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  • 1 # 俠之無道

    光刻機在晶片製造領域具有舉足輕重的地位,光刻機決定了電晶體的尺寸,電晶體的尺寸對於晶片的效能具有重大意義,半導體行業對於晶片效能的不斷追求推動了光刻機產品的不斷升級與創新。目前光刻機市場呈現寡頭壟斷的局面,高階技術掌握在巨頭企業手中。中中國產光刻機的技術仍然落後於國外,在技術研發以及人才建設上還有很長的路要走。

    光刻機是光刻工藝的核心裝置,價值含量大、技術要求高,涉及精密光學、精密運動、高精度環境控制等多項先進技術。在所有晶圓製造裝置中,光刻機裝置投資佔比最多達到30%,其次是刻蝕裝置(20%),PVD(15%),CVD(10%),測量裝置(10%),離子注入裝置(5%)等。

    全球光刻機市場處於寡頭壟斷狀態,2017年全球光刻膠銷售額中,ASML(荷蘭)佔據全球76%的市場份額、尼康(日本)11%、佳能(日本)6%。而高階7nm製程的EUV極紫外光光刻機裝置領域,完全被ASML壟斷,目前世界上最先進的ASML EUV極紫外光光刻機單價達到一億美元以上,且供不應求。

    2016年,中國大陸半導體裝置市場首次超過北美和日本,銷售額達到64.6億美元,同比增長13%,成為全球半導體裝置銷售第三大市場。2017年,中國大陸半導體銷售額以27%的增速達到了82.3億的市場規模,全球佔比15%,僅次於南韓的32%與中國臺灣的20%,中國已經成為半導體裝置銷售大國。

    相比於國內半導體裝置銷售市場的繁榮,中中國產光刻機相對黯淡的多。由於起步較晚且技術積累薄弱,中中國產光刻機研發企業相對較少,目前僅有上海微電子、合肥芯碩、無錫影速等幾家企業。在公司已量產的光刻機中,技術最先進的是上海微電子的SSA600/20光刻機,可以用來加工90nm製程的晶片,最新的65nm光刻機還在裝置驗證階段。但從指標上看,SSA600/20基本也和ASML的低端產品PAS5500系列屬於同一檔次,與國外技術相比落後5-6代左右。由此可見,中中國產光刻機要突破壟斷仍然長路漫漫。

    國際光刻機巨頭實行技術壟斷,高階的裝置仍然對國內禁售,中中國產廠商企短時間內很難改變現有市場格局。不過在“02”專項和大基金的推動下,中國半導體裝置產業從無到有,已經有了根本性的進步。而緊接著大基金二期將向國內半導體產業鏈薄弱環節傾斜,更多投資於材料與裝置領域,高階光刻機獲得資金和政策雙重支援的機率非常大。上海微電子承擔著多項國家重大科技專項以及 02 專項光刻機科研任務,在高階中中國產光刻裝置領域有望實現重大突破。

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