如果說國家對製造中中國產光刻機有承諾，可以說，透過艱辛的努力，已經部分兌現了承諾。

中國正在以時不我待，只爭朝夕的精神，全力攻關。

目前，中中國產90nm光刻機早已商用。

DUV浸潤式光刻機的主要技術已經攻克。65nm、45nm和28nm的DUV光刻機已經實現中中國產化。

但是，製造7奈米以下晶元的最先進的EUV光刻機中中國產化沒有完成。

我們只是實現了該領域的全域進步，部分領域的重大突破。

光刻機主要由投影物鏡（鏡頭）、光源、以及工作臺三個核心系統構成。

荷蘭生產的極紫外光刻機，其鏡頭及其他光學部件來自於德國的蔡司，光源來自於美國的Cymer，雙工作臺由荷蘭公司自己研發製造。

目前，世界上確實沒有任何一個公司能夠模仿他們。

那麼，中國追趕到什麼程度了呢？

一、最大的突破，就是光刻機雙工作臺的成功研發！

在清華大學機械工程系教授朱煜牽頭攻關下，中國華卓精科公司的光刻機雙工作臺研發成功，一舉打破了荷蘭ASML在光刻機雙工作臺技術上的壟斷！

這種雙工件臺，利用磁懸浮電機驅動超精密的成片臺，可以實現奈米級移動精度。可以自豪的說，極紫外光刻機三大件，我們已經有了一大件。

二、極紫外光源的研發，我們獲得了實驗室級的突破。

現在主流的193nmDUV光源已攻克。

中國科益虹源公司自主研發生產的首臺高能準分子鐳射器，填補中國在準分子鐳射技術領域的空白，打破了國外長期市場壟斷。

但最先進的13.5nm EUV光源，只能說中國正在努力，已經出現曙光。

清華大學經過艱苦的努力，一種新型粒子加速器光源已經取得實驗室的突破！

這種光源，可以覆蓋從太赫茲覆蓋到極紫外波段。這種光源最直接的應用方向，就是作為未來EUV光刻機的光源之一。

雖然從實驗室到工廠化生產還有很長的路要走，但我們畢竟邁出了最重要的一步，

三、光刻機鏡頭，我們差距較大，但區域性也有突破。

目前，長春國科精密已能生產90nm DUV光刻機鏡頭，可用於200 nm的光刻機。

長春光機所的32nm 光刻曝光裝置已經驗收。

以28nm為目標的光學鏡頭，正由中國國望光學攻關，據說進展順利。

但距離製造極紫外光學鏡頭，我們的路還漫長。

好在先進的鏡頭製造技術不是美國的，我們可以透過購買來緩解我們的暫時困難。

但這不會影響我們攻堅的步伐。

現在在鏡頭的鍍膜技術上，我們就有了新突破！

中科科儀研發的鍍膜裝置，具有全部自主智慧財產權。雖然還沒有達到德國蔡司的最高水平，但也能將膜厚的精度控制在0.1奈米以內，讓中國在研製EUV光刻機，又進了一步。

總的來看，透過艱苦的努力，我們已經兌現了光刻機中中國產化了部分承諾，並且向最高級別的光刻機技術發起了極限衝擊，並且取得了喜人的重大成果。

發揮體制優勢，集中全國力量，實行分工合作，這是中國推進重大專案，重大科研專案的成功經驗。中國光刻機中中國產化的技術突破，就是中國經驗的極好證明。