pn結一般摻入三價和五價的原子素，所以其他的不摻入。

半導體的摻雜，以矽為例。一般摻入三價的原子（如硼）使之成為P型半導體，或摻入五價的原子（如磷）使之成為N型半導體。

從導電原理上講，分別摻入低於三價的原子，或摻入高於五價的原子，也是可行的。為何不如此的主要原因是：要最大限度地保持原來單晶結構的完整性。

往矽中摻雜，是替位式摻雜，摻入的原子要取代矽原子的位置。為保持晶體的完整，儘量減少晶體缺陷的產生，所以摻雜原子要選擇大小與矽原子相差不大的原子為主。三價原子和五價原子就最合適。

在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。 齊納擊穿一般發生在摻雜濃度較高的PN接面中。這是因為摻雜濃度較高的PN接面，空間電荷區的電荷密度很大，寬度很窄，只要加很小的反向電壓就能夠建立起很強的電場，發生齊納擊穿。