Sin是氮化矽，半導體Sin就是以氮化矽為基礎要發出來的第三代半導體。

氮化矽 半導體

結構陶瓷包括耐磨損、高度度、耐熱、耐熱衝擊、硬質、高剛性、低膨脹性和隔熱等陶瓷材料；功能陶瓷包括具有聲、光、電、磁、生物、化學、核等功能的陶瓷材料。， Si3N4的基本物理效能 在常壓下，si3N4沒有熔點，於1870℃左右直接分解氮化矽的熱膨脹係數低，在陶瓷材料中除Si02(石英)外，Si3N4的熱膨脹係數幾乎是低的，為2．35×106／K，約為A1203的1／3它的導熱係數大，為18．4W／(m·K)，同時具有高度度，因此其抗熱震性十分優良，僅次於石英和微晶玻璃，熱疲勞效能也很好室溫電阻率為1．1x10“Q·cm，900C時為5．7×106Q·cm，介電常數為8．3，介電損耗為--0．1

1、氮化矽 半導體基本性質

氮化矽的陶瓷珠，能達到HRC80度，極限高溫800度左右

屬高溫難溶化合物，無熔點，抗高溫蠕變能力強，不含粘結劑的反應燒結氮化矽負荷軟化點在1800℃以上

1285攝式度時與二氮化二鈣反應生成二氮矽化鈣，600度時使過渡金屬還原，放出氮氧化物，抗彎強度為147MPa

圖 為塗層和基體組成的三層複合梁的三點彎曲試驗示意圖， 其撓度與載荷的關係在理論上為 拉伸試樣示意圖Fig tensiletest 型應力，並且三層複合梁中性軸的位置為 來確定應力強度因子的相對值 分別代表塗層和基體，下標 合梁中性軸距塗層表面距離利用試驗得到的載荷—施力點位移曲線的線性段（彈性段），透過式（2）和 式（3）可求塗層的彈性模量

氮化矽是一種共價化合物，所以原子之間以較強的共價鍵相互結合，所以它具有很高的硬度及熔點

2、氮化矽 半導體材料效能

氮化矽陶瓷材料具有熱穩定性高、舒緩反應能力強以及產品尺寸度高等優良效能，由於氮化矽是鍵強高的共價化合物，並在空氣中能形成氧化物保護膜，所以還具有良好的化學穩定性，1200℃以下不被氧化，1200~1600℃生成保護膜可防止進一步氧化，並且不被鋁、鉛、錫、銀、黃銅、鎳等很多種熔融金屬或合金所浸潤或腐蝕，但能被鎂、鎳鉻合金、不鏽鋼等熔液所腐蝕， 近年來，隨著鐳射技術的推廣，激光表面處理技術也作 為一種新的表面塗層處理技術對Si3N4 陶瓷軸承摩擦接觸面 進行表面塗層處理，晶界相數量的影響：選擇不同數量晶界相的陶瓷，進行腐蝕比較發現：反應初期，腐蝕速率基本吻合；隨著腐蝕的進一步進行，腐蝕速率出現分歧，鈍化層出現，且晶界相數量越多，氮化矽腐蝕越嚴重

半導體SIN是 氮化矽它有兩種晶體， 即低溫型α-氮化矽和高溫型β-氮化矽，及一種無定型。當粉狀的 Si3N4在1200℃加熱超過4h，就形成 α-型，在1450℃加熱2h，就形成β-型。α-型為六方晶系結晶；β-型為立方晶系結晶。純者為無色，但通常所見為含微量雜質者，呈灰色、灰褐色或黑色。相對分子質量140.29。相對密度 3.44。本品不溶於水、酸、鹼。

二氧化矽的介電常數是1.56

氮化矽的介電常數是不固定的，需要在一定的溫度條件下才會形成專屬的一個介電常數。

介電常數與頻率變化的關係2。其介質常數具有複數形式，實數部分稱為介電常數，虛數部分稱為損耗因子。通常用損耗正切值(損耗因子與介電常數之比)來表示材料與微波的耦合能力，損耗正切值越大，材料與微波的耦合能力就越強3．介電常數是指在同一電容器中用某一物質為電介質與該物質在真空中的電容的比值。

在高頻線路中訊號傳播速度的公式如下：VK4。為簡單起見，後面將相對介電常數均稱為介電常數。反射脈衝訊號的強度，與介面的波反射係數和透射波的衰減係數有關，主要取決於周圍介質與反射體的電導率和介電常數。