回覆列表
-
1 # 小雨yxc
-
2 # 聖玉仙米
宏旺半導體瞭解到,INTEL 1982年推出80286晶片,獨立的記憶體條就誕生了,俗稱SIPP記憶體。在80286主機板剛推出的時候,記憶體條採用了SIMM(Single In-line Memory Modules,單邊接觸記憶體模組)介面,容量為30pin、256kb,必須是由8 片資料位和1 片校驗位組成1 個bank。自1982年PC進入民用市場一直到現在,搭配80286處理器的30pin SIMM 記憶體是記憶體領域的開山鼻祖。
以宏旺半導體推出的8GB DDR4 SODIMM商用系列為例,由專業研發團隊自主開發設計,是一款高效能、高質量的產品,工作電壓為1.2V,工作溫度0℃至70℃,260 - pin SODIMM封裝,2666 Mbps速率,擁有高容量、高效能等優勢,以及可靠性保障,滿足了當前PC、電腦、電視等主流市場的需求。
DDR4 :嚴格的說,DDR4應該叫DDR4 SDRAM,DDR4 SDRAM全稱Double Data Rate Fourth Synchronous Dynamic Random Access Memory,即第四代雙倍資料率同步動態隨機存取儲存器。
早在遙遠的2007年,有關DDR4記憶體標準的一些資訊就被公開。到了2008年8月份,在美國舊金山舉行的英特爾開發者論壇(IDF)上,一位來自奇夢達的演講嘉賓提供了更多關於DDR4的公開資訊。在當年關於DDR4的描述中,DDR4將使用30nm製程,執行1.2V的電壓、常規匯流排時鐘頻率速率在2133MT/s,“發燒”級別將達到3200MT/s,於2012年推出市場,到2013年時執行電壓將改進至1V。
2010年,在東京舉行的MenCon(一個電腦儲存器工業的大會)上,由JEDEC(微電子產業的領導標準機構)主導的題為“Time to rethink DDR4”的技術展示中,更多的DDR4技術資料被公佈。當時以“New roadmap: More realistic roadmap is 2015”為題,公佈了DDR4儲存器標準的新時間線。此次展示,使不少媒體報導DDR4的釋出將會推遲至2015年。
然而到了2011年1月4日,三星電子宣佈完成DDR4 DRAM模組的製造和測試,採用30nm級工藝,資料傳輸率為2133MT/s,運作電壓在1.2V,這也是史上第一條DDR4記憶體。在此之前,三星電子40nm製程的DRAM晶片的成功流片,成為DDR4發展的關鍵。
三個月之後,即2011年4月,海力士宣佈運作2400MT/s速率的2GB DDR4儲存器模組面世,運作電壓同樣在1.2V,同時宣佈預期在2012年下半年開始大批次生產。此後的2012年5月,美光宣佈將在2012年後期使用30奈米制程生產DRAM及快閃記憶體顆粒。
直到2014年,DDR4記憶體才首次得到應用,首款支援DDR4記憶體的是英特爾旗艦級x99平臺,此時,DDR4在效能和價格上於高頻率DDR3相比,並沒有什麼優勢,但當時如果使用者想體驗旗艦級平臺,只能買高價位的DDR4,因為x99只支援DDR4。
DDR4真正走向大眾,其實是在2015年8月份,英特爾釋出Skylake處理器和100系列主機板,自此直到現在,DDR4憑藉其良好的效能和功耗,廣泛活躍於記憶體市場。
到如今,隨著網際網路快速發展,湧現了越來越多的中小型初創企業,在他們辦公和開展線上業務中,少不了一款支援DDR4記憶體伺服器的強有力保障。筆者針對這些企業,挑選了一款合適的塔式伺服器—戴爾PowerEdge T130 ,其小巧靈活,功能強大,足以滿足中小企業辦公使用。