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1 # 使用者360236365909336
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2 # 使用者5267688172994
會。玻璃的主要成分是矽(Si) +4價非金屬單質 既不容易失電子 也不容易得電子 所以不容易和常有的酸和鹼反應.，但是氫氟酸 和氟化氫和強鹼溶液是可以溶解玻璃的，被腐蝕。
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3 # 依然72525
玻璃會被氫氟酸腐蝕。
氫氟酸能夠溶解很多其他酸都不能溶解的玻璃（主要成分：二氧化矽），生成氣態的四氟化矽反應方程式如下：SiO₂(s)+4HF(aq)=SiF₄(g)↑+2H₂O(l)
蝕刻玻璃，蝕刻玻璃是利用蝕刻劑（氫氟酸）來腐蝕刻制的玻璃，有文字或圖案、花紋的蝕刻玻璃作為裝飾品，美觀大方，是建築裝飾常用的一種玻璃製品。
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4 # 朝氣蓬勃的鈴鐺
不是可逆反應。
二氧化矽和氫氧根離子反應不是可逆反應。
矽酸鈣熔點1540度,說明至少在這個溫度下矽酸鈣也只是熔融而不會分解,但並不說明矽酸鈣一定不會分解,只要加熱的溫度足夠高,能打破其中的離子鍵和共價鍵,還是能夠分解的.而且就算能分解也並不表明氧化鈣和二氧化矽的化合是可逆反應,只是化合和分解的溫度不同罷了,就像氫氣和氧氣點燃能生成水,而水在2000度(或者是4000度?總之是很高的溫度)下又會分解為氫氣和氧氣,但總不能說氫氣氧氣反應生成水是可逆反應吧.
描述了一種從矽和二氧化矽中去除氮化矽層的高選擇性幹法刻蝕工藝，並對其機理進行了研究。
與傳統的Si3N4去除工藝相比，這種新工藝採用遠距離O2 /N2放電，CF4或NF3作為氟源的流量小得多。
對於作為氟源的CF4，Si3N4的蝕刻速率達到超過30奈米/分鐘，同時Si3N4與多晶矽的蝕刻速率比高達40，並且二氧化矽根本沒有被蝕刻。
對於作為氟源的NF3，實現了50奈米/分鐘的Si3N4蝕刻速率，而對多晶矽和二氧化矽的蝕刻速率比分別約為100和70。
原位橢偏法顯示在多晶矽頂部形成約10奈米厚的反應層。該氧化的反應層抑制了反應性氣相物質與矽的蝕刻反應。