由於晶體管制造的複雜性，每代晶體管制程針對不同用途的製造技術版本，不同廠商的代次間統計算法也完全不同，單純用代次來比較並不準確。根據目前業界常用電晶體密度來衡量制程水平，英特爾最新10nm製程的電晶體密度堪比三星 EUV版本7nm製程。

英特爾發揮IDM優勢，最佳化電路設計達到比肩三星 7nm EUV微縮效果

英特爾展示第三代10nm技術，向市場展現EUV並非製程微縮至10nm的必要條件，因此單就設計開發能力英特爾仍維持領先水平，臺積電則因多年來服務代工客戶的經驗累積出完善的設計規範有助於客戶快速客製化晶片，最重要的是其穩定的良率表現深受客戶信賴。

三星則傾向挑戰領先同業採用EUV，以此提升自身製程技術來吸引客戶投單，然而從英特爾採用EUV的保守態度來看，EUV很可能仍有其不穩定因素存在，三星能否駕馭EUV仍是一下挑戰，在此狀況下，客戶傾向採用能快速客製化良率穩定的臺積電機會最高。