臺積電只是半導體行業的一環：晶片製造行業！

半導體包括：晶片設計、晶片製造、晶片封測等環節！中國現在半導體行業奮起猛追，目的不單單只是超過臺積電成為晶片製造的大國，而是要包括設計、製造和封測一體的所有半導體行業的中中國產化！中國目前半導體行業比較知名，而且有希望突破的企業：

晶片設計端有：華為海思、紫光展銳、瑞芯微等！

晶片製造端有：中芯國際、華虹宏力等！

晶片封測端有：長電、華天、通富微等！

相信用不了多久（保守估計5-10年追平，15年超越），我們就可以擁有真正的中國芯！

最後就像毛主席說的那樣：封鎖吧，封鎖個十年八年，我們什麼都有了！這句話用在當今的半導體行業，尤為貼切！

想要超越至少要十年，問題不是臺積電，而是ASML

問題從來不是臺積電，而是荷蘭的ASML，他壟斷全世界所有高效能光刻機的生產，臺積電只不過是個加工廠，現在ASML扶持南韓三星，臺積電都只能乾瞪眼。由於美國的因素，ASML只允許賣給我們DUV（深紫外線）光刻機，不賣EUV（極紫外線）光刻機，DUV光刻機最高能生產到7奈米級晶片，但需要多次重複曝光，次品率和成本要高出很多，而7奈米以下則必須要依靠EUV光刻機，沒有工具，怎麼生產？更談何超越？

ASML官網上的DUV光刻機，中國現在最後攻的還是這種光刻機

目前中國正進入最後攻堅階段的光刻機技術，是屬於第四代ArF式DUV光刻機技術，28奈米光刻機正處於臨門一腳，布控研究的還有22奈米、14奈米等。DUV光刻機技術專利在荷蘭、日本、德國、臺灣等國家和地區，美國封鎖不了。而且28奈米光刻機進入驗收階段後，ASML就表示願意對華出口14奈米DUV光刻機。關於中國何時能拿出自己的EUV光刻機，國外也很關心，這可以說是西方最後一份驕傲，電子工業技術的CROWN。在美版問答Quoro上這兩年有不少討論，其中有幾個回答比較好，答主也牛逼（有ASML工程師、加州大學副教授等）

ASML的EUV光刻機，是不是瞬間複雜很多？而我們在這方面才剛摸到門

ASML的EUV光刻機可以說是人類從樹上下來後，所製造的最複雜最尖端的機器。12萬多個零部件，單臺造價超過1.5億美元，連操作工都要求有4-6名擁有相關領域博士學歷才行。EUV光刻機技術源自1997年英特爾與美國政府聯合建立的EUV聯盟，與EUV相關的幾乎所有專利都在美國手中，ASML的EUV光刻機使用的55%以上零部件都是美國進口，這是美國可以輕易阻止荷蘭ASML對華銷售，甚至不允許臺積電加工生產華為晶片的原因所在。

02專專案標定為28奈米，去年底驗收失敗，未能透過，這方面還是任重道遠

其認為中國在EUV光刻機方面，落後ASML至少二十年，但由於追趕比創新要來的容易，中國高投入研發加快進度，追趕時間要打個對摺，預計需要十年多。但是，在這方面還是有彎道超車的機會，就是跳過EUV，直接進攻穩態微聚束(SSMB)技術。

EUV光刻機最難的技術是極紫外線光源，這是美國重重封鎖的關隘。但是可以利用加速器，將電子束加速，直到粒子沿著束線釋放，從而獲得高功率、高重頻、窄頻寬的相干輻射波段，以此作為替代光源。這樣就等於在關口旁邊另外開闢一條道路，從而繞開最難攻克的部分，並且ASML目前使用的脈衝鐳射轟擊液態錫靶產生等離子體光源技術波長為13.5奈米，而SSMB技術波長就可以達到5奈米，技術前景更加廣闊。

SSMB實驗原理

SSMB概念由斯坦福大學教授、清華大學訪問教授趙午於2010年提出。2017年清華大學唐傳祥與趙午共同發起該項實驗，完成了實驗的理論分析和物理設計，並開發測試實驗的鐳射系統。後清華大學SSMB團隊與德國聯邦物理技術研究院（PTB）和亥姆霍茲柏林材料與能源研究中心（HZB），共同完成這項技術原理的實驗演示，並在2021年2月在自然雜誌發表。清華SSMB研究組已向國家發改委提交“穩態微聚束極紫外光源研究裝置”的專案建議書，並申報“十四五”國家重大科技基礎設施。

發表在《自然》雜誌的實驗示意圖，反正看不懂

SSMB技術的突破雖然是非常令人振奮的訊息，但其從實驗室走到工業化生產，同樣至少需要十年時間。所以至少在2030年前，是中國晶片行業最痛苦的階段，短期內我們只能完善深耕DUV光刻機技術，例如華為提出的“晶片堆疊封裝”方案，可以基於28奈米晶片達到14奈米晶片效能（缺點當然是能耗高很多）。EUV光刻機和SSMB技術應該會同步推進，一個追，一個彎道包抄。好訊息是ASML和美國這邊對於新一代光刻機也沒有好的思路，他現在做的還是堆功率，如果我們攻破EUV技術壁壘，那麼達到ASML就容易多了，而如果SSMB技術突破，那就是超車。

比較難，臺積電發展到現在，有很多專利在手，別人難奪破，許多鏈都被封斷了，比較難破解。當然困難總是辦法多，憑華人勤勞智商一定能超走臺積電的，只是時間問題而已！

估計在再過20年那時。中芯國際最早在2035年才能追平臺積電，讓中國就有了自己的3奈米以下晶片，和美國、南韓以及中國臺灣也有的並非自己的3奈米以下晶片同為全球頂級，中國不再只有7、5奈米這樣的屬於自己的晶片；至少再過5年才能超越臺積電，獨自登頂全球晶片製造，讓中國獨有了屬於自己的1奈米以下晶片。這樣估計，是不是樂觀了？只要中國半導體行業堅定不移地推動國內晶片企業自立自強，絕不滿足於搞定14奈米以及28奈米“全中中國產”之後能生產80%以上的晶片，絕不幹等著美國及其盟國盟友回心轉意，包括把中芯國際移除實體清單、讓阿斯麥向中芯國際出售EUV光刻機，就有望在不到20年的時間裡先追平、再超越，創造出一國有了自己的先進和領先高階晶片這樣的奇蹟，全球晶片製造有史以來的第一例，大不了用20以上的時間！

中芯國際超越臺積電就是中國半導體行業超越“美國及其盟國盟友半導體行業”。也就是一國的晶片技術鏈產業鏈供應鏈領先於全球，關鍵是整體自主、全面可控，設計出的、製造出的、封裝好的全球頂級晶片都是中國自己的，連設計所依託的全球頂級晶片架構和EDA軟體都是中國自己的，晶片製造所依託的全球頂級光刻機以及其他工藝裝置、原材料、配件等還是中國自己的。從此，哪個環節和領域的中國晶片企業就都不會再出現被卡脖子的情況，美國及其盟國盟友根本就沒有這樣的機會了。當然，中國不會去卡別國包括美國及其盟國盟友的晶片企業的脖子，而是一如既往、不計前嫌地推動國內晶片企業去主動積極地提供最好的服務，其結果將是提升全球供應鏈的水平。