領先和落後都是暫時的，在世界的大舞臺上沒有誰一直領先。火藥，印刷源於中國，卻在西方發達飛躍，中國還失去了玻璃的加工騰飛。發明創造就是從無到有，從弱到強，丟掉啦!很也可能是長時間的失去。近代火車，電動，手機，網際網路源於西方，在中國騰飛發達，創新發展，大又超越西方之勢。

說出來大家不相信，如今網路上天天哀嘆的半導體和晶片，一開始的時候，咱們也並不差，甚至還一度領先過。

1960年，中國就造出了GaN晶片，相關裝置還出口到了歐洲。

當時的GaN晶片主要是提供軍用產品和收音機使用。

中國半導體產業的發展可以追溯到解放初期的1953年，半導體已經被列入第一次和第二次5年計劃的重點科技公關專案，這階段可以說是中國半導體行業發展的草創時期。1956年，中國提出“向科學進軍”，根據國外發展電子器件的程序，提出了中國也要研究半導體科學，把半導體技術列為國家四大緊急措施之一。從半導體材料開始，自力更生研究半導體器件。1957年，北京電子管廠透過還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。1959年，天津拉制出矽（Si）單晶。1963年，河北省半導體研究所製成矽平面型電晶體。1964年，河北省半導體研究所研製出矽外延平面型電晶體。在平面管之前不久，也搞過錯和矽的檯面擴散管，但一旦平面管研製出來後，絕大部分器件採用平面結構，因為它更適合於批次生產。1965年12月，河北半導體研究所召開鑑定會，鑑定了第一批半導體管，並在國內首先鑑定了DTL型（二極體――電晶體邏輯）數字邏輯電路。1966年底，在工廠範圍內上海元件五廠鑑定了TTL電路產品。這些小規模雙極型數字積體電路主要以與非門為主，還有與非驅動器、與門、或非門、或門、以及與或非電路等。標誌著中國已經制成了自己的小規模積體電路。在半導體器件批次生產之後，六十年代主要用來生產電晶體收音機，電子管收音機在體積上大為縮小，重量大為減輕。一般老百姓把電晶體收音機俗稱為“半導體”。它在六十年代成為普通居民所要購買的“四大件”之一。（其他三大件為縫紉機、腳踏車和手錶）另一方面，新品開發主要研究方向是矽高頻大功率管，目的是要把部隊所用的採用電子管的“八一”電臺換裝為採用電晶體的“小八一”電臺，它曾是河北半導體所和北京電子管廠當年的主攻任務。中國科學院在半導體所之外建立了一所實驗工廠，取名109廠（後改建為微電子中心）。它所生產的開關管，供中國科學院計算研究所研製成第二代計算機。隨後在北京有線電廠等工廠批次生產了DJS-121型鍺電晶體計算機，速度達到1萬次以上。後來還研製出速度更快的108機，以及速度達28萬次、容量更大的DJS-320型中型計算機，該機採用矽開關管。

第一臺每秒鐘運算一百萬次的計算機

1968年，組建國營東光電工廠（878廠）、上海無線電十九廠，至1970年建成投產，形成中國IC產業中的“兩霸”。1968年，上海無線電十四廠首家制成PMOS（P型金屬－氧化物半導體）電路（MOSIC）。拉開了中國發展MOS電路的序幕，並在七十年代初，永川半導體研究所（現電子第24所）、上無十四廠和北京878廠相繼研製成功NMOS電路。之後，又研製成CMOS電路。

毛澤東主席視察南京無線電廠

到七十年代初期，永川半導體研究所，即24所，（它由石家莊13所十一室搬到四川水川擴大而建的）上無十四廠和北京878廠相繼研製成NMOS電路。之後，又研製成CMOS電路。 　在七十年代初期，由於受國外IC迅速發展和國內“電子中心論”的影響，加上當時IC的價格偏高（一塊與非閘電路不變價曾高達500元，利潤較大，銷售利潤率有的廠高達40%以上），而貨源又很緊張，因而造成各地IC廠點大量湧現，曾經形成過一股“IC熱”。當時，共有四十多家積體電路工廠建成，四機部所屬廠有749廠（永紅器材廠）、871（天光積體電路廠）、878（東光電工廠）、4433廠（風光電工廠）和4435廠（韶光電工廠）等。各省市所建廠主要有：上海元件五廠、上無七廠、上無十四廠、上無十九廠、蘇州半導體廠、常州半導體廠、北京半導體器件二廠、三廠、五廠、六廠、天津半導體（一）廠、航天部西安691廠等等。1972年，中國第一塊PMOS型LSI電路在四川永川半導體研究所研製成功。

80年代是亞洲半導體發展的分水嶺。日本透過與歐美半導體產業合作，引進消化再創新，走出了自己的道路。當時的中國把把未來的科技規劃放在“863計劃”裡面，但“863計劃”更重視當前的經濟發展和普通民用科技，忽略了半導體工程。

直到90年代，1990年10月，國家計委和機電部在北京聯合召開了有關領導和專家參加的座談會，並向黨中央進行了彙報，決定實施九零工程。“九零工程”中國建立了自己的6寸、8寸矽片和晶圓產線，初步實現半導體積體電路的自主化，對國防軍工的意義是重大的。我們今天許多耳熟能詳的A股半導體公司，我們今天看到許多上市/借殼上市的軍工晶片公司，都是在“九零工程”的第一次大投入中開始建設的。