單位是個/每立方米,或者寫成/m³,（其中m³可以換成立方厘米）

單位是個／每立方米，或者寫成／m³,（其中m³可以換成立方厘米）。

定義：單位體積的載流子數目。在室溫無補償存在的條件下等於電離雜質的濃度。

應用學科：材料科學技術（一級學科）；半導體材料（二級學科）；總論（二級學科）。

載流子就是帶有電荷、並可運動而輸運電流的粒子，包括電子、離子等。半導體中的載流子有兩種，即帶負電的自由電子和帶正電的自由空穴。

實際上，空穴也就半導體中的價鍵空位，一個空位的運動就相當於一大群價電子的運動；只不過採用數量較少的空穴這個概念來描述數量很多的價電子的運動要方便得多。所以，從本質上來說，空穴只是一大群價電子的另一種表述而已。

載流子濃度的單位是：原子／cm3。

載流子的濃度 本徵激發和複合在一定溫度下會達到動態平衡，此時，半導體中電子和空穴的濃度不變且相等。 ni=pi 1. 載流子的濃度 一般在室溫條件下(T = 300K)，本徵矽的原子濃度為 4.96×1022 /cm3； 本徵激發產生的自由電子濃度 ni 和空穴濃度 pi為 ni = pi =1.4×1010/cm3； N 型半導體中的自由電子濃度變為 n=5×1016 /cm3。 

霍爾係數RH的公式：Rh＝U*d/IB，U為霍爾電壓，單位mv，d為霍爾元件厚度，單位為μm，I為工作電流，單位為mA，B為磁場強度，單位為T。載流子濃度n的公式：載流子濃度n＝1/|Rh|。

霍爾效應是指當固體導體放置在一個磁場內，且有電流透過時，導體內的電荷載子受到洛倫茲力而偏向一邊，繼而產生電壓（霍爾電壓）的現象。電壓所引致的電場力會平衡洛倫茲力。透過霍爾電壓的極性，可證實導體內部的電流是由帶有負電荷的粒子（自由電子）之運動所造成。

處於熱平衡狀態的半導體，在一定溫度下，載流子濃度是一定的。這種處於熱平衡狀態下的載流子濃度稱為平衡載流子濃度。平衡電子濃度和空穴濃度，在非簡併情況下,它們的乘積滿足n0p0=ni²。

其單位是原子（個）/立方厘米。

載流子指可以自由移動的帶有電荷的物質微粒，如電子和離子。在半導體物理學中，電子流失導致共價鍵上留下的空位（空穴引）被視為載流子。在電場作用下能作定向運動的帶電粒子。如半導體中的自由電子與空穴，導體中的自由電子，電解液中的正、負離子，放電氣體中的離子等。

載流子濃度的單位是：原子／cm3。

載流子密度或載流子濃度是每體積載流子的數量。國際單位制中的單位是m -3。像其他密度一樣，它取決於位置。為了簡化計算，不將電子視為遵循費米分佈的費米粒子，而是將其視為玻耳茲曼分佈給出的經典無相互作用氣體。當時可以忽略這種影響，這對於室溫附近的半導體是正確的。

載流子的濃度是決定半導體電導率大小的主要因素，其單位是原子/cm3。在本徵半導體中，電子和空穴的濃度是相等的。而在含有雜質和晶格缺陷的半導體中，電子和空穴的濃度不相等。把數目較多的載流子叫多數載流子，把數目較少的載流子叫少數載流子，例如，N型半導體中，電子是多數載流子，空穴就是少數載流子，而在P型半導體中正好相反，空穴是多數載流子，電子是少數載流子。