大功率是指輸出能力強悍，其電壓引數和電流引數都比較大，器件工作時的可以承受較高工作電壓和電流，這樣的器件其輸出功率值相比會非常大的。

我們說的半導體是指矽半導體，其包括有二極體，三極體，MOS管，以及積體電路等等；在特殊電路應用中經常會用到這種大功率半導體零件：

比如大功率二極體可以用來做電源的整流輸出，可以滿足對電源大電流高電壓的應用場合！

再比如大功率三極體和大功率MOS都可以用來控制大功率負載，三極體和MOS管都屬於放大特性半導體器件。

而某些積體電路也會根據需要其內部會整合有大功率二極體三極體或者MOS管，其作用同樣也是為了達到並滿足大功率輸出或輸入的目的！

所以要想挑選合適的大功率半導體器件，首先要察看其規格引數，再挑選出合適的零件；我們常用的做法是半導體器件額定電流比負載電流要大的，半導體器件的耐壓比工作時的電壓要高的，總之每項引數都留要有一定的餘量才可以使用。

70年代中期，大功率電晶體和功率MOSFET問世，功率器件實現了場控功能，打開了高頻應用的大門。80年代，絕緣柵雙極電晶體（IGBT）問世，它綜合了功率MOSFET和雙極型功率電晶體兩者的功能。

因此，當前功率器件研究工作的重點主要集中在研究現有功率器件的整合效能，MOS門控電晶體的改進，以及採用新型半導體材料製造新型的功率器件等。 瑞士ABB半導體公司是ABB集團的全資子公司，是世界上最著名的大功率半導體生產商之一。西安賽晶電子科技責任有限公司是瑞士ABB半導體公司在中國的首家代理，本公司在為客戶提供先進的大功率半導體器件的同時，以西安電力電子技術研究所為其堅強的技術後盾，為客戶提供較強的技術支援和服務。

一 大功率半導體器件的最新發展 1．普通閘流體(PCT) PCT自問世以來，其功率容量已提高了近3000倍。現在許多國家已能穩定生產Φ100mm，8000V/4000A的閘流體。日本現在已能穩定生產8000V/4000A和6000V/6000A的光觸發閘流體。近十幾年來，由於自關斷器件的飛速發展，閘流體的應用領域有所縮小，但是，由於它的高電壓、大電流特性，它在HVDC，靜止無功補償（SVC），大功率直流電源及超大功率和高壓變頻調速等方面仍然佔有十分重要的地位。預計在今後若干年內，閘流體仍將在高電壓、大電流應用場合得到繼續發展。

門極可關斷閘流體(GTO) 1982年日本日立公司首先研製成功2500V,1000A的GTO。許多的生產商可提供額定開關功率36MVA(6000V,6000A)用的高壓大電流GTO。為了折衷它的導通、開通和關斷特性，傳統GTO的典型的關斷增量僅為3-5。GTO關斷期間的不均勻性使GTO關斷期間dv/dt必須限制在500-1000v/μs。

為此,人們不得不使用體積大、笨重、昂貴的吸收電路。它的其他缺點是門極驅動電路較複雜和要求較大的驅動功率。但是，高的導通電流密度、高的阻斷電壓、阻斷狀態下高的dv/dt耐量和 有可能在內部整合一個反並二極體，這些突出的優點仍使人們對GTO感興趣。

到目前為止，傳統的 GTO在高壓（VBR>3300V）/大功率（0.5-20MVA）牽引、工業和電力逆變器中是應用得最為普遍得門控功率半導體器件。目前，GTO的最高研究水平為6英寸、6000V/6000A及9000V/10000A

大功率半導體是指能承受高電壓和大電流的半導體元件，可以理解為電流透過半導體本身產生的電壓降與透過它電流的乘積，實際是耗散功率，額定耗散功率越大，說明它的承載的電壓或電流越大。

大功率半導體器件一般是指電壓等級在1200V以上，電流在300A以上的開關器件，包括大功率二極體、閘流體、GTO、IGBT、IGCT、ETO等，900V以上的mosfet也可稱為大功率器件，但是要看相應的電流等級。這些器件基本上是以矽材料為基礎，經過不同的工藝生產條件生產出來。按照其功能分類，可為全控型器件和半控型器件，全控型如IGBT、IGCT、ETO等，就是透過門極可以控制器件的開通與關斷，半控型器件的代表就是閘流體，只能控制開通，而不能控制關斷。