光刻機（Mask Aligner) 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫 Mask Alignment System.

一般的光刻工藝要經歷矽片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對準曝光、後烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。

Photolithography（光刻） 意思是用光來製作一個圖形（工藝）；

在矽片表面勻膠，然後將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“複製”到矽片上的過程。

光刻技術的發展

1947年，貝爾實驗室發明第一隻點接觸電晶體。從此光刻技術開始了發展。1959年，世界上第一架電晶體計算機誕生，提出光刻工藝，快捷半導體研製世界第一個適用單結構矽晶片。

1960年代，仙童提出CMOS IC製造工藝，第一臺IC計算機IBM360，並且建立了世界上第一臺2英寸積體電路生產線，美國GCA公司開發出光學圖形發生器和分佈重複精縮機。