專利名稱：利用微納光纖進行直寫光刻的方法

技術領域：

本發明屬於微納加工技術領域，尤其涉及一種利用微納光纖進行直寫光刻 的方法。

背景技術：

現在科技的發展對微米級別尤其是亞微米級別的加工技術有迫切的需要，

比如積體電路的製造、微納光子學器件的製造、高密度儲存裝置的製造、MEMS 器件的製造。

目前的幾種微納加工技術有各自的優勢，但是也都不可避免的存在不足之 處。目前積體電路所用的光刻工藝雖然能加工出幾十奈米的特徵尺寸，但是它 主要是靠不斷的減小曝光光源的波長來提高解析度，這對光源以及整個光學系 統提出了極高的要求，這種技術需要極大的資金投入，所以主要掌握在少數的 國際大公司手裡。鐳射直寫是一種簡單靈活的加工方法，但是主要受衍射極限 的限制，解析度很難達到1微米以下。電子束直寫雖然解析度高但是需要購買 昂貴的電子束曝光裝置，電子束曝光的步驟相對比較繁瑣，另外它的曝光範圍 也被限制在一個很小的區域內。