三極體都有一個飽和導通壓降，大約0.2~0.3V。加上S8550的放大倍數原因，B極1K時，三極體在不飽合狀態，壓降更大。這個電路最好是用NPN管，LED接在電源+那邊。還要選放大倍數大一點的管子，單管的話，最好得有150倍以上，

單管GTR　　NPN三重擴散檯面型結構是單管GTR的典型結構，這種結構可靠性高，能改善器件的二次擊穿特性，易於提高耐壓能力，並易於散出內部熱量。{{分頁}}2、 達林頓GTR　　達林頓結構的GTR是由2個或多個電晶體複合而成，可以是PNP型也可以是NPN型，其性質取決於驅動管，它與普通複合三極體相似。達林頓結構的GTR電流放大倍數很大，可以達到幾十至幾千倍。雖然達林頓結構大大提高了電流放大倍數，但其飽和管壓降卻增加了，增大了導通損耗，同時降低了管子的工作速度

兩級放大器的放大倍數是第一級和第二級放大倍數的乘積：A=A1×A2。集電極電阻的作用是兩個，一個是提供放大器合適的工作點Q值另外就是取得最大的放大倍數增益，因為放大倍數公式裡面RC//RL=RL`是放在分子上面的。

RE的作用是取得穩定工作點的直流負反饋減少漂移，由於有CE的存在使得RE對於交流訊號沒有作用了所以他不影響放大倍數。