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積體電路2003的引數輸出電壓24v
積體電路utc 2003,是一種微型電子器件或部件。採用一定的工藝,把一個電路中所需的電晶體、電阻、電容和電感等元件及佈線互連一起,製作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上,然後封裝在一個管殼內,成為具有所需電路功能的微型結構;其中所有元件在結構上已組成一個整體,使電子元件向著微小型化、低功耗、智慧化和高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母“IC”表示。積體電路發明者為傑克·基爾比(基於鍺(Ge)的積體電路)和羅伯特·諾伊斯(基於矽(Si)的積體電路)。當今半導體工業大多數應用的是基於矽的積體電路。
最大額定值 Tamb=25
引數名稱 符號 極限值 單位
電源峰值電壓(50mS) Vccp 40 V
直流電源電壓 Vcc 28 V
工作電源電壓 Vcc 18 V
輸出重複峰值電壓 Io 3.5 A
輸出不重複峰值電壓 Io 4.5 A
功耗 T=90 PD 20 W
儲存溫度 Tstg -40 +150度
焊接溫度 Tj -40 +150 度
電特性引數 除非特別說明 V=16.5V f=1kHz Tamb=25
引數名稱 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
電源電壓 Vcc 8 18 V
靜態輸出端電壓 Vo 6.1 6.9 7.7 V
靜態電流 Iccq 44 50 mA 輸出功率 Po THD=10% RL=4 5.5 6 W
THD=10% RL =2 9 10
THD=10% RL =3.2 7.5
THD=10% RL =1.6 12
輸出靈敏度 Vi Po=0.5W RL =4 14 mV Po=6W RL =4 55
Po=0.5W RL =2 10
Po=10W RL =2 50
最大輸入電壓 Vim 300 mV 頻響 BW Po=1W, RL =4 40 15000 Hz 失真度 THD Po=0.05 4.5W, RL =4 0.15 %
Po=0.05 7.5W, RL =2 0.15 %
輸入阻抗 Zi 開環 70 150 k
輸入噪聲電壓 VNI 1 5 V
輸入噪聲電流 INI 60 200 pA
開環增益 Gvo f=1kHz 80 dB
f=10kHz 60 dB
閉環增益 Gv RL =4 39.3 40 40.3 dB
效率 Po=6W RL =4 69 %
Po=10W RL =2 65 %
電源紋波抑制比 RR
f=100Hz Vr=0.5V Rg=10k RL =4 30 36 dB
TDA2003電流輸出能力強,諧波失真和交越失真小,各引腳都有交,直流短路保護,使用安全,負載上電壓可衝至40V.