duv光刻機原理是經過矽片表面清洗、烘乾、旋塗光刻膠、乾燥、對準曝光、去膠、清洗、轉移等眾多工序完成的。經過一次光刻的晶片還可以繼續塗膠、曝光。越複雜的晶片，線路圖的層數就越多，而且也需要更精密的曝光控制過程。

用深紫外光刻技術製造的晶片使用的是248奈米的光，也有一些製造商使用193奈米光。有了極紫外光刻技術，晶片將用13奈米的光製造。基於波長越小成像效果越好的定律，13奈米光將提高投射到矽片上的圖案質量，從而提高晶片的速度。

但整個過程必須在真空中進行，因為這些光的波長很短，連空氣都會吸收它們。此外，EUVL使用了塗有多層鉬和矽的凹面和凸面鏡，這種塗層可以在13.4奈米的波長下反射近70%的EUV光。如果沒有塗層，光線在到達晶圓片之前就會被完全吸收。鏡子的表面必須近乎完美，即使是塗層上的微小缺陷也會破壞光學器件的形狀，扭曲印刷電路的圖形，從而導致晶片功能上的問題。