閘流體導通的條件是，閘流體承受正向陽極電壓時，僅在門極承受正向電壓的情況下閘流體才導通。　　 維持閘流體導通的條件是，閘流體在導通情況下，只要有一定的正向陽極電壓，不論門極電壓如何，閘流體保持導通，即閘流體導通後，門極失去作用。　　 閘流體在導通情況下，當主迴路電壓（或電流）減小到接近於零時，閘流體關斷。

IGBT是場控器件，它的開通和關斷由柵極和發射極間的電壓uGE決定，當uGE為正，且大於開啟電壓UGE(th)時，IGBT就可以導通；當柵極與發射極間施加反向電壓或者不加訊號時，IGBT就被關斷。

IGBT就是一個開關，非通即斷，如何控制他的通還是斷，就是靠的是柵源極的電壓，當柵源極加+12V（大於6V，一般取12V到15V）時IGBT導通，柵源極不加電壓或者是加負壓時，IGBT關斷，加負壓就是為了可靠關斷。

　　IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。

　　IGBT有三個端子，分別是G，D，S，在G和S兩端加上電壓後，內部的電子發生轉移（半導體材料的特點，這也是為什麼用半導體材料做電力電子開關的原因），本來是正離子和負離子一一對應，半導體材料呈中性，但是加上電壓後，電子在電壓的作用下，累積到一邊，形成了一層導電溝道，因為電子是可以導電的，變成了導體。如果撤掉加在GS兩端的電壓，這層導電的溝道就消失了，就不可以導電了，變成了絕緣體。

igbt器件的發射極和柵極之間是絕緣的二氧化矽結構，直流電不能透過，因而低頻的靜態驅動功率接近於零。

但是柵極和發射極之間構成了一個柵極電容CGs，因而在高頻率的交替導通和關斷時需要一定的動態驅動功率。

小功率igbt的CGs一般在10~l00pF之內，對於大功率的絕緣柵功率器件，由於柵極電容CGs較大，在1~l00pF，甚至更大，因而需要較大的動態驅動功率。

igbt柵極電壓可由不同的驅動電路產生，柵極驅動電路設計的優劣直接關係到由igbt構成的系統長期執行可靠性。

正向柵極電壓的值應該足夠令igbt產生完全飽和，並使通態損耗減至最小，同時也應限制短路電流和它所帶來的功率應力。

igbt正柵壓VGE越大，導通電阻越低，損耗越小。但是，如果VGE過大，一旦igbt過流，會造成內部寄生閘流體的靜態擎柱效應，造成igbt失效。

相反如果VGE過小，可能會使igbt的工作點落人線性放大區，最終導致器件的過熱損壞。在任何情況下，開通時的柵極驅動電壓，應該在12~20V之間。

當柵極電壓為零時，igbt處於斷態。由於igbt的關斷過程可能會承受很大的dv/dt，伴隨關斷浪湧電流，干擾柵極關斷電壓，可能造成器件的誤開通。

為了保證igbt在集電極-發射極電壓上出現dv/dt噪聲時仍保持關斷，必須在柵極上施加一個反向關斷偏壓，採用反向偏壓還可減少關斷損耗。反向偏壓應該在—5~—15V之間。