igbt開通和關斷:在igbt的門極載入一個正向電壓igbt導通，在它的門極載入一個負向電壓Igbt關斷。

通態損耗是器件功率損耗的主要成因。器件開關頻率較高時，開關損耗可能成為器件功率損耗的主要因素。 驅動：與電力MOSFET基本相同，場控器件，通斷由柵射極電壓uGE決定。導通： uGE大於開啟電壓UGE(th)時，MOSFET內形成溝道，為電晶體提供基極電流，IGBT導通。通態壓降：電導調製效應使電阻RN減小，使通態壓降減小。關斷：柵射極間施加反壓或不加訊號時，MOSFET內的溝道消失，電晶體的基極電流被切斷，IGBT關斷

由於IGBT在發生短路後是不允許過快地關斷，因為此時短路電流已相當大，如果立即過快關斷會造成很大的di/dt，這線上路分佈電感的作用下會在IGBT上產生過高的衝擊電壓，極易損壞元件。

所以在發生短路後，首先應透過減小柵極正偏置電壓，使短路電流得以抑制，接著再關斷IGBT，這就是所謂“慢關斷技術”，這一功能在某些公司生產的模組中已有應用。