一、用途

光刻機是晶片製造的核心裝置之一，按照用途可以分為好幾種：有用於生產晶片的光刻機；有用於封裝的光刻機；還有用於LED製造領域的投影光刻機。

用於生產晶片的光刻機是中國在半導體裝置製造上最大的短板，國內晶圓廠所需的高階光刻機完全依賴進口，本次廈門企業從荷蘭進口的光刻機就是用於晶片生產的裝置。

二、工作原理

在加工晶片的過程中，光刻機透過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經物鏡補償各種光學誤差，將線路圖成比例縮小後對映到矽片上，然後使用化學方法顯影，得到刻在矽片上的電路圖。

一般的光刻工藝要經歷矽片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對準曝光、後烘、顯影、硬烘、鐳射刻蝕等工序。經過一次光刻的晶片可以繼續塗膠、曝光。越複雜的晶片，線路圖的層數越多，也需要更精密的曝光控制過程。

euv光刻機原理是接近或接觸式光刻透過無限靠近，複製掩模板上的圖案；直寫式光刻是將光束聚焦為一點，透過運動工件臺或鏡頭掃描實現任意圖形加工。投影式光刻因其高效率、無損傷的優點，是積體電路主流光刻技術。

該技術的原理便是透過水的折射作用將光源波長變短，也就是將193nm光源折射為134nm光源，這樣就能實現光刻機整體工藝的升級，達到最高可生產10nm級別晶片的能力。

　　光刻技術的原理積體電路製造中利用光學-化學反應原理和化學、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質層上，形成有效圖形視窗或功能圖形的工藝技術。隨著半導體技術的發展，光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個數量級（從毫米級到亞微米級），已從常規光學技術發展到應用電子束、X射線、微離子束、鐳射等新技術；使用波長已從4000埃擴充套件到0.1埃數量級範圍。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。　　光刻技術是在一片平整的矽片上構建半導體MOS管和電路的基礎，這其中包含有很多步驟與流程。首先要在矽片上塗上一層耐腐蝕的光刻膠，隨後讓強光透過一塊刻有電路圖案的鏤空掩模板（MASK）照射在矽片上。被照射到的部分(如源區和漏區)光刻膠會發生變質，而構築柵區的地方不會被照射到，所以光刻膠會仍舊粘連在上面。接下來就是用腐蝕性液體清洗矽片，變質的光刻膠被除去，露出下面的矽片，而柵區在光刻膠的保護下不會受到影響。隨後就是粒子沉積、掩膜、刻線等操作，直到最後形成成品晶片（WAFER）。