雪崩電流在功率MOS管的資料表中表示為IAV,雪崩能量代表功率MOS管抗過壓衝擊的能力。在測試過程中,選取一定的電感值,然後將電流增大,也就是功率MOS管開通的時間增加,然後關斷,直到功率MOSFET損壞,對應的最大電流值就是最大的雪崩電流。 標稱的IAV通常要將前面的測試值做70%或80%降額處理,因此它是一個可以保證的引數。一些功率MOS管供應商會對這個引數在生產線上做100%全部檢測,由於有降額,因此不會損壞器件。 留意:測量雪崩能量時,功率MOS管工作在UIS非鉗位開關狀態下,因此功率MOSFET不是工作在放大區,而是工作在可變電阻區和截止區。因此最大的雪崩電流IAV通常小於最大的連續的漏極電流值ID。 採用的電感值越大,雪崩電流值越小,但雪崩能量越大,生產線上需要測試時間越長,生產率越低。電感值太小,雪崩能量越小。目前低壓的功率MOS管通常取0.1mH,此時,雪崩電流相對於最大的連續的漏極電流值ID有明顯的改變,而且測試時間比較合適範圍。
雪崩電流在功率MOS管的資料表中表示為IAV,雪崩能量代表功率MOS管抗過壓衝擊的能力。在測試過程中,選取一定的電感值,然後將電流增大,也就是功率MOS管開通的時間增加,然後關斷,直到功率MOSFET損壞,對應的最大電流值就是最大的雪崩電流。 標稱的IAV通常要將前面的測試值做70%或80%降額處理,因此它是一個可以保證的引數。一些功率MOS管供應商會對這個引數在生產線上做100%全部檢測,由於有降額,因此不會損壞器件。 留意:測量雪崩能量時,功率MOS管工作在UIS非鉗位開關狀態下,因此功率MOSFET不是工作在放大區,而是工作在可變電阻區和截止區。因此最大的雪崩電流IAV通常小於最大的連續的漏極電流值ID。 採用的電感值越大,雪崩電流值越小,但雪崩能量越大,生產線上需要測試時間越長,生產率越低。電感值太小,雪崩能量越小。目前低壓的功率MOS管通常取0.1mH,此時,雪崩電流相對於最大的連續的漏極電流值ID有明顯的改變,而且測試時間比較合適範圍。