屬於DUV光刻機的水平，應該是中等水平。

65nm光刻機屬中低端水平。

中國目前能夠實現量產晶片光刻機的公司是上海微電子裝置系統有限公司。目前能夠量產的是90nm的光刻機，65nm的光刻機已經在研發了四五年了，目前尚未處於量產階段。目前最高階的是荷蘭阿斯麥爾13.5nm極紫外光光源的euv光刻機。其餘為193nm/248nm/365nm/436nm波長為光源的光刻機，分別屬於800nm到22nm製程的光刻機。而65奈米就是193nm波長的浸潤式duv光刻機中的一種。相比該機型最小製程的22nm，65nm光刻機屬於中等偏低的水平。

光刻機內建大量晶片無需置疑，無論是ASML的EUV光刻機、還是中國自主生產的90nm、28nmDUV光刻機，僅靠軟體整合技術無法在各子系統，如光源計量分析、透鏡曝光引數補償調整、零部件精密操控和化工材料精準分析等方面智慧協同進行晶片生產。

所以，晶片是光刻機須臾不可缺的大腦和神經系統。

那麼，光刻機作為生產晶片的關鍵裝置，是先有光刻機還是先有晶片呢？

晶片是將大量具有單個運算能力的電晶體組合連線在同塊矽片上、形成強大處理能力的微電子技術。晶片的應用、拉開了資訊革命的帷幕，成為現代工業文明的基礎。它的發明和應用早於光刻機的出現

光刻技術的原理、概念和雛形確是早於晶片出現。1822年，法華人Nicep hore niepce在各種光照實驗後，用油紙覆蓋在塗有植物油和瀝青的玻璃片上、透過日照得到了想要的圖形，形成了最早的光刻技術。但沒有和晶片技術結合、不是完整意義上的的光刻機。

從發明晶片的起源看，有兩位科學家。一位是美國德州儀器公司的儀器工程師傑克·基爾比，他於1958年9月12日整合第一款晶片，即把二十餘個電晶體、電阻、電容器整合在一塊微型平板上，純手工焊接將極細的鋁質導線連線構成微型的固體組合件，並命名為“積體電路”，並於1958年向美國專利局申報了發明專利。

可以說，沒有基爾比的發明就沒有現今的半導體產業、更不會有大家熟悉的數字生活，如今的PC、手機等等3C產品都源於基爾比的發明。

晶片發明還離不開另一位科學家，即美國物理學家、著名企業英特爾共同創始人羅伯特·諾伊斯。1958年仙童公司在基爾比數月後也發明了積體電路，共同開創了世界微電子的歷史。

1959年1月，諾伊斯形成積體電路方案，7月便研發出二氧化矽的擴散技術和PN接面隔離技術。用一氧化膜作為半導體絕緣層製作成鋁條連線、使元件和導線連成一體，創造出半導體積體電路平面製作、器件連線結構工藝，為規模生產積體電路奠定了基礎。

1966年，基爾比和諾伊斯同時被富蘭克林學會授予巴蘭丁獎章。基爾比被稱為“積體電路的發明家”，諾伊斯被贊為“提出適合工業生產的積體電路理論”。

因此，從貝爾實驗室1947年發明第一個點接觸電晶體起，到1959年世界第一臺電晶體計算機誕生，仙童公司研製成世界第一顆適用單結構矽晶片，提出光刻工藝並被用於各類半自動、自動，接觸式、投影式光刻機，直到當今的EUV光刻機和DUV光刻機，時間上是早於光刻機出現的。

這問題就是從先有雞還是先有蛋來的，有點幼稚。從邏輯上講，雞和蛋是彼此唯一的。而光刻機和晶片沒有這種唯一關係，光刻機可以刻蝕晶片，但其他工藝也可以刻蝕晶片，比如照相，只是精度達不到現在的幾奈米。光刻機內肯定有晶片，但不一定是高整合度的晶片，其他工藝也可生產。

光刻機技術是在不斷髮展進步的，最初的光刻機的元器件，都是用分離元器件組裝的，就比如第一代電子計算機，全是用電子管和繼電器組成的，機房有幾間房子大，功能和效率只想當於今天的一個普通的計算器。

光刻機的技術理念，來源於190年前的油印技術，和後來製造電子電路板的製版技術原理，懂電子製作的都知道電路板的製作原理，常用的是透過三氯化鐵來腐蝕電路板的，沒有塗保護層的銅薄就會被腐蝕掉，沒有被腐蝕掉的銅片，就是電路板元器件之間的連線線。

在第一代光刻機，由於受當吋技術和製造工藝的限制，生產出的晶片電晶體體積大5um，所以整合的電晶體數量少，這類是屬於小規模積體電路，相應積體電路晶片的體積也就比較大。

隨著光刻機的不斷髮展，晶片製造技術進入微電子吋代，晶片中的電晶體的體積越來越小，電晶體的密度越來越小，相應的電晶體的數量就越來越多，晶片體積和厚度，也就越來越小越來薄板，所以電子商品，特別是移動電子商品，也就越做越小了。