一、定義

第三代半導體，就是以氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）、氧化鋅（ZnO）和金剛石為代表的半導體材料，其中技術較為成熟、應用較多的主要是氮化鎵和碳化矽。它是一種常溫下導電性介於導體和絕緣體之間的材料。

二、特點

第三代半導體材料禁頻寬度更寬、導熱係數高、抗輻射效能好、電子飽更大和漂移速率更高。

三、應用

第三代半導體材料具有較好的電子密度和運動控制能力，更適用於製造高溫、高頻、抗輻射和大功率電子器件，在光電子和微電子領域具有重要的應用價值。目前，市場熱點5G基站、新能源車和快速充電是第三代半導體的重要應用場所。

拓展

1.矽和鍺是第一代半導體。它們也是積體電路領域中使用最廣泛的，並廣泛應用於計算機、行動電話和電視等電子裝置。尤其是矽，是所有邏輯器件的基礎，我們的CPU和GPU演算法的實現離不開矽。

2.砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是第二代半導體，第二代半導體主要用於行動通訊、衛星通訊和導航。砷化鎵在射頻功率放大器裝置中起著關鍵的作用，而磷化銦則廣泛應用於光通訊裝置中。

第三代半導體指以氮化鎵、碳化矽為代表的化合物半導體，還包括氧化鋅和金剛石材料。第三代半導體材料具有高頻、高效、高功率、耐高壓、抗輻射等諸多優勢特性，在5G、新能源汽車、消費電子、新一代顯示、航空航天等領域有重要應用。目前用在充電樁、光伏等領域的核心部件上，這些領域都是國家重點發展的方向。

以碳化矽(SiC) 、氮化鎵( GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶半導體材料稱為第三代半導體材料。