、主體不同

1、場效應：V型槽MOS場效電晶體。是繼MOSFET之後新發展起來的高效、功率開關器件。

2、MOS管：金屬-氧化物-半導體型場效電晶體屬於絕緣柵型。

二、特性不同

1、場效應：不僅繼承了MOS場效電晶體輸入阻抗高（≥108W）、驅動電流小（左右0.1μA左右），還具有耐壓高（最高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導的線性好、開關速度快等優良特性。

2、MOS管：主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化矽絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達1015Ω）。

三、規則不同

1、場效應：將電子管與功率電晶體之優點集於一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用。

2、MOS管：當VGS=0時管子是呈截止狀態，加上正確的VGS後，多數載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區域的載流子，形成導電溝道。

他們的區別就是前者的效能要比後者的效能更加差勁一些，因為前者僅僅採用的是聯發科天璣800u處理器，而後者採用的是高通驍龍778g處理器，前者的跑分僅僅只有三十多萬分，而後者跑分達到了五十多萬分。後者的效能要比前者提升了30%左右。