電荷的定向移動形成電流。

參與導電的電荷叫自由電荷，平時自由電荷做雜亂無章的運動，在導體導電時，自由電荷便向一定方向移動，形成電流。

參與導電的電荷可以是正電荷，也可以是負電荷：例如，金屬導體中導電的電荷就是帶負電的自由電子。（與電流方向的規定正好相反）

在酸、鹼、鹽導電溶液中，有大量的正負離子，當溶液導電時，其中的正負離子會向相反方向移動，參與導電。因此，導電電荷可以是正負電荷同時向相反方向移動。

半導體是電極：

因為：半導體是指 在常溫下 導電能力 介於 導體 和 絕緣體 之間的材料。

半導體電極是指半導體材料與適當電解液構成的電極體系成為半導體電極。當半導體與電解液接觸時，其剩餘電荷在電極表面層中分佈，形成類似於溶液中離子雙電層的空間電荷層。半導體電極受光照激發所產生的空穴與電子分別具有極強的氧化性與還原性，可與電解質溶液發生氧化還原反應，同時空穴與電子在空間電荷區被分離，產生電動勢，與對電極形成迴路，構成光電化學電池。

半導體不能簡單說能不能導電，關鍵是看條件。一般情況下，半導體大多導電能力很弱，但是外界條件改變時，可能 突然 變成導體。

比如光敏電阻，光線很亮時，不導電，一旦光線暗到一定程度，就會導電。

電荷層是指p型與n型半導體接觸或金屬與半導體接觸後形成“結”的過程中在接觸面兩側分別構成的正、負電荷空間薄層。

空間電荷效應：半導體中的空間電荷及其相應的空間電荷效應是一個重要的基本概念。在半導體材料和器件中往往會遇到有關的問題，特別是在大電流時空間電荷可能起著決定性的作用。

在MOS管中，跨導的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。在轉移特性曲線上，跨導為曲線的斜率。

四種氧化層電荷

（1）固定氧化層電荷Qf 源於矽材料在熱氧化過程中引入的缺陷

（2）可動電荷Qm 主要是SiO2種存在的K+，Na+,Li+等正離子引起的

（3）介面陷阱電荷Qit 起源於Si-SiO2介面的結構缺陷，氧化感生缺陷

（4）氧化層陷阱電荷Qot 被俘獲的載流子來自X射線，r射線或電子束在氧化層引起的輻射電離，熱載流子注入

導體和絕緣體沒有絕對的界限,只是束縛電子能力的區別,導體束縛電子較弱,換句話說就是對電流的阻礙作用(電阻)小,因此被稱為導體.而導電是因為導體在電壓的作用下電子發生了定向移動,而電子帶的是負電,因此電流的方向和電子定向移動的方向相反.所謂空穴,就是指半導體價帶中的電子由於被熱或光激發到導帶中，或被受主型雜質俘獲，在價帶中留下一個空能級(即失去電子的價鍵)。空穴並不是真實存在的,只是對大量電子運動的一種等效,因為電荷實際上就是以量子態存在的.