pn結和pin結是兩種最基本的器件結構，也是兩種重要的二極體。從結構和導電機理上來說，它們有許多共同點，但是也存在不少的差異。 l 相同點： （1）都存在空間電荷區和勢壘區，則都有勢壘電容； （2）都具有單向導電性和相應的整流作用，則都可用作為二極體； （3）在高的反向電壓下，都有可能發生絕緣擊穿的現象，因此都存在有最高工作電壓的限制；（4）都具有感光作用，可以作為光電二極體和光電池等光電子器件。 l 不同點： （1）空間電荷區： pn結的空間電荷區就是介面附近的區域，其中存在較強的內建電場，使得載流子往往被驅趕出去了，故一般可近似為耗盡層。 pin結的空間電荷區是在i型層（本徵層）兩邊的介面附近處，則有兩個空間電荷區（即p-i和n-i兩個介面的空間電荷區），一個空間電荷區包含有正電荷，另一個空間電荷區包含有負電荷，這些空間電荷所產生的電場——內建電場的電力線就穿過i型層。 （2）勢壘區： pn結中阻擋載流子運動的區域，即存在內建電場的區域就是勢壘區；pn結的勢壘區也就是空間電荷區，即空間電荷區與勢壘區是一致的。 但是pin結中存在內建電場的區域是整個i型層加上兩邊的空間電荷區，因此勢壘區很寬（主要就是i型層的厚度），這時勢壘區與空間電荷區並不完全一致（勢壘厚度遠大於空間電荷區）。（3）勢壘電容： pn結的勢壘電容也就是空間電荷區的電容，而空間電荷區的厚度與外加電壓有關，則勢壘電容是一種非線性電容；並且pn結的勢壘電容也與兩邊半導體的摻雜濃度和溫度有關（摻雜濃度越大，或者溫度越高，勢壘厚度就越小，則電容也就越大）。 但是pin結的勢壘電容基本上就是i型層的電容，因此該勢壘電容是一種線性電容；並且pin結的勢壘電容與兩邊半導體的摻雜濃度和溫度基本上沒有什麼關係。由於i型層較厚，則pin結的勢壘電容很小，因此可用作為微波二極體。 （4）導電機理： pn結的電流主要是注入到勢壘區兩邊擴散區中少數載流子的擴散電流，這就意味著：透過pn結的電流是少數載流子擴散電流，並且少數載流子的擴散是在勢壘區以外的擴散區中進行的。而勢壘區的影響只是其中複合中心提供少量的複合-產生電流（只在低電壓時起重要作用）。但是pin結的電流主要是較寬的勢壘區（～i型層）中的複合電流。因此在透過的電流的性質上，與一般pn結的大不相