霍爾係數怎麼算

霍爾係數計算公式：Rh=Uhd/IsB，Uh：霍爾電壓，標準單位（知SI）是：伏特，符號：V；d：霍爾樣品沿著磁場的尺寸，標準單位（SI）是：米，符號：m；Is：透過霍爾樣品的電流，標準單位（SI）是：安培，符號：A；B：外磁場，標準單位（SI）是：特斯拉，符號：T。

霍爾效應是一種磁敏效應，一般在半導體薄片的長度X方向上施加磁感應強度為B的磁場，則在寬度Y方向上會產生電動勢UH，這種現象即稱為霍爾效應。霍爾效應在應用技術中度特別重要。例如汽車點火系統，設計者將霍爾感測器放在分電器內取代機械斷電器，用作點火脈衝發回生器。這種霍爾式點火脈衝發生器隨著轉速變化的磁場在帶電的半導體層內產生脈衝電壓，控制電控單元（ECU）的初級電流。

算霍爾係數的公式：Bqv=Uq/aI。霍爾係數（又稱霍爾常數）RH在磁場不太強時，霍爾電勢差UH與激勵電流I和磁感應強度B的乘積成正比，與霍爾片的厚度δ成反比。

磁場，物理概念，是指傳遞實物間磁力作用的場。磁場是一種看不見、摸不著的特殊物質。磁場不是由原子或分子組成的，但磁場是客觀存在的。磁場具有波粒的輻射特性。磁體周圍存在磁場，磁體間的相互作用就是以磁場作為媒介的，所以兩磁體不用在物理層面接觸就能發生作用。電流、運動電荷、磁體或變化電場周圍空間存在的一種特殊形態的物質。

霍爾電壓（一般稱霍爾電勢）的大小和方向與下述因素有關：

1、激勵電流I

2、與激勵電流垂直的磁感應強度分量B

3、器件材料（決定靈明度係數K）

4、霍爾電勢的方向還與半導體是P型還是N型有關,兩者方向相反

設霍爾電勢為EH

則：EH=KIB

注：B為與電流垂直的磁感應強度分量

霍爾電動勢和哪幾個量有關

霍爾效應可以用下述公式表述。

E=KBIcosθ。

上式中：

E為霍爾效應電壓；

K為霍爾器件的靈敏度，一定範圍內是常數；

I是霍爾器件的工作電流；

B是外部磁場的磁感應強度；

θ為I與B的垂直角度的偏差。

線性度取決於霍爾器件的靈敏度K。也就是說，取決於霍爾器件的材料與工藝。

根據霍爾電流I和磁場B的方向，實驗測出霍爾電壓的正負，由此確定霍爾係數的正負，即判定載流子的正負，是研究半導體材料的重要方法

U0的大小和霍爾電勢UH同數量級或更大

當把一塊金屬或半導體薄片垂直放在磁感應強度為B的磁場中，沿著垂直於磁場方向透過電流，就會在薄片的另一對側面間產生電動勢UH，這種現象稱為霍爾效應，所產生的電動勢稱為霍爾電動勢。霍爾電動勢的大小正比於激勵電流 Ic與磁感應強度 B，且當 Ic 或B 的方向改變時，霍爾電動勢UH的方向也隨著改變，但當 Ic和 的 B方向同時改變時霍爾電動勢UH極性不變。