該值就是“3-4-4-8”記憶體時序引數中的第2個引數，即第1個4。RAS# to CAS# Delay(也被描述為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行定址到列定址延遲時間"，數值越小，效能越好。對記憶體進行讀、寫或重新整理操作時，需要在這兩種脈衝訊號之間插入延遲時鐘週期。在JEDEC規範中，它是排在第二的引數，降低此延時，可以提高系統性能。建議該值設定為3或2，但如果該值設定太低，同樣會導致系統不穩定。該值為4時，系統將處於最穩定的狀態，而該值為5，則太保守。
該值就是該值就是“3-4-4-8”記憶體時序引數中的最後一個引數，即8。Min RAS# Active Time (也被描述為：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“記憶體行有效至預充電的最短週期”，調整這個引數需要結合具體情況而定，一般我們最好設在5－10之間。這個引數要根據實際情況而定，並不是說越大或越小就越好。
Write Recovery Time (tWD)，表示“寫恢復延時”。該值說明在一個啟用的bank中完成有效的寫操作及預充電前，必須等待多少個時鐘週期。這段必須的時鐘週期用來確保在預充電發生前，寫緩衝中的資料可以被寫進記憶體單元中。同樣的，過低的tWD雖然提高了系統性能，但可能導致資料還未被正確寫入到記憶體單元中，就發生了預充電操作，會導致資料的丟失及損壞。
一種引數，一般儲存在記憶體條的SPD上。2-2-2-8 4個數字的含義依次為：CAS Latency（簡稱CL值）記憶體CAS延遲時間，他是記憶體的重要引數之一，某些牌子的記憶體會把CL值印在記憶體條的標籤上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），記憶體行地址傳輸到列地址的延遲時間。Row－precharge Delay（tRP），記憶體行地址選通脈衝預充電時間。Row－active Delay（tRAS），記憶體行地址選通延遲。這是玩家最關注的4項時序調節，在大部分主機板的BIOS中可以設定，記憶體模組廠商也有計劃的推出了低於JEDEC認證標準的低延遲型超頻記憶體模組，在同樣頻率設定下，最低“2-2-2-5”這種序列時序的記憶體模組確實能夠帶來比“3-4-4-8”更高的記憶體效能，幅度在3至5個百分點。
在一些技術文章裡介紹記憶體設定時序引數時，一般數字“A-B-C-D”分別對應的引數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，現在你該明白“2-3-3-6”是什麼意思了吧？！^_^下面就這幾個引數及BIOS設定中影響記憶體效能的其它引數逐一給大家作一介紹：
一、記憶體延遲時序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的設定
首先，需要在BIOS中開啟手動設定，在BIOS設定中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS設定中可能出現的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，將其值設為“Menual”（視BIOS的不同可能的選項有：On/Off或Enable/Disable），如果要調整記憶體時序，應該先開啟手動設定，之後會自動出現詳細的時序引數列表：
Command Per Clock(CPC)
可選的設定：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻譯為：首命令延遲)，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由於目前的DDR記憶體的定址，先要進行P-Bank的選擇（透過DIMM上CS片選訊號進行），然後才是L-Bank/行啟用與列地址的選擇。這個引數的含義就是指在P-Bank選擇完之後多少時間可以發出具體的定址的L-Bank/行啟用命令，單位是時鐘週期。
顯然，也是越短越好。但當隨著主機板上記憶體模組的增多，控制晶片組的負載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩定性。因此當你的記憶體插得很多而出現不太穩定的時間，才需要將此引數調長。目前的大部分主機板都會自動設定這個引數。
該引數的預設值為Disable(2T)，如果玩家的記憶體質量很好，則可以將其設定為Enable(1T)。
CAS Latency Control(tCL)
可選的設定：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。
一般我們在查閱記憶體的時序引數時，如“3-4-4-8”這一類的數字序列，上述數字序列分別對應的引數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。這個3就是第1個引數，即CL引數。
CAS Latency Control(也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“記憶體讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間”。CAS控制從接受一個指令到執行指令之間的時間。因為CAS主要控制十六進位制的地址，或者說是記憶體矩陣中的列地址，所以它是最為重要的引數，在穩定的前提下應該儘可能設低。
記憶體是根據行和列定址的，當請求觸發後，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），預充電後，記憶體才真正開始初始化RAS。一旦tRAS啟用後，RAS（Row Address Strobe ）開始進行需要資料的定址。首先是行地址，然後初始化tRCD，週期結束，接著透過CAS訪問所需資料的精確十六進位制地址。期間從CAS開始到CAS結束就是CAS延遲。所以CAS是找到資料的最後一個步驟，也是記憶體引數中最重要的。
這個引數控制記憶體接收到一條資料讀取指令後要等待多少個時鐘週期才實際執行該指令。同時該引數也決定了在一次記憶體突發傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時鐘週期數。這個引數越小，則記憶體的速度越快。必須注意部分記憶體不能執行在較低的延遲，可能會丟失資料，因此在提醒大家把CAS延遲設為2或2.5的同時，如果不穩定就只有進一步提高它了。而且提高延遲能使記憶體執行在更高的頻率，所以需要對記憶體超頻時，應該試著提高CAS延遲。
該引數對記憶體效能的影響最大，在保證系統穩定性的前提下，CAS值越低，則會導致更快的記憶體讀寫操作。CL值為2為會獲得最佳的效能，而CL值為3可以提高系統的穩定性。注意，WinbondBH-5/6晶片可能無法設為3。
RAS# to CAS# Delay(tRCD)
可選的設定：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
該值就是“3-4-4-8”記憶體時序引數中的第2個引數，即第1個4。RAS# to CAS# Delay(也被描述為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行定址到列定址延遲時間"，數值越小，效能越好。對記憶體進行讀、寫或重新整理操作時，需要在這兩種脈衝訊號之間插入延遲時鐘週期。在JEDEC規範中，它是排在第二的引數，降低此延時，可以提高系統性能。建議該值設定為3或2，但如果該值設定太低，同樣會導致系統不穩定。該值為4時，系統將處於最穩定的狀態，而該值為5，則太保守。
如果你的記憶體的超頻效能不佳，則可將此值設為記憶體的預設值或嘗試提高tRCD值。
Min RAS# Active Timing(tRAS)
可選的設定：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。
該值就是該值就是“3-4-4-8”記憶體時序引數中的最後一個引數，即8。Min RAS# Active Time (也被描述為：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“記憶體行有效至預充電的最短週期”，調整這個引數需要結合具體情況而定，一般我們最好設在5－10之間。這個引數要根據實際情況而定，並不是說越大或越小就越好。
如果tRAS的週期太長，系統會因為無謂的等待而降低效能。降低tRAS週期，則會導致已被啟用的行地址會更早的進入非啟用狀態。如果tRAS的週期太短，則可能因缺乏足夠的時間而無法完成資料的突發傳輸，這樣會引發丟失資料或損壞資料。該值一般設定為CAS latency + tRCD + 2個時鐘週期。如果你的CAS latency的值為2，tRCD的值為3，則最佳的tRAS值應該設定為7個時鐘週期。為提高系統性能，應儘可能降低tRAS的值，但如果發生記憶體錯誤或系統宕機，則應該增大tRAS的值。
如果使用DFI的主機板，則tRAS值建議使用00，或者5-10之間的值。
Row Precharge Timing(tRP)
可選的設定：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
該值就是“3-4-4-8”記憶體時序引數中的第3個引數，即第2個4。Row Precharge Timing (也被描述為：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"記憶體行地址控制器預充電時間"，預充電引數越小則記憶體讀寫速度就越快。
tRP用來設定在另一行能被啟用之前，RAS需要的充電時間。tRP引數設定太長會導致所有的行啟用延遲過長，設為2可以減少預充電時間，從而更快地啟用下一行。然而，想要把tRP設為2對大多數記憶體都是個很高的要求，可能會造成行啟用之前的資料丟失，不能順利地完成讀寫操作。對於桌面計算機來說，推薦預充電引數的值設定為2個時鐘週期，這是最佳的設定。如果比此值低，則會因為每次啟用相鄰緊接著的bank將需要1個時鐘週期，這將影響DDR記憶體的讀寫效能，從而降低效能。只有在tRP值為2而出現系統不穩定的情況下，將此值設定為3個時鐘週期。
如果使用DFI的主機板，則tRP值建議2-5之間的值。值為2將獲取最高的效能，該值為4將在超頻時獲取最佳的穩定性，同樣的而該值為5，則太保守。大部分記憶體都無法使用2的值，需要超頻才可以達到該引數。
Row Cycle Time(tRC)
可選的設定：Auto，7-22，步幅值1。
Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行週期時間”，它是包括行單元預充電到啟用在內的整個過程所需要的最小的時鐘週期數。
其計算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，設定該引數之前，你應該明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的時間過長，會因在完成整個時鐘週期後啟用新的地址而等待無謂的延時，而降低效能。然後一旦該值設定過小，在被啟用的行單元被充分充電之前，新的週期就可以被初始化。
在這種情況下，仍會導致資料丟失和損壞。因此，最好根據tRC = tRAS + tRP進行設定，如果你的記憶體模組的tRAS值是7個時鐘週期，而tRP的值為4個時鐘週期，則理想的tRC的值應當設定為11個時鐘週期。
Row Refresh Cycle Time(tRFC)
可選的設定：Auto，9-24，步幅值1。
Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行重新整理週期時間”，它是行單元重新整理所需要的時鐘週期數。該值也表示向相同的bank中的另一個行單元兩次傳送重新整理指令(即：REF指令)之間的時間間隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。
如果使用DFI的主機板，通常tRFC的值不能達到9，而10為最佳設定，17-19是建議值。建議從17開始依次遞減來測試該值。大多數穩定值為tRC加上2-4個時鐘週期。
Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD)
可選的設定：Auto， 0-7，每級以1的步幅遞增。
Row to Row Delay，也被稱為RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行單元到行單元的延時"。該值也表示向相同的bank中的同一個行單元兩次傳送啟用指令(即：REF指令)之間的時間間隔。tRRD值越小越好。
延遲越低，表示下一個bank能更快地被啟用，進行讀寫操作。然而，由於需要一定量的資料，太短的延遲會引起連續資料膨脹。於桌面計算機來說，推薦tRRD值設定為2個時鐘週期，這是最佳的設定，此時的資料膨脹可以忽視。如果比此值低，則會因為每次啟用相鄰緊接著的bank將需要1個時鐘週期，這將影響DDR記憶體的讀寫效能，從而降低效能。只有在tRRD值為2而出現系統不穩定的情況下，將此值設定為3個時鐘週期。
如果使用DFI的主機板，則tRRD值為00是最佳效能引數，4時能達到最高的頻率。通常2是最合適的值，00看上去很奇怪，但有人也能穩定執行在00-260MHz。
Write Recovery Time(tWR)
可選的設定：Auto，2，3。
Write Recovery Time (tWD)，表示“寫恢復延時”。該值說明在一個啟用的bank中完成有效的寫操作及預充電前，必須等待多少個時鐘週期。這段必須的時鐘週期用來確保在預充電發生前，寫緩衝中的資料可以被寫進記憶體單元中。同樣的，過低的tWD雖然提高了系統性能，但可能導致資料還未被正確寫入到記憶體單元中，就發生了預充電操作，會導致資料的丟失及損壞。
如果你使用的是DDR200和266的記憶體，建議將tWR值設為2；如果使用或DDR400，則將tWD值設為3。如果使用DFI的主機板，則tWR值建議為2。
Write to Read Delay(tWTR)
可選的設定：Auto，1，2。
Write to Read Delay (tWTR)，表示“讀到寫延時”。三星公司稱其為“TCDLR (last data in to read command)”，即最後的資料進入讀指令。它設定向DDR記憶體模組中的同一個單元中，在最後一次有效的寫操作和下一次讀操作之間必須等待的時鐘週期。
tWTR值為2在高時鐘頻率的情況下，降低了讀效能，但提高了系統穩定性。這種情況下，也使得記憶體晶片運行於高速度下。換句話說，增加tWTR值，可以讓內容模組運行於比其預設速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，則將tWTR值設為1；如果使用DDR400，則也可試著將tWTR的值設為1，如果系統不穩定，則改為2。
Refresh Period(tREF)
可選的設定：Auto， 0032-4708，其步進值非固定。
Refresh Period (tREF)，表示“重新整理週期”。它指記憶體模組的重新整理週期。
先請看不同的引數在相同的記憶體下所對應的重新整理週期(單位：微秒，即：一百萬分之一秒)。?號在這裡表示該重新整理週期尚無對應的準確資料。
1552= 100mhz 2064= 133mhz 2592= 166mhz 3120= 200mhz ---------------------
3632= 100mhz 4128= 133mhz
4672= 166mhz
0064= 200mhz
---------------------
0776= 100mhz 1032= 133mhz 1296= 166mhz 1560= 200mhz
---------------------
1816= 100mhz 2064= 133mhz 2336= 166mhz 0032= 200mhz ---------------------
0388= 100mhz(15.6us)
0516= 133mhz(15.6us)
0648= 166mhz(15.6us)
0780= 200mhz(15.6us)
---------------------
0908= 100mhz(7.8us)
1032= 133mhz(7.8us)
1168= 166mhz(7.8us)
0016= 200mhz(7.8us)
---------------------
1536= 100mhz(3.9us)
2048= 133mhz(3.9us)
2560= 166mhz(3.9us)
3072= 200mhz(3.9us)
---------------------
3684= 100mhz(1.95us)
4196= 133mhz(1.95us)
4708= 166mhz(1.95us)
0128= 200mhz(1.95us)
如果採用Auto選項，主機板BIOS將會查詢記憶體上的一個很小的、名為“SPD”(Serial Presence Detect )的晶片。SPD儲存了記憶體條的各種相關工作引數等資訊，系統會自動根據SPD中的資料中最保守的設定來確定記憶體的執行引數。如過要追求最優的效能，則需手動設定重新整理週期的引數。一般說來，15.6us適用於基於128兆位記憶體晶片的記憶體（即單顆容量為16MB的記憶體），而7.8us適用於基於256兆位記憶體晶片的記憶體（即單顆容量為32MB的記憶體）。注意，如果tREF重新整理週期設定不當，將會導致記憶體單元丟失其資料。
另外根據其他的資料顯示，記憶體儲存每一個bit，都需要定期的重新整理來充電。不及時充電會導致資料的丟失。DRAM實際上就是電容器，最小的儲存單位是bit。陣列中的每個bit都能被隨機地訪問。但如果不充電，資料只能儲存很短的時間。因此我們必須每隔15.6us就重新整理一行。每次重新整理時資料就被重寫一次。正是這個原因DRAM也被稱為非永久性儲存器。一般透過同步的RAS-only的重新整理方法（行重新整理），每行每行的依次重新整理。早期的EDO記憶體每重新整理一行耗費15.6us的時間。因此一個2Kb的記憶體每列的重新整理時間為15.6?s x2048行=32ms。