1牛米是力矩，可拉動多少公斤的重量要看齒輪或皮帶輪的大小而論，也就是拉動速度不同重量也不同。

主要參照引數有步進電機輸出扭力，絲桿螺距。摩擦係數（T型絲桿摩擦係數比較大，滾珠絲桿摩擦係數比較小）。 例：下面以86步進電機，靜扭力6NM為例， 直線步進電機軸向力（推力）計算公式： 轉矩=軸向力（推力）x導程/2πn （n為效率） 例：直線電機靜轉矩1NM，直線電機導程8mm，電機效率80%，計算推力 1=Fx0.008/2πx80% F=628N 換算成可以推動物品的重量： 重量=628/GXf （f為摩擦係數）≈30KG 即1NM直線步進電機的推力為628N，可帶動大約30-40KG物品。 所以86步進電機6NM的推力約為180~240KG.

你好，我來談下我的看法。

晶片其實就是一個積體電路。晶片製作完整過程包括晶片設計、晶片製作、封裝製作、測試等幾個環節，其中晶片製作過程尤為的複雜。對於主機板而言，晶片組幾乎決定了這塊主機板的功能，進而影響到整個電腦系統效能的發揮，晶片組是主機板的靈魂。

目前晶片的製作大多都是選擇矽材料，目前最頂級的就是7nm規格的。廠商大費功夫的減小規格，縮小了電晶體的面積和功耗，也減小了成本開支。但是這個規格的晶片出現了漏電現象，漏電現象的產生也增加了功耗，各大廠商想盡辦法去解決漏電問題，或者說是降低漏電風險。目前晶片規格一旦低於7nm就會出現新的問題，所以目前來說，或者是一定時間內來說，7nm是晶片製造的物理極限。

據瞭解，美國勞倫斯伯克利國家實驗室將現有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm，其電晶體就是由碳奈米管摻雜二硫化鉬製作而成。不過這一技術成果僅僅處於實驗室技術突破的階段，目前還沒有商業化量產的能力。所以這也只是個期待，具體能否商業化大規模量產，還是需要時間的。

中國的晶片產業能力還是比較落的，晶片製造它涉及到的工藝的精密，複雜程度還是遠超傳統制造的。中國晶片製造廠，80%的裝備都是從外國進口的。全球晶片製造領域裝備主要來自美國和日本兩個國家。另外晶片製造所花費的材料我們也大量依賴進口。有一種材料叫光刻膠需要全部進口。目前中國的半導體材料產業總體規模很小，技術水平也比較低，中中國產材料的銷售規模在這個領域，佔不到全球的5%。這個著實和發達國家有比較大的差距。期待中中國產晶片能夠很好的發展，掌握自己的技術！

綜上，7nm還會是主流規格，科技的進步也需要時間的，越先進的技術難度係數越大，1nm需要很大的一段時間，或許不會實現。還會希望可以幫到你！

看了幾個回答都是胡扯。什麼遲早會有，還有鼓吹飛米，皮米的。都是毫無根據的瞎掰。

目前這種結構的超大規模積體電路，理論上可量產，具有實際商業價值的極限製程就是3奈米。

首先目前採用的光刻工藝就很難保證5納米制程下的較高良品率了。當然光刻工藝還是有改進的餘地的。還是能夠生產3奈米晶片。再低到1奈米，目前來看沒啥希望。

萬物都是有極限的，晶片也不例外。一旦晶片的線條寬度達到奈米(10^-9米)數量級時，就會引發一系列高熱效應。當製程越小，熱量堆積越嚴重，半導體的電器效能就越模糊。量子效應同時也會開始越來越多展現出來，電子遂穿將更嚴重。

另外高頻率晶片和門延遲問題也會讓晶片內部功耗密度增加到一個傳統散熱矽晶片無法承受的地步。

目前三星在3nm節點設計上採用了GAA環繞柵極電晶體工藝，據說能有效取代FinFET電晶體技術，但是這種技術的成熟度和可靠性還不太確定。能否可靠的量產也還要觀望

過去我們也曾遇到過好幾次半導體工藝的瓶頸，但是技術的進步和材料的改進讓我們不斷突破一個個難題，引入3D電晶體，引入極紫外光刻工藝，最終發展到瞭如今的7nm，而3nm被公認為已經達到摩爾定律的物理極限，隨著電晶體越來越小，線寬越來越窄，一旦晶片的線條寬度達到奈米(10^-9米)數量級時，就會引發一系列高熱效應，從而給晶片的製造帶來不利。

不過業界仍然可以透過改進電晶體進行突破，比如封裝工藝，為了應對這個問題，三星在3nm節點設計上採用了GAA環繞柵極電晶體工藝，此項技術能有效取代FinFET電晶體技術，從而增強電晶體的效能，也就有希望成功進入3nm工藝時代，這樣透過持續的改進有望在1nm工藝上進行突破。

但是3nm及未來1nm甚至更先進的工藝，面臨的最大問題不是技術研發，即便攻克了技術難題，這些新工藝最大的問題在於沒人用得起，為了解決工藝問題，這些公司會投入鉅額資金研發，同時建設一座3nm或者2nm級別的晶圓廠都是百億美元起的，其實如今的7nm晶片的設計和製造成本就比過去14nm高了很多，如果到時候晶片能研發出來，製造成本很高的話也是不可行的，所以這幾年我們可能會看到半導體工藝進步的放緩。

    目前，晶片製程玩家三足鼎立：英特爾、三星、臺積電。從市場份額，技術成熟度來看，臺積電領先。根據臺積電的規劃“3nm年後量產、2nm進展順利，1nm遙遙無期”，那1nm之後又是什麼呢？下文具體說一說。

    簡單回顧一下電晶體的結構，如下圖所示。電晶體的工作原理很簡單，通電1斷電0，實現了計算機的運算。Gate（柵極）相當於閘門，主要負責控制Drain(漏極）和Source（源極）的通斷。柵極（Gate）的寬度決定了電流透過的損耗，表現出來就是手機的發熱和功耗，寬度越窄，功耗越低，柵極的最小寬度，就是我們所說的XXnm工藝的數值。

    原子的大小大約為0.1nm，10nm的工藝要保證一條線上只有不到100個原子，一個原子出現了問題，整個產品就報廢了，產品的良品率大打折扣。

    目前，最先進的晶片製程工藝是臺積電的7nm EUV，蘋果的A13處理器、華為的麒麟990 5G處理器、高通驍龍865處理器都採用了臺積電的額7nm EUV工藝。

    6nm製程將會在年底量產，比7nm加強版多了1層EUV（極紫外光刻）光罩層。

    5nm已經準備好了量產，相比前輩們，5nm製程增加了更多了EUV光罩層。預計華為的麒麟1020處理器、蘋果的A14、高通的驍龍875晶片，將會採用臺積電的5nm製程工藝。

    3nm製程工藝，將會在明年試產，2022年下半年實現量產。2nm技術預計2024年左右推出，而1nm及其更先進的製程工藝仍然在研發中，距離商用遙遙無期，下圖顯示了製程工藝的技術路線。

    目前，7nm、5nm製程工藝，採用了Co作為MOL佈線材料，以及EUV光刻，是進一步改進的FinFET結構，finFET能力已經探底。

    4nm、3nm工藝開始，FinFET結構將會被GAA結構取代，第一代GAA採用了矽奈米片，採用Ru作為佈線材料。

    2nm工藝，將會採用Forksheet結構。

    1nm工藝，將會採用CFET結構，技術細節暫時未知，下圖顯示了晶片結構工藝的演進。

    總之，半導體工藝正在有序推進，今年年底量產5nm，2022年量產3nm，2024年推出2nm，至於1nm仍然遙遙無期，1nm是當前半導體工藝的光錐和視界，沒有人知道1nm之後半導體行業會發生什麼。也許未來是量子計算、生物計算等等。

估計3奈米以後就開始被其它材料所替代了，光刻技術其尺寸不可能無限變小的，一定有它的侷限性。就好像當初的電子管計算機發展到電晶體再到大規模積體電路……，晶片的發展前景也是如此……！！

在如今追求晶片比較細緻化的應該就是手機產品了，如今是2022年已經到了4nm工藝，在我看來，晶片廠商應該可以停下來一點點了，不要一味地追求速度，因為效能越好，很多軟體體系就越瘋狂！都控制控制，做下穩定性發揮、散熱效能力的加強這個是關鍵！真正讓產品口碑越來越好！

不要讓每個手機廠商用的晶片，雖然製程工藝挺先進的，但是使用起來卻很差勁，例如高通的火龍，手機廠商代表都開始吐槽了！

晶片的第二個方面是要加強進步的，那就是材料，之前是矽晶圓材料，而這樣的材料已經比較稀缺，在接下來的競爭應該在更加環保的可替代材料上面下功夫了，據悉中國在研究半導體的企業已經開始著手新的材料研究了！

對於晶片在未來我覺得從使用者角度來說說，對於幾奈米其實並沒有那麼熱衷關注！但是對於效能體驗，對於使用晶片的場景更加多元！而且還能實現更好的ai加持、影像影象加持，這個應該是最值得關注的地方！

當然使用的場景可以考慮更加多元，隨著元宇宙的時代來臨，更多裝置的介入，很多裝置都需要晶片和系統來實現更好的功能價值！這也是晶片廠商可以進一步思考的！當然當下最核心解決的是均衡穩幀發揮，這個是比較重要的功課！而隨著支撐工藝的精進，其實不要再加持在處理速度上，更多是功能上，如何讓晶片具備更多的處理任務集的能力！如何讓晶片在很多單一裝置下可以更好地執行！