和=a1(1-a^n)/(1-a)=a(a^n-1)/(a-1)

這裡，“a^n”表示a的n次冪。

一、中芯的N+1是指晶片製造達到的節點技術

關於N+1，指的是中芯國際的晶片節點技術，去年中芯國際量產了14nm的晶片，而下一代晶片被稱之為N+1，有人說這個技術和臺積電的7nm工藝差不多。

因為根據中芯國際的說法，下一代工藝是N+1工藝，沒有說具體的節點，只是稱14nm相比，效能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%，而這就是臺積電7nm的晶片指標。

二、ASML光刻機是用來製造晶片的裝置

那麼ASML的光刻機是什麼，光刻機是晶片製造過程中不可缺少的一種裝置，並且光刻機非常重要，因為光刻部分佔了晶片製造部分的60%左右的工時。

可見所謂的N+1和ASML的光刻機根本就是兩碼事。但它們是有關聯的，那就是目前國內生產了7nm晶片製造的光刻機，甚至全球也只有ASML能夠生產製造7nm晶片的光刻機，所以中芯國際的N+1是依賴ASML的。

這兩是兩者的區別和聯絡，看似完全風馬牛不相及的兩個事情，但卻是緊密聯絡在一起的。

瞭解中芯國際的N＋1——

其實，我們也知道作為中國目前少有的晶片代工廠，在之前它就已經非常傑熟練的掌握了14nmFinFET 製程工藝的量產。

可是，你也得知道目前臺積電，三星都在5nm工藝製程上膠著了。好在，中芯國際的梁孟松提到了，中芯國際最新研發出了N+1和N+2工藝。

問題來了，因為他的話裡提到了，這兩種工藝非常接近7nm工藝。有些人就想當然認為這就是中芯國際的7nm工藝。對不起，你想岔了，雖然它的工藝很先進。但是，它的優勢主要集中在——

N+1 可在效能提升 20% 的同時降低 57% 的功耗、並將邏輯面積減少了 63% 。

7nm還是7nm

雖然，技術進步了。可是，它還不是7nm工藝製程，它確實在接近7nm工藝，可是你也得知道的是——它和7nm工藝還有一定的距離。

中芯稱——“N+1 的目標是低成本應用，與 7nm 相比，其優勢在 10% 左右”。

其實，我比較看好的是N+2，還是需要EUV光刻機進行技術支援的。這也說明了，技術確實在進步，但是還是需要ASML的光刻機，才能更有更好的發揮。

未來我們只有突破荷蘭光刻機的束縛，才能夠真正的走上一條屬於我們自己的路。而不是，即使技術發展，還得依賴ASML。

    中芯國際發展高階晶片離不開ASML的EUV光刻機，但是由於眾所周知的原因，至今中芯國際未收到2018年年底預定成功的ASML EUV光刻機。為了提高製程工藝，研發了N+1製程工藝。

    什麼是N+1？

    N+1是與中芯國際的14nm製程工藝對比，效能提升了20%，功耗減少了57%，邏輯面積減少了63%，Soc面積減少了55%。從資料上來看，中芯國際的N+1與目前市面上的7nm相比，指標非常相似，實際功耗和穩定性差不多，唯一區別是效能提升了約20%，而市場基準是35%。

    因此，就功率和穩定性而言，可以稱為7nm，效能方面可能比7nm差一些。N+1是中芯國際的官方代號，中芯國際也並未說就是7nm節點。

    EUV沒搞定，7nm怎麼辦？

    中芯國際至今沒有收到ASML的EUV光刻機，根據中芯國際的官方宣告，EUV對於目前的N+1階段是不必要的，後續的N+2相比N+1的差異性僅在於成本，效能方面與7nm相比，依然要差一些。

    如果中芯國際能夠拿到ASML的EUV光刻機，那麼對N+2將非常有用，可以用於N+2，同時可以加快推進5nm、3nm工藝的演進，畢竟臺積電下半年就會推出5nm製程工藝的晶片。

    總之，“巧婦難為無米之炊”，缺少ASML的EUV光刻機，中芯國際雖然研製了N+1、N+2在成本上有所降低，但是效能上沒有很大的提升。希望ASML方面能夠履行諾言，儘快給中芯國際發貨EUV光刻機。

感謝邀請中芯N+1與ASML光刻機到底有何區別？

題主問題的核心是中芯國際的N+1和ASML光刻機到底有什麼區別？確實對於華人來說，也許是太著急，所以在中芯國際宣佈N+1之後就大吹特吹的，我們可以理解這樣的心情，但是隨後中芯國際確實出來澄清了，N+1是內部代號，並不等於7nm，簡單一點來說就是不是真正意義上的7nm。

因為從定位來看，中芯國際的發言人其實之前已經指出來了，重要的是成本低，與ASML可以生產7nm 的光刻機相比，成本要更低，具體在 10% 左右。當然和7nm還是沒有辦法相比的，要不然中芯國際也不會訂購ASML的光刻機，當然現在希望不大，有其他國家在阻撓，還是要時間節點。

再者就是我們知道的現在中芯國際14nm已經相當成熟，所以其實N+1最主要的是相對於14nm的提升，比如效能提升20%、功耗降低57%、邏輯面積縮小63%，SoC面積縮小55%，以及之後還有N+2系列那個成本就要更高了。

從實際提升的角度來說。雖然和7nm還有差距，不過實際功耗和芯片面積的縮小其實已經和7nm相差不大，主要是效能方面，不如ASML生產的7nm晶片，帶來的35%效能提升。

總結：

其實我們知道，華為已經把部分晶片交給了中芯國際，因為雖然手機晶片可能工藝要求較高，但是對於現在工業方面所用晶片來說，14nm其實已經足夠，而且中芯國際也在之前表示可以滿足國內95%的晶片生產需求。

當然N+1還是不能代替真正的7nm，不過相對來說我們成本更低，功耗和發熱，以及面積來說和7nm已經接近，最重要的是效能方面的差距，更加重要的是我們沒有透過荷蘭或者是其他國家的幫助，就可以生產接近7nm晶片的工藝水準，確實值得我們開心，而N+2工藝，確實讓我們更加可期。

回答完畢

中芯國際的N+1跟ASML光刻機有什麼區別？首先我必須指出這個問題邏輯不對，因為中芯國際的N+1的工藝也是要由ASML的光刻機來完成的，我估計題主的意思應該是中芯國際N+1製程工藝跟EUV光刻機的7nm工藝製程有什麼區別吧，這樣我詳細說下中芯國際N+1的製程工藝究竟是怎麼樣的。

中芯國際N+1

首先要說明的是中芯國際的N+1是相比較14nm而言，也就是說效能的提升跟面積的減少都是以14nm為基準。

在2019年的第4季度，中芯國際就宣佈攻克N+1的製程工藝，而中芯國際方面表示N+1與中芯國際14納米制程比較，效能增加20%、功耗減少57%、邏輯面積減少63%、SoC 面積減少55%，但是在效能方面只提升20%，而真正的7nm的製程工藝效能方面是要提升30%，因此外界普遍認為中心國際N+1就是7nm的製程工藝其實錯誤的，中心國際的N+1應該是介意10nm至7nm之間才對，所以中芯國際對外表示不是7nm工藝，而是採用N+1來命名。

中芯國際N+1 VS 7nm

兩者有區別嗎，答案那肯定是有的：

首先N+1並未達到7nm的水準，所以第一個就是N+1的效能不如7nm。第二按照中芯國際的說法，N+1的成本略低於7nm，大概低10%。中芯國際的N+1採用是多重曝光的技術，多曝光一次，晶片的良率就會低一些，所以比EUV的極紫外光技術的良率要一些。

結語：晶片行業一向是高投入高回報，你別看美華人佔據產業鏈上端，吃專利費，他的利潤是建立在全產業上的！只要華人找到了替代方法，剝離美華人，對方就會陷入利潤枯竭，無法研發下一代技術的窘境。華為在5G和通訊技術上的崛起就是走這條路線。如今中芯國際也在重複昨天的故事，我們擺脫控制的過程，就是對方走向衰落的過程。

中芯國際的N+1是指的是晶片的製程工藝，就像現在所說的14奈米，7奈米，5奈米，甚至3納米制程的晶片。而阿斯麥公司的光刻機則是製造這些晶片的必備機器，中芯國際的N+1製程工藝的晶片與阿斯麥公司的光刻機根本就不是同一類，也無法放在一起進行比較，更沒有什麼區別。非要說區別的話，那就是中芯國際的N+1和N+2z製程工藝是用阿斯麥提供的深紫外DUV光刻機制造的。

目前來看，國際上晶片的最小製程為7奈米，2021年和2022年，臺積電與三星分別量產5納米制程的晶片和3納米制程的晶片。而中芯國際目前已經可以生產14納米制程的晶片了，與國際先進水平還差一代。為了追上世界發展潮流，中芯國際正在全力研發N+1和N+2製程工藝，其製造出的晶片效能，已經無限接近當今的7納米制程了。但也只是接近而已，並不是真正的7納米制程工藝。

據報道稱:中芯國際採用N+1製程工藝的晶片相比於14nm製程工藝的晶片來說，其效能提升20%，功耗降低57%，邏輯面積縮小63%，SoC面積縮小55%。的確，中芯國際的N+1和N+2製程的工藝已經非常接近7納米制程工藝了，但是這是用阿斯麥公司提供的光刻機制造的。因為中中國產光刻機目前只能量產90納米制程的晶片。

儘管中芯國際的製程工藝還不如三星和臺積電，但是其用14納米制程的晶片良品率已經從3%上升至95%，達到了量產14納米制程晶片的水平。也正是因為有了這個水平，才可以接手HW14納米制程FinFET結構的晶片。由此可知，即便是沒有阿斯麥公司出口的極紫外EUV光刻機，量產14納米制程的晶片也沒有什麼技術難題。但是當米國宣佈凡是使用米國的裝置，技術，專利的公司，向HW提供晶片時，必須要經過米國的同意，否則就對其進行制裁。這樣一來，就比較難受了，畢竟阿斯麥的光刻機中，米國提供的部件佔了25%，而且還是極為重要的的部件。所以說，中芯國際想要為HW製造QL晶片，就必須經過米國的同意才行，否則面臨的就是制裁，有可能發生斷供，斷維修光刻機的事件。在這個問題上，中芯國際也是左右為難，所以說發生這一切的根源就是中中國產光刻機無法達到量產14奈米，7納米制程晶片的要求。不過，中中國產光刻機已經實現了22納米制程的突破，只不過離量產晶片還有一段路要走。據報道稱:是採用了365奈米波長的光源，可以用於製造22納米制程的晶片，經過多次曝光後，可以製造10納米制程的晶片。

總而言之，還是需要等待中中國產先進光刻機的突破，才可以破解這一局面。

這個晶片加工問題，不能跟在臺積電及三星後面模仿及追趕，得出奇制勝。

現在的主要新聞是碳基晶片及光子晶片，更快的速度，更低的能耗。

矽基晶片已經無限接近極限了，一奈米左右是矽基晶片的精度極限，發展潛力有限了。

從發展潛力的角度看，光子晶片及碳基晶片都優於矽基晶片。

從效能過剩的角度看，普通人的手機CPU的效能大多數是過剩了，不趕時髦，不圖虛榮，CPU是十幾奈米及二十幾奈米的手機都足夠用了。手機就是用來浪費錢的，就是用來給手機廠商及銷售商做貢獻的！

中芯國際的問題已經不是光刻機能解決的。臺積電沒有ASML光刻機一樣研製出5nm製程晶片。中芯的短板還是在研發，雖然14nm已經開始量產，但是良率太低。N+1和N+2研發進度太慢。雖然梁孟松能解決14nm製程問題，但他沒有10nm及以下製程的研發經驗。另外研發出來良率問題也是一個，要知道中芯在2015年28nm製程就研發出來了，但是真正量產是在2019年。14nm試量產良率不佳。估計要到今年底才能成熟。未來兩年不可能達到7nm及以下製程。華為如果想量產7nm及以下製程晶片需要自己更大力度參與進去。憑藉華為的狼性文化以及高薪資高號召力，相信一年應該不成問題。

我回答的題目是：

中芯國際：5、3奈米工藝研發

只待極紫外光刻機

中芯國際的N+1 是利用ASML的DUV光刻機突破的工藝，而不是利用ASML的EUV光刻機，裝置雖然是ASML的，卻是中端，而非高階。這就是到底了的“區別”。

中芯國際現有的五個世代工藝全都是利用ASML DUV光刻機突破的。分別是28奈米、14奈米、12奈米、 N+1、7奈米。區別在於前四個世代的技術已經進入規模量產，後一個——7 奈米將要進入風險量產。毫無爭議的是，中芯國際和梁孟松所稱的28、14、12、7奈米，一定都是按照全球業界的規範叫法，全世界的晶圓廠、半導體行業通行的叫法，通稱，都是指真正意義上的，即7 奈米就是 7 奈米，不是中國的中芯國際自己界定、獨有的。

中芯國際和梁孟松所說的N+1 這個世代工藝很是惹人注意。不由得問一聲是多少奈米的。我的回答是：肯定不是 7 奈米，也肯定不是 12 奈米，但肯定是10奈米以下，肯定在中芯國際和梁孟松所說的 10 奈米先進工藝當中。 N+1 ，確實是中芯國際自梁孟松到來之後完成研發、實現規模量產的第四個世代工藝，又確實是中芯國際自梁孟松來到以後才定義的 1 個工藝世代，獨立在中芯國際的五個工藝世代當中，在實現了規模量產之後，成為了中芯國際的實際突破、確實掌握、自家獨有的工藝

中芯國際的 7奈米工藝更是惹人注意。更注意在，是不是真正意義上的 7 奈米工藝？梁孟松在去年12月提交辭呈時是確定無疑的，特別強調“7nm技術的開發也已經完成，明年四月就可以馬上進入風險量產”，這自然是特別引人關注、讓人歡欣鼓舞的。當然，萬一沒有突破，就一定會利用ASML的DUV光刻機進行最佳化、提升。重點是，作為第五個世代的 7 奈米工藝“與ASML光刻機有何區別”？沒有區別，跟28、14、12、N+1一樣，還是利用ASML的DUV光刻機突破的，中芯國際一直以來所利用的光刻機都是ASML生產的，而且只是DUV；2018年下單的那臺7奈米ASML極紫外光刻機至今也沒有到貨，全世界只有ASML才有極紫外光刻機。那麼，哪個世代的工藝會有區別？梁孟松在辭呈裡接著寫了：“ 5 nm和 3 nm的最關鍵、也是最艱鉅的8大項技術也已經有序展開，只待EUV光刻機的到來，就可以進入全面開發階段”，寫得很明確、很肯定，毋庸置疑！ 同時，這是再一次告訴人們：7 奈米這個世代的工藝研發沒有等待ASML的EUV，而是利用現有的ASML的DUV完成的。梁孟松是業界公認的技術大牛，有誰會對他的這個說法置疑、質疑呢？！ 5 奈米和 3 奈米這 2 個世代工藝等待ASML的EUV光刻機這個話也讓人毋庸置疑，中芯國際的工藝突破遇到裝置這個瓶頸了！之前則是沒有遇到，而是突破了一個又一個工藝瓶頸。梁孟松雖然是技術大牛，卻也認定繞不過去EUV這個裝置瓶頸，這就不能不讓人同時認為梁孟松這個人實事求是，不說大話。倒是，讓人很自然地對中芯國際能等到ASML的EUV光刻機置疑了，覺得很懸！已知，中芯國際的10奈米以下先進工藝已經被“推定拒絕”，美國在卡脖子；EUV光刻機到貨將遙遙無期，在裝置上卡中芯國際脖子的手之一是美國伸出的。

工藝路線不同！中芯N+1是不用光刻機能實現7nm技術。利用目前的193nm波長的光刻機，再輔以浸潤求技術，等效於134nm波長，可以實現7nm的精度。當然現在只是小小批次生產，市場反饋還是未知數。隨著摩爾定律達到極限，ASML的進步也越來越難的…