型別時），一個單元中可以儲存一位以上。在消費者固態驅動器中，主要使用MLC儲存技術。TLC是MLC記憶體的一個亞種。標準MLC儲存器將2位資訊儲存在一個單元中，而在TLC版本中，可將3位資訊儲存在一個儲存單元中。也就是說，TLC也是一個多層單元。

如果您不想深入研究細節，我們可以說一般來說，MLC的記憶體型別比TLC更好，這就是為什麼：這種型別的記憶體將延長20-30％；MLC比TLC更快。基於MLC記憶體的固態驅動器在執行時需要的能量更少。質量好的東西總是更昂貴，因此帶有MLC儲存器型別的固態驅動器，在大多數情況下將比具有TLC儲存器型別的固態驅動器貴。

但是，如果您不介意細節並考慮在使用者級別使用具有此類記憶體的SSD驅動器，那麼值得一提的是，它們之間的差異並不是很大，並且並不總是有足夠的理由來支付超額費用MLC記憶體。在其操作過程中，很大程度上取決於其他因素（例如，在連線介面上）。讓我們研究幾個選項：

如果 TLC 和 MLC 上的 SSD 通過 SATA-3 協議連線，它們可能會顯示相等的效能，尤其是在非常便宜的固態儲存器方面。還應注意，如果 TLC 驅動器通過 PCI-E NVMe 介面連線到系統單元，則通過 PCI-E 使用 MLC 記憶體型別，其執行速度比 SSD 快；

購買者在選擇固態硬碟時可能會注意到的另一個引數是3D NAND，3D TLC或V-NAND。根據製造商的不同，此屬性的名稱也不同，但是本質是相同的。如果看到這樣的名稱，則應該知道，在此型別號的驅動器中，所有快閃記憶體單元都位於晶片上的多層中，而如果沒有這樣的名稱，則它們很可能疊加在一層中。多層儲存比一層儲存便宜，此外，製造商還指出它更可靠。

有必要糾結MLC還是TLC嗎？

老調重彈，談起SSD繞不過的問題就是顆粒選擇。首先來了解一下SLC、MLC和TLC的區別，當然最近還有一個新秀即將登場，就是QLC。

SLC 和MLC分別是是Single-Level Cell 單層單元和Multi-Level Cell多層單元的縮寫，以此類推，TLC和QLC即三層單元和四層單元的縮寫。原理上解釋的話，SLC也就是在一個單元上只儲存1bit的資料，而MLC要儲存2bits，TLC需要儲存3bits，QLC則達到4bits資料。每個單元上儲存的資料越多，結構也就越複雜，出錯機率也就越高，需要更多的修正操作，理論效能也就更低。而由於每個儲存單元在儲存更多資料的情況下，訪問也就更加頻繁，磨損也就更大，相應的壽命也就更低。

但是，效能問題可以通過更強效能的主控和演算法優化逐漸提升，3D NAND技術也很大程度上改善了效能。而壽命方面，即使是號稱壽命大幅提高的3D TLC，終究不能和MLC相媲美。但如果TLC就真的不夠用嗎？

以250GB的三星970EVO為例，保修政策為5年或150TBW，5年為260周，則平均每週需要完成577GB的寫入，平均每天82GB的寫入，相當於每三天把硬碟資料重新更換一遍。這樣的壽命對於大多數普通消費者來說基本不必擔心。

我來說說：TLC、MLC、SLC這三種區別。

SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，其結構簡單但是執行效率高，最大的特點就是速度快，壽命長，價格超貴（約MLC 3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命。

MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，其有00,01,10,11四個充電值。因此，要比SLC需要更多的訪問時間。其最大特點就是速度中等，壽命中等，價格比SLC便宜，約3000---10000次擦寫壽命。

TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，每個單元可以存放比MLC多1/2的資料，共八個充電值，111、110、101、011、010、001、000。最大特點就是速度慢壽命短，約500-1000次擦寫壽命，但價格是三者最低的。由於價格成本的原因，目前被廣泛運用於消費級SSD中。

　　由於TLC採用不同的電壓狀態，加上儲存密度大，擊穿絕緣層次數也比其他介質多，加速絕緣層的損耗過程，導致TLC SSD的壽命比SLC、MLC短得多，同時可靠性、效能等方面存在問題。但是TLC也有自己的優勢，TLC儲存容量更大，成本相比MLC、SLC低廉許多。

　　隨著TLC快閃記憶體技術的飛速發展,廠商不斷的改進演算法以及優化主控，TLC的P/E壽命由不到1000次提升到1000到2000次，同時TLC SSD效能及可靠性方面得到大大改善，在加上成本更低廉，TLC SSD因此贏得使用者的青睞。

　　目前TLC正不斷的蠶食著MLC消費級的份額，最後不出意外的話，TLC將完全佔據主流消費級SSD市場，MLC則繼續在高階領域發揮它作用。

科技發展的速度是我們無法所預估的，QLC快閃記憶體解決方案也一直在研究中，對廠商來說QLC的大容量低成本也是個不可抗拒的誘惑，如同當年TLC一樣，QLC在速度和壽命上的問題隨時可能被優化被解決。

　　當QLC SSD出現的時候，它帶來的變化無法想象，也許沒法馬上的取代TLC SSD,但是機械硬碟卻將會面臨巨大的挑戰，或許那個時候才跟機械硬碟say byebye。

1.固態硬碟就是用NandFlash來儲存…Nand的特點是每一位只能由1變0…不能由0變1…8位1位元組…528位元組是一個page…2048-8192個page是一個block…很多block是一個zone…當想要寫入資料時…就需要一個擦除erase操作…但erase是針對block的…也就是寫一次寫一個page…擦一次一個block…擦完才能寫…讀和寫都不損耗Nand壽命…擦損害Nand壽命…

2.如果執行擦操作後…還是有的位仍然為0…就說明這個block壞了…一個block的壽命為1到無限次…可能有的怎麼寫都不壞…有的一次就壞…但Nand的平均壽命還是比較靠譜的…MLC每個block平均能3000次…TLC每個block評論能1000次…

3.減少擦寫是提高壽命的關鍵…每次寫資料總往已擦次數少的的block裡寫…再做個對映表…這個叫磨損均衡…問題是有的已擦次數少的block裡有資料怎麼辦？先挪走…再寫…這個就是你固態硬碟會掉速的原因…

4.這樣硬碟的壽命就等於 Nand Block的擦寫次數 乘以 硬碟block數量…也就是同樣的TLC或MLC…容量越大…壽命越長…1T的固態就是128G的十倍壽命…如果MLC是3000次…TLC是1000次…那麼100G的MLC和300G的TLC壽命一樣…

5.這樣我們就發現問題了…100G的MLC和300G的TLC壽命一樣…那麼如果我發明一個QLC只有500次擦寫…那麼600G的QLC也和100G的MLC壽命一樣…以此類推…如果有個XLC壽命只有1次…那麼300T的容量和100G的MLC壽命一樣…

6.如果TLC價格是MLC的33%…那麼MLC就死定了…如果QLC是MLC價格的17%…那麼MLC也死定了…以此類推…最終完美的固態硬碟是300T容量只能寫一次…

7.理論上...TLC是新技術新革命…TLC也應該是MLC價格的一半甚至更低…但現實不是這樣…這是市場的問題…不是技術的問題…所以你感受不出TLC的偉大…

區別？對於普通使用者來說，區別就是價格。由於實現儲存的原理有點區別，SSD分為SLC,MLC,以及TLC,QLC，壽命由長到短，儲存密度由低到高，每單位儲存成本也是由高到低。

區別的細節就不描述了，這方面知識一搜一大把，但往往使用者關心的，是：我該買什麼樣的SSD？

如果只是作為日常使用，不在乎資料的重要性，那麼，現在市場上最多的TLC就可以滿足需求，前提是正規廠家產品，而非前面爆出來的黑片門。日常使用情況下，在一個SSD的壽命週期內（大約10年），一般你是不會把SSD用到報廢的。如果你是重度下載使用者，可以選擇MLC產品，相對壽命比TLC高太多。SLC就不推薦了，價高不說，打著燈籠也難以買到消費級的產品。

對於資料有較高要求的使用者，建議購買HDD，量大！便宜！組raid1，資料安全有保障。最重要的，SSD一旦故障，資料基本就是無法恢復的，而HDD是可以修復資料的（當然，價格也不便宜）。

首先要跟你說下什麼是MLC什麼是TLC，他們其實都是NAND快閃記憶體，本質上是Floating Gate MOSFET，利用通電與否代表1、0狀態，資料寫入快閃記憶體時會加電瞬間會產生強大的電場，這會破壞隧道氧化層的原子結合，脫離的電子就會上升到浮柵極上以形成電位變化，斷電之後電子還會恢復正常位置，這樣反覆的斷電-加壓就形成了不同的電位訊號。

SLC的每個cell單元只1個訊號位，有0和1兩種訊號，所以每單元只能儲存1bit的資料，MLC則有2個訊號位，四種資料訊號，每單元可儲存2bit資料，TLC有3個訊號位，八種資料訊號，每單元可儲存3bit資料，QLC有4個訊號位，十六種資料訊號，每單元可儲存4bit資料。

然而隨著每單元儲存資料的增多，控制複雜度也隨之上升，可靠性也隨之下降，TLC的程式設計、擦除速度比MLC慢得多，快閃記憶體壽命也直線下降，MLC的P/E次數是3000-5000次，而TLC的P/E只有1000次，好點的可能做到1500次。

隨著現在3D TLC快閃記憶體的量產，3D TLC的速度和耐久度都比傳統的2D TLC好得多，當然了還是沒MLC好，=不過3D TLC的表現確實很不錯，大量TLC SSD準備換用3D TLC快閃記憶體了。

至於你想選選購128GB的固態硬碟，有錢的話當然可以考慮直接上MLC的SSD，然而現在低價的MLC SSD已經很難找了，特別是128GB這種小容量的，建興T9京東現在還能買得到，用的是eMLC閃，耐久度比較好，不過要499元。TLC的選擇就比較多，效能比較好的如三星850 120GB，價格449元，那些300元以下的價格就太低了不建議選購。如果主機板有M.2介面的話可以考慮Intel 600p 128GB，速度比那些SATA的高不知道那裡去了，價格也在500元內。

首先呢，我們來看一幅圖片，看看各規格的資料,如下圖：

TLC其實只是一個形容詞，我們所說的TLC指的是TLC快閃記憶體，而其中的TLC指的是Triple Level Cell，直接翻譯過來叫做3階單元，通俗點說就是“一個單元可以儲存3個資訊”，相對應的MLC晶片為“一個單元可以儲存2個資訊”，SLC晶片則為“一個單元可以儲存1個資訊”。那麼， TLC/MLC/SLC又是什麼意思呢？其實，說白了它們就是固態硬碟中的快閃記憶體顆粒，從顆粒的壽命說，SLC>MLC>TLC這是不需要爭辯的事實，當快閃記憶體封裝到固態硬盤裡後，固態硬碟的壽命就是個大家完全沒必要糾結的概念了，TLC也好，MLC也罷，它們的設計壽命是遠超我們預期的，因為固態硬碟有自己的“延壽”機制。

簡單地說SLC的效能最優，價格超高。一般用作企業級或高階發燒友。MLC效能夠用，價格適中為消費級SSD應用主流，TLC綜合性能最低，價格最便宜。但可以通過高效能主控、主控演算法來彌補、提高TLC快閃記憶體的效能。

卡頓，不是所有使用者都有這個問題，我覺得更多的是主控優化的問題，一塊好的固態硬碟不是因為用了SLC或是MLC速度和穩定性就一定強於TLC，主控演算法也是決定效能的關鍵，把一線大廠的MLC拿給二三流廠商組裝，穩定性不一定會比一線廠商的TLC好。

什麼是TLC顆粒？與MLC、SLC區別

首先就要說說TLC是什麼。簡單來說TLC就是一種成本上相對比較偏向價效比的快閃記憶體顆粒

SLC MLC TLC規格對比

TLC其實只是一個形容詞，我們所說的TLC指的是TLC快閃記憶體，而其中的TLC指的是Triple Level Cell，直接翻譯過來叫做3階單元，比較通俗的意思就是“一個單元可以儲存3個資訊”，相對應的MLC晶片為“一個單元可以儲存2個資訊”，SLC晶片則為“一個單元可以儲存1個資訊”。

可能有人會說這不就是個整合度多少的問題嗎？事實不是這樣，無論是SLC、MLC、SLC其一個單元本身的電晶體數量是相似的，也就是說我們用物理上差不多的東西儲存了更多的資訊。但是儲存更多的資訊就等於帶來了更多不穩定。

MOSFET(金氧半導體場效應電晶體)基本結構

那麼快閃記憶體的結構是什麼樣子的呢？請大家看上圖，在對一個快閃記憶體單超程式設計的時候，電壓加到控制柵極(control gate)上，形成一個電場，讓電子穿過矽氧化物柵欄，達到浮動柵極(floating gate)。穿越過程完成後，控制柵極上的電壓會立刻降回零，矽氧化物就扮演了一個絕緣層的角色。單元的擦除過程類似，只不過電壓加在矽基底(P-well)上。

SLC只需要兩種電壓狀態就可以儲存所有資料 但是TLC則需要8種

SLC、MLC、TLC三種快閃記憶體的MOSFET是完全一樣的，區別在於如何對單元進行程式設計。SLC要麼程式設計，要麼不程式設計，狀態只能是0、1。MLC每個單元儲存倆位元，狀態就有四種00、01、10、11，電壓狀態對應也有四種。TLC每個單元三個位元，狀態就有八種了(000、001、010、100、011、101、110、111)。

SLC、MLC和TLC三者的區別 SLC=Single-LevelCell，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴（約MLC3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命 MLC=Multi-LevelCell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次擦寫壽命 TLC=Trinary-LevelCell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度相對慢壽命相對短，價格便宜，約500次擦寫壽命

簡單地說SLC的效能最優，價格超高。一般用作企業級或高階發燒友。MLC效能夠用，價格適中為消費級SSD應用主流，TLC綜合性能最低，價格最便宜。但可以通過高效能主控、主控演算法來彌補、提高TLC快閃記憶體的效能。