一般情況下，要標註耦合常數的是d,t,dd,dt,td,q峰等。dd,td,dt峰就比d,t峰情況複雜，在這種情況下首先是要確定這是哪種峰型，然後確定哪兩條峰之間的差才是耦合常數。

1. d 峰：將確定兩個化學位移（ppm）值相減，然後乘以相應的核磁儀器頻率（如300M核磁，乘以300即可），即（A-B）* 300，化學位移標註中間值。

2. t 峰：（A-B）*核磁儀器頻率。化學位移標註中間B峰的。

3. dd峰和q峰：這兩種峰型容易混淆，需要注意判別。

一般情況下，要標註耦合常數的是d,t,dd,dt,td,q峰等。dd,td,dt峰就比d,t峰情況複雜，在這種情況下首先是要確定這是哪種峰型，然後確定哪兩條峰之間的差才是耦合常數。，

1. d 峰：將確定兩個化學位移（ppm）值相減，然後乘以相應的核磁儀器頻率（如300M核磁，乘以300即可），即（A-B）* 300，化學位移標註中間值。

0.1μF。

去耦電容在積體電路電源和地之間的有兩個作用：

一方面是本積體電路的蓄能電容，另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。

數位電路中典型的去耦電容值是0.1μF.

這個電容的分佈電感的典型值是5μH.0.1μF的去耦電容有5μH的分佈電感，它的並行共振頻率大約在7MHz左右，

也就是說，對於10MHz以下的噪聲有較好的去耦效果，

對40MHz以上的噪聲幾乎不起作用.1μF、10μF的電容，並行共振頻率在20MHz以上，去除高頻噪聲的效果要好一些。