中芯國際現在只能做14nm的晶片，因為他們只有DUV機，EUV機買了，但因為美國向荷蘭政府施壓，不發出口證，進不了口。中芯國際現在以DU∨光刻機，用n+1方法試產7nm，產量比EUV機差點，晶片價效比弱點，但也可以生產7nm晶片。中國除了中芯國際外，也有其他晶片公司擁有ASML的DUV機，包括長虹半導體，合肥長鑫，長江儲存等。

在光刻機方面，上海微電子，現在可以生產90nm晶片的光刻機，明年準備交付28nm光刻機，光源是Arf，DUV的光源。現在正要開發的是極紫外光光源，中科院及華為正一同立項開發，成功後EUV光刻機應該可能國內生產，是時間問題，等著吧。

中芯國際是用DUV光刻機和自研的N+1技術實現了準7nm晶片製造。這在當前晶片產業中，並不會有多大影響，對華為晶片製造也沒有太多幫助。詳細原因如下：

1、中芯國際的準7nm晶片製造和市場依然有很大差距

在晶片產業中，5nm和7nm晶片製造基本都是採用EUV極紫外光刻機。而中芯國際並沒有EUV光刻機，手上只有193nm波長的DUV光刻機。本來向荷蘭ASML訂購了一臺EUV光刻機，因為美國阻攔最後沒有交貨。所以，中芯國際被迫採用原來的DUV光刻機，加上自研的N+1來製造準7nm晶片。既然是準7nm，就是還沒有完全達到7nm標準。這已經和市面上臺積電、三星的7nm就有差距了，更不用說他們的5nm晶片製造工藝了。

就算把中芯國際的準7nm和市面上的7nm劃上等號。中芯國際因為沒有EUV光刻機，製造流程會更復雜幾倍。我們可以來拿EUV和DUV光刻機對比一下用：

用EUV光刻機制造：EUV光刻機可以發射13.5nm波長鐳射，曝光精度可以控制在14nm。如果用早期的平面型MOSFET工藝，也就只能做14nm的晶片。但是，如果採用現在Finfet鰭式場效應電晶體，可以輕鬆實現5nm工藝製造，而且只需要簡單幾個步驟就能完成。如果工藝進行提升，也就是中間多幾道控制，還可以實現3nm、2nm等的晶片生產。用DUV光刻機制造：中芯國際手上的DUV光刻機應該是193nm的浸潤式光刻機，光波長193nm，和EUV相差太大，但可以通過雙波長干涉、大數值孔徑曝光系統、光刻膠縮小曝光波長，多次曝光等等該技術使DUV光刻機可以生產14nm的晶片。而中芯國際也正是在上述的技術中進行了優化，使得現有DUV可以生產準7nm晶片。然而，工序就比EUV多了非常多，複雜度自然就更復雜。良品率也變得沒那麼好控制。

基於以上對比，中芯國際的N+1技術生產的準7nm晶片，效能上依然沒法和市面EUV生產的真正7nm相比。但因為不用昂貴的EUV光刻機，這個準7nm晶片還可以打著價格優勢賣一賣。屬於一個無奈的過度產品，要想跟上晶片製造技術，還得使用EUV光刻機。

2、中芯國際的準7nm對華為晶片製造也幫不上忙

很多人會想，中芯國際的準7nm雖然比不上臺積電，但自己用來幫助華為度過難關，可以嗎？理論上好像可以，但事實上，並幫不上忙。原因有三個：

DUV光刻機依然有美國技術：按照美國的極限施壓條款，只要有用到美國技術的工具都不可以為華為生產晶片。這樣一來，中芯國際也變得無可奈何。誰叫我們光刻機被人卡脖子呢，我們自主的上海微電子的光刻機只能生產90nm的晶片，相差甚遠。準7nm的晶片沒有太多競爭力：現在中低端手機都用的真正7nm晶片，高階手機都用5nm晶片了。所以，退一萬步講，中芯國際冒死為華為生產，競爭力不高也沒有多大意義。準7nm晶片製造產能也很有限：很難滿足消耗量極大的手機晶片需要。

所以，中芯國際的準7nm製造工藝，根本上也幫不上華為，也改變不了晶片產業任何東西。

首先這個問題本身就錯了，中芯國際並沒有7nm光刻機。雖然中芯國際18年的時候花1.5億美元從荷蘭ASML定購了一臺7nm EUV光刻機，但是由於第三方介入的原因，遲遲沒有交貨。所以中芯國際目前並沒有製造7nm晶片的能力。所以現在中芯國際只能夠大規模量產14nm FinFET晶片，而這種晶片在智慧手機行業已經基本遭到淘汰了，不過在其它電子產品領域還有一定的需求量。

所以中芯國際目前是沒有生產7nm晶片能力的，自然也不會對晶片產業造成任何影響。

退一步講，即使中芯國際能夠生產7nm EUV晶片了，最多也是給高通、三星、聯發科這樣的老牌晶片製造商代工。這是因為大陸的企業除了華為之外是沒有高階晶片設計能力的，而華為本身又沒有晶片製造的能力，所以只能找臺積電代工。原本中芯也可以成為華為的晶片供應商，但是由於華為遭受到了制裁，所以中芯是不能夠為華為代工晶片的。

科技的革命，晶片的製造，晶片的用途都可能改變。

華為被打壓，人們重新認識了晶片，晶片斷供，人們又知道了光刻機，如果中芯國際有了製造7nm的光刻機，那麼5nm甚至更小的也是時間問題。

當中科院宣佈，把別人卡脖子的清單，變成我們的任務清單之後，引起了很大的反響，不管外界是什麼態度，我想中國的戰略調整必將改寫晶片的歷史。

造光刻機的荷蘭ASML宣稱，給我們圖紙也造不出，臺積電的張忠謀叫囂，舉全國之力也造不出來，其實這些就是別人卡我們的底氣。不過，中國所有的先進科技都是在別人的封鎖下絕地反擊的。

有訊息稱，手機將來有可能不用晶片，這不是不可能，當年我們用膠捲的照相機，怎麼也想不到數碼相機的出現，膠捲就完成了歷史使命。錄影機有錄影帶，現在換成硬碟、儲存卡，甚至雲端。科技在革命，不斷顛覆人們的認知，也許有一天晶片也被替代了。

華為雲手機、雲電腦的概念，有一塊螢幕就可以成為手機和電腦的功能，這不是不可能，科技正在改變我們的生活。

再說晶片製造的光刻機，我想也會有顛覆性的革命，受技術條件限制，當時最先進的EUV光刻機需要10萬個零部件，將來技術的變革，光刻機會是另一種狀態。

目前中國知道的有中芯國際，上海微電子等有光刻機，但製程相對較高，達不到麒麟晶片5nm的要求，但隨著攻關，和技術的成熟，這些難題都會解決，特別是中國上下一條心，舉全國之力，不論人才，經費都是沒有任何一家外國公司可比的，他們不瞭解中中國人的決心和實力，光刻機一定會由中中國人來改變。

我想我們不僅會造出5nm的光刻機，而且會打破行業壟斷，甚至製造晶片由傳統的光刻機由另一種顛覆性的機器替代，現在還想卡壓中國的人都是痴心妄想和自不量力。

當中國能自主生產晶片時，那麼晶片行業的影響將是徹底的變革，那些人的好日子也到頭了，我們都在期待這一天儘快到來。

澆點冷水吧，沒啥影響，美國封鎖的不是產品，而是技術。

9月15日的時候，美國的一條新禁令生效，要求臺積電、高通、三星、海力士、光美等電子廠商不能給華為供給晶片。也就意味著，華為無法從外界獲取晶片。

沒有就自己造，要生產晶片得有光刻機，目前世界上一流的光刻機廠商是荷蘭的asml，也只有asml有生產光刻機的能力。

其實早些時候還是有其他廠商的，比如說尼康、佳能，但是這玩意太燒錢了，沒多久就退出了。所以只剩下了asml花著全世界（高通、英特爾等晶片大戶）的錢在繼續研究。

關於光刻機的研發，有媒體舉了一個例子，說比造核彈還難，其實大概也真是這樣，畢竟核彈現在像樣的國家都有了，而光刻機依舊是壟斷局面。

光刻機有兩種，DUV和EUV，其實根本區別很簡單，大家不需要知道專業的術語，只要明白EDV能生產出更加精密的晶片就可以了。

中芯的7nm光刻機是買來的，根本生產製造技術還是別人的，所以想卡我們還是一樣卡，所以要想解除困局得我們自己有了高階光刻機才行。

荷蘭asml從1999年便開始研發EUV光刻機，計劃04年能完成，結果到了10年才有了初步的原型機，16年才正式的完產銷售供貨，19年生產出的7nmEUV晶片正式商用。也就是說，asml的EUV光刻機從研發到全面的商用用了20年的時間。

所以說，我們的EUV光刻機之路還是任重道遠的。不過沒關係，路一步一步走，飯一口一口吃，做不出高精度的EUV，就先從DUV開始。

這方面上海微電子就在搞，DUV理論上來說最高是能夠生產出7nm的晶片的，雖然離現在主流的5nm晶片（EUV生產）還是有點距離，但還是能夠看了。

現在上海微電子能夠量產90nm級的DUV光刻機了，據說明年可以做28nm。中芯應該是在啃14nm，具體什麼進度沒有詳細資訊。

但是很明確的一點就是，無論是中芯還是上海微電子，他們在做的都是去美國化，實現純自產，我們做的不是光刻機，不是晶片，而是技術。技術達到了，自然也就不用在受制於人了。

40nm、12nm、7nm意味著什麼呢？意味電晶體之間的溝道越來越短，資訊之間傳遞速度就越快。在過去的幾十年，一直遵循著摩爾定律，相比上一代技術，新工藝節點器件的長和寬都變成0.7倍，那麼器件的面積就變成了0.49倍，約等於一半，晶片的整合度就增加了一倍。

但是晶片級別越小，也就意味著出錯的機率越高。當溝道長度不斷縮短，每次只有幾百個、甚至幾十個電子跑過去，晶片工作溫度引起的一點點噪聲就可能讓晶片出錯。

所以晶片製造工藝越小，就意味著製造難度越大，目前晶片製造技術最高水準無疑是臺積電的7nm技術，而且其2nm技術也在加緊研發當中。

自從美國對華為實施禁令之後，晶片中國產化被提上日程，目前在40nm技術上完全中國產化已經完全有可能。

9月21日，中芯國際宣佈，自己研發的N+1、N+2等先進工藝，部分具備了7nm的技術。我們不必在意N+1、N+2技術，這是內部的一個代號，我強調部分達到7nm技術是指，功耗與穩定性上，反應速度等方面與臺積電還是有差距的。

那麼如何實現這項功能呢？冗餘，也就是增加更多的備份，降低故障產生的概率。

很多人不僅懷疑，晶片有必要那麼小嗎？這也是很多新技術研發方向。比如矽谷創業公司Cerebras提出的大晶片，這種晶片足足有一本書那麼大，運算、圖形處理，甚至儲存等都整合到一起，不但突破了晶片間的通訊介面限制，而且容錯率也大幅提升。

華為也提出了雲手機，也就是大量的運算在雲端，手機只是資訊接收和傳送端，不再擁有運算能力。以前微軟也提出了這項技術，那就是雲電腦，但是有網路速度跟不上，這項技術最後成了雞肋。

如今5G技術的發展，網路速度今非昔比，這項技術再一次提上日程，所以晶片越做越小，正被很多人質疑。

這一次中芯國際提出的替代方案，也是過渡時期的一種方案，未來隨著新技術的不斷迭代，我們完全能夠解決晶片卡脖子的問題。

由於華為麒麟晶片受到美國製裁，目前正處於無生產能力的處境，華為麒麟晶片將面臨絕版。

由於華為受到制裁，再一次將中國半導體行業推到風口浪尖上，眾多民眾將目光投向國內，企圖能尋求一家可替代臺積電的晶片代工廠，而中芯國際毫無疑問是目前國內最有希望替代臺積電的公司。

目前市面上最大眾熟知的7nm晶片，華為麒麟、蘋果A系列、高通驍龍等中高階處理器都是由臺積電代工。最重要的是，臺積電的5nm製程已經進入批量生產階段，2nm晶片生產也有了突破性進展。

這意味著中芯國際在今年年底可以對8nm晶片進行小批量的生產，雖然距離目前市面上的主流旗艦7nm晶片還有差距，但毫無疑問，在不需要EUV光刻機的情況下，能將晶片做到8nm級別，那接下來的7nm、5nm、2nm也並非沒有可能，關鍵依舊在於光刻機等關鍵裝置是否能出現突破性進展，並且不受美國卡脖子。

第一部分是大於130nm的製程技術，佔其公司營收的43%，這一部分的營收是比較穩定的。

第二部分是65nm的製程技術，佔其公司營收的30%以上。

因此，中芯國際在技術及工藝水平上與臺積電是相差巨大的，特別是在高階晶片上，而這個差距只能以技術來填補；當然，這個技術並非只是針對於中芯國際而言，畢竟像光刻機，光刻膠等裝置材料依然需要國內的半導體裝置研製企業共同發力，中芯國際乃至全中國的晶圓生產技術及工藝才能縮小與臺積電的差距，才能在未來的市場與臺積電有競爭的實力，儘管這個時間可能會很長，但還是很有機會的。

如果單以目前的現狀來說，中芯國際毫無疑問還沒有能與臺積電競爭行業老大的能力，但隨著中芯國際等國內半導體行業相關企業在半導體行業各項技術上的不斷突破，中芯國際在晶片代工領域上的話語權也會越來越強，這無疑會對臺積電第一晶圓代工廠的業務形成一定的威脅，也會對全球半導體行業的格局有重大影響。(本文圖片來自於網路)

有機器裝置和製造出可以供量產晶片之間還有很長的路要走。

晶片製造不同於普通工業生產，需要成熟的生產工藝才能量產的。一般一款新品從流片到量產，時間跨度最少2-3年。當前中芯國際的晶片製成工藝14nm都不見得有多成熟，至於7nm以臺積電的經驗，成熟最少2年時間，所以我們跟世界先進製成之間的差距2代以上，而且短期內很難超越，這是不爭的事實。

其次，晶片是高精密製造，良品率非常重要。要實現大工業生產所需的良品率，中芯國際還有很長的路要走；

呵呵，你從哪看的新聞？目前應該不可以吧，雖然內心期待是真的！如果有7nm的，那美國還能那麼牛逼嗎？不可能的。

我們的民族秉性就是哪裡有壓迫哪裡就有反抗，對我們掐脖子式的打壓，自從我們站起來的那時，就以常見了，我們從來也沒有認慫過，從前沒有，今天也不會有，將來更不會有！