1.兩種鍍膜原理不同：

　　電子束蒸發鍍膜：利用高能電子束轟擊靶材，使材料表面產生很高的溫度，由固態直接昇華到氣態，沉積到工件表面所形成的薄膜，主要運用在光學方面(如：眼鏡片的增透膜，CCD鏡頭，光通訊方面等等)

　　磁控濺射鍍膜：高能離子轟擊靶材，使靶材表面原子飛逸出來的過程稱濺射，那麼採用磁場控制後，濺射出來的原子或二次電子以輪擺線的形式被束縛在靶材表面，使得輝光維持而進行濺射，主要運用在裝飾方面(如：鐘錶，手機外殼等金屬表面)

　　2.膜的粘附性及結合的效果也不同。

　　電子束鍍膜的粘附性教差，但是膜的均勻性好;濺射的鍍膜濺射能量大，和基底的粘附性也好，但是膜會有顆粒也就是均勻性稍差。

　　電子束通常配備晶振片，對於已經校準的材料，10nm以下控制效果好，相反濺射出來的膜會有顆粒，10nm的厚度很難達到精準可控。

　　3.實用的材料不同，磁控濺射有射頻電源，可以做絕緣材料，也可以做金屬;但是電子束只能蒸鍍金屬。

真空濺鍍,是真空濺射鍍膜的簡稱,是一種物理鍍膜的方法.真空鍍膜主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD鐳射濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。需要鍍膜的被稱為基片，鍍的材料被成為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。蒸發鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發出來，並且沉降在基片表面，透過成膜過程（散點－島狀結構-迷走結構-層狀生長）形成薄膜。對於濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能鐳射轟擊靶材，並使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，並且最終沉積在基片表面，經歷成膜過程，最終形成薄膜。

濺射鍍膜就是用荷能離子轟擊靶材，使靶材表面的一些原子逸出，逸出的原子沉積在靶材附近的固體表面形成薄膜。

蒸發鍍膜就是將物質加熱，達到熔點，再達到沸點，蒸發至基片上。

1、濺射技術與真空蒸發技術有所不同。“濺射”是指荷能粒子轟擊固體表面（靶），使固體原子或分子從表面射出的現象。射出的粒子大多呈原子狀態，常稱為濺射原子。用於轟擊靶的濺射粒子可以是電子，離子或中性粒子，因為離子在電場下易於加速獲得所需要動能，因此大都採用離子作為轟擊粒子。

2、濺射過程建立在輝光放電的基礎上，即濺射離子都來源於氣體放電。不同的濺射技術所採用的輝光放電方式有所不同。直流二極濺射利用的是直流輝光放電；三極濺射是利用熱陰極支援的輝光放電；射頻濺射是利用射頻輝光放電；磁控濺射是利用環狀磁場控制下的輝光放電。

3、濺射鍍膜與真空蒸發鍍膜相比，有許多優點。如任何物質均可以濺射，尤其是高熔點，低蒸氣壓的元素和化合物；濺射膜與基板之間的附著性好；薄膜密度高；膜厚可控制和重複性好等。缺點是裝置比較複雜，需要高壓裝置。