可控矽調溫電路出現了故障首先需要對可控矽的觸發迴路中的雙向觸發二極體，出發電容和可控矽進行檢測。

可控矽(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱閘流體。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控制元件控制大功率裝置。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。



可控矽分單向可控矽和雙向可控矽兩種。雙向可控矽也叫三端雙向可控矽，簡稱TRIAC。雙向可控矽在結構上相當於兩個單向可控矽反向連線，這種可控矽具有雙向導通功能。其通斷狀態由控制極G決定。在控制極G上加正脈衝(或負脈衝)可使其正向(或反向)導通。這種裝置的優點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。

二、可控矽壞的原因

1、電壓擊穿

可控矽因不能承受電壓而損壞，其晶片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。

2、電流損壞

電流損壞的痕跡特徵是晶片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠離控制極上。

3、電流上升率損壞

其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。

4、邊緣損壞

他發生在晶片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是製造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。

三、如何保護可控矽不被損壞

1、過電壓保護

閘流體對過電壓很敏感，當正向電壓超過其斷態重複峰值電壓UDRM一定值時閘流體就會誤導通，引發電路故障；當外加反向電壓超過其反向重複峰值電壓URRM一定值時，閘流體就會立即損壞。因此，必須研究過電壓的產生原因及抑制過電壓的方法。

過電壓產生的原因主要是供給的電功率或系統的儲能發生了激烈的變化，使得系統來不及轉換，或者系統中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發現為雷擊等外來衝擊引起的過電壓和開關的開閉引起的衝擊電壓兩種型別。由雷擊或高壓斷路器動作等產生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰，對閘流體是很危險的。

2、過電流保護

由於半導體器件體積小、熱容量小，特別像閘流體這類高電壓大電流的功率器件，結溫必須受到嚴格的控制，否則將遭至損壞。當閘流體中流過大於額定值的電流時，熱量來不及散發，使得結溫迅速升高，終將導致結層被燒壞。

產生過電流的原因是多種多樣的，例如，變流裝置本身閘流體損壞，觸發電路發生故障，控制系統發生故障等，以及交流電源電壓過高、過低或缺相，負載過載或短路，相鄰裝置故障影響等。