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1 # 使用者5331805055402
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2 # 雨過天晴
有三種晶體：原子晶體、離子晶體、金屬晶體的熔沸點與半徑有關
一、不同晶體：原子晶體>離子晶體>分子晶體
二、同種晶體:
1、原子晶體：原子半徑越小,鍵能越大,熔沸點越高
如：金剛石>碳化矽>單晶矽
2、離子晶體:組成相似的離子晶體,離子鍵越強(陰陽離子半徑之和越小、離子電荷越多）熔沸點越高
如：nacl>kcl mgo>nacl
3、金屬晶體：金屬鍵越強（半徑小、價電子多）熔沸點越高
如：na
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3 # 無極刀
碳化矽晶體結構分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC（稱立方碳化矽)。碳化矽晶體一個晶胞內有4個碳原子和4個Si原子。α-SiC由於其晶體結構中碳和矽原子的堆垛序列不同而構成許多不同變體。β-SiC於2100℃以上時轉變為α-SiC。碳化矽由於化學效能穩定、導熱係數高、熱膨脹係數小、耐磨效能好，除作磨料用外，還有很多其他用途，用以製成的高階耐火材料，耐熱震、體積小、重量輕而強度高，節能效果好。
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4 # 青雲居士131
碳化矽有無窮多種不同的結晶形態，迄今為止已觀察到的同質異晶形態( polymorphism)就有200餘種(一說170餘種)。
但所有這些同素異構體中只有一種屬於立方晶系，即具有類似於砷化鎵晶體結構的閃鋅礦型3C-SiC，亦稱β-SiC。
其他同素異構體皆屬六方晶系，其晶體結構或為六方體( Hexagonal)型，或為菱面六方體( Rhombohedral)型，分別用數字加字母H和R表示，例如6H-SiC、15R-SiC等。3C-SiC以外的所有SiC同素異構體統稱α-SiC。在碳化矽晶體結構的這種命名方式中，字母代表的是晶體結構的型別，字母前的數字代表一個堆垛週期中包含的雙原子層的數目
碳化矽晶體結構分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC（稱立方碳化矽)。碳化矽晶體一個晶胞內有4個碳原子和4個Si原子。α-SiC由於其晶體結構中碳和矽原子的堆垛序列不同而構成許多不同變體。β-SiC於2100℃以上時轉變為α-SiC。
碳化矽由於化學效能穩定、導熱係數高、熱膨脹係數小、耐磨效能好，除作磨料用外，還有很多其他用途，用以製成的高階耐火材料，耐熱震、體積小、重量輕而強度高，節能效果好。低品級碳化矽（含SiC約85%）是極好的脫氧劑，用它可加快鍊鋼速度，並便於控制化學成分，提高鋼的質量。