si的電子遷移率: 1350, 3800, 8000, 2000，3000左右 (cm^2/(V·s))

禁頻寬度：1.12, 0.66, 1.42, 3.44 6H- SiC:3, 4H- SiC:3.25, 3C-SiC:2.3 (eV)

電子遷移率: 1350, 3800, 8000, 2000，3000左右 (cm^2/(V·s))

在固態物理學中，電子遷移率表徵了當受到電場拉動時，電子可以在金屬或半導體中移動的速度。

孔有一個類似的量，稱為孔遷移率。術語載流子遷移率通常指電子遷移率和空穴遷移率。

電子和空穴遷移率是帶電粒子在外加電場下的電遷移率的特殊情況。

電導率與遷移率和載流子濃度的乘積成正比。例如，相同的電導率可能來自於每個具有高遷移率的少量電子，或來自每個具有低遷移率的大量電子。對於金屬而言，通常情況並不重要，因為大多數金屬的電行為僅取決於導電率。因此，遷移率在金屬物理學中相對不重要。另一方面，對於半導體，電晶體的行為取決於存在的是低遷移率的電子是多少，還是高遷移率的電子很少，其他裝置可能會有很大不同。因此，遷移率是半導體材料非常重要的引數。在其他條件相同的情況下，更高的移動性幾乎總是可以帶來更好的裝置效能。

半導體遷移率取決於雜質濃度（包括施主和受主濃度）、缺陷濃度、溫度以及電子和空穴濃度。它還取決於電場，特別是在發生速度飽和時在高電場下。它可以由霍爾效應確定，也可以根據電晶體的行為來推斷。

遷移率通常是材料雜質和溫度的強函式，並根據經驗確定。流動性值通常以表格或圖表形式顯示。對於給定材料中的電子和空穴，遷移率也不同。

光學移動性

電子遷移率可以根據非接觸鐳射光反射率測量來確定。當樣品逐步聚焦時，進行一系列光反射測量。電子擴散長度和複合時間由對資料的迴歸擬合確定。然後使用愛因斯坦關係來計算遷移率。

太赫茲移動性

電子遷移率可以透過時間分辨太赫茲探針測量來計算。飛秒鐳射脈衝激發半導體，並使用太赫茲探針測量產生的光電導率，該探針可檢測太赫茲電場的變化。