場效電晶體和三極體的功能、作用一樣，可以用於放大、振盪、開關電路。

N溝道場效電晶體和NPN三極體類似，工作條件是在柵極加正向極性控制電壓，在漏極加正極性電源電壓，改變柵極電壓就可以改變漏極與源極之間的電流大小。

P溝道場效電晶體和PNP三極體類似，工作條件是在柵極加負極性控制電壓，在漏極加負向極性電源電壓，改變柵極電壓就可以改變漏極與源極之間的電流大小。

目前應用比較廣泛的是N溝道場效電晶體，就像三極體NPN型應用比較多一樣。

是低電平。NPN高電平時導通，PNP低電平時導通；

三極體只是電晶體的一種，電晶體包括二極體、三極體、場效電晶體、達林頓管等等；B是三極體的基極，C是集電極，E是發射極。

截止區的條件：只要Ugs小於開啟電壓即可。場效電晶體一般工作在開關狀態，即在飽和和截止區之間轉換。具體要求一般是：柵極（G）與源極（S）之間的電壓高於開啟電壓（Ugs(th)，場效電晶體的datasheet裡面有，一般是2-4V），又小於8V左右時，漏源電壓（UDS）小於漏源擊穿電壓（BUDS）時，場效電晶體可以工作在飽和區。

場效電晶體場效應電晶體（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效電晶體。主要有兩種型別（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效電晶體（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。