電晶體主要分為兩大類：雙極性電晶體(BJT)和場效應電晶體(FET)。

　　電晶體有三個極: 雙極性電晶體的三個極，分別由N型跟P型組成發射極(Emitter)、基極(Base)和集電極(Collector); 場效應電晶體的三個極，分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。電晶體因為有三種極性，所以也有三種的使用方式，分別是發射極接地(又稱共射放大、CE組態)、基極接地(又稱共基放大、CB組態)和集電極接地(又稱共集放大、CC組態、發射極隨隅器)。在雙極性電晶體中，射極到基極的很小的電流，會使得發射極到集電極之間，產生大電流;在場效應電晶體中，在柵極施加小電壓，來控制源極和洩極之間的電流。

都是整合的超微電晶體 一個22奈米工藝的i5可能整合上十億的電晶體

2000年，奔騰4威拉米特，生產工藝為180nm，cpu電晶體數量為4200萬。

　　2010年推出的Corei7≤980X，製作工藝為32nm，電晶體數量為11億6999萬9999個。

　　2013核心i74960X，製造工藝為22nm，電晶體計數為18.6億。