PIN型光電二極體也稱PIN結二極體、PIN二極體，在兩種半導體之間的 PN接面，或者半導體與金屬之間的結的鄰近區域，在P區與N區之間生成I型層，吸收光輻射而產生光電流的一種光檢測器。具有結電容小、渡越時間短、靈敏度高等優點。

工作原理

在上述的光電二極體的PN接面中間摻入一層濃度很低的N型半導體，就可以增大耗盡區的寬度，達到減小擴散運動的影響，提高響應速度的目的。由於這一摻入層的摻雜濃度低，近乎本徵（Intrinsic）半導體，故稱I層，因此這種結構成為PIN光電二極體。I層較厚，幾乎佔據了整個耗盡區。絕大部分的入射光在I層內被吸收併產生大量的電子-空穴對。在I層兩側是摻雜濃度很高的P型和N型半導體，P層和N層很薄，吸收入射光的比例很小。因而光產生電流中漂移分量佔了主導地位，這就大大加快了響應速度。

光敏二極體工作原理：光敏二極體是將光訊號變成電訊號的半導體器件。它的核心部分也是一個PN接面，和普通二極體相比，在結構上不同的是，為了便於接受入射光照，PN接面面積儘量做的大一些，電極面積儘量小些，而且PN接面的結深很淺，一般小於1微米。

光敏二極體是在反向電壓作用之下工作的。沒有光照時，反向電流很小（一般小於0.1微安），稱為暗電流。當有光照時，攜帶能量的光子進入PN接面後，把能量傳給共價鍵上的束縛電子，使部分電子掙脫共價鍵，從而產生電子---空穴對，稱為光生載流子。

光敏二極體是將光訊號變成電訊號的半導體器件。它的核心部分也是一個PN接面，和普通二極體相比，在結構上不同的是，為了便於接受入射光照，PN接面面積儘量做的大一些，電極面積儘量小些，而且PN接面的結深很淺，一般小於1微米。光敏二極體是在反向電壓作用之下工作的。沒有光照時，反向電流很小（一般小於0.1微安），稱為暗電流。當有光照時，攜帶能量的光子進入PN接面後，把能量傳給共價鍵上的束縛電子，使部分電子掙脫共價鍵，從而產生電子---空穴對，稱為光生載流子。它們在反向電壓作用下參加漂移運動，使反向電流明顯變大，光的強度越大，反向電流也越大。這種特性稱為“光電導”。光敏二極體在一般照度的光線照射下，所產生的電流叫光電流。如果在外電路上接上負載，負載上就獲得了電訊號，而且這個電訊號隨著光的變化而相應變化。