必然是先進製程晶片。

無論是工程師，還是公司角度，門檻高收益大的產品有更好的發展前途。

先進製程的晶片，流片的NRE成本在那裡， 必然要有大量出貨的產品規劃，有大團隊的投入，才能立項。 從專案規模上，和功率器件晶片，就不在一個層次上。

目前最有希望的便是二硫化鉬（MoS2）。

矽和二硫化鉬（MoS2）都有晶體結構，但是，二硫化鉬對於控制電子的能力要強於矽，眾所周知，電晶體由源極，漏極和柵極，柵極負責電子的流向，它是起開關作用，在1nm的時候，柵極已經很難發揮其作用了，而透過二硫化鉬，則會解決這個問題，而且，二硫化鉬的介電常數非常低，可以將柵極壓縮到1nm完全沒有問題。

1nm是人類半導體發展的重要節點，可以說，能不能突破1nm的魔咒，關乎計算機的發展，雖然二硫化鉬的應用價值非常大，但是，目前還在早期階段，而且，如何批次生產1nm的電晶體還沒有解決，但是，這並不妨礙二硫化鉬在未來積體電路的前景。