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  • 1 # HH1981X

    常規我們DDR3的佈局滿足以下基本設計要求即可:

    1.考慮BGA可維修性:BGA周邊器件5MM禁布,最小3MM。

    2.DFM 可靠性:按照相關的工藝要求,佈局時器件與器件間滿足DFM的間距要求;且考慮元件擺放的美觀性。

    3.絕對等長是否滿足要求,相對長度是否容易實現:佈局時需要確認長度限制,及時序要求,留有足夠的繞等長空間。

    4.濾波電容、上拉電阻的位置等:濾波電容靠近各個PIN放置,儲能電容均勻放置在晶片周邊(在電源平面路徑上);上拉電阻按要求放置(佈線長度小於500mil)。

    注意:如有提供DEMO板或是晶片手冊,請按照DEMO板或是晶片手冊的要求來做。

    1.濾波電容的佈局要求

    電源設計是PCB設計的核心部分,電源是否穩定,紋波是否達到要求,都關係到CPU系統是否能正常工作。濾波電容的佈局是電源的重要部分,遵循以下原則:

    CPU端和DDR3顆粒端,每個引腳對應一個濾波電容,濾波電容儘可能靠近引腳放置。

    線短而粗,迴路儘量短;CPU和顆粒周邊均勻擺放一些儲能電容,DDR3顆粒每片至少有一個儲能電容。

    DDR 正反貼的情況,電容離BGA 1MM,就近打孔;如可以跟PIN就近連線就連線在一起。

    2.VREF電路佈局

    在DDR3中,VREF分成兩部分:

    一個是為命令與地址訊號服務的VREFCA;另一個是為資料匯流排服務的VREFDQ。

    在佈局時,VREFCA、VREFDQ的濾波電容及分壓電阻要分別靠近晶片的電源引腳。

    3.匹配電阻的佈局

    為了提高訊號質量,地址、控制訊號一般要求在源端或終端增加匹配電阻;資料可以透過調節ODT 來實現,所以一般建議不用加電阻。

    佈局時要注意電阻的擺放,到電阻端的走線長度對訊號質量有影響。

    對於源端匹配電阻靠近CPU(驅動)放,而對於並聯端接則靠近負載端(FLy-BY靠近最後一個DDR3顆粒的位置放置而T拓撲結構是靠近最大T點放置)

    源端匹而對於終端VTT上拉電阻要放置在相應網路的末端,即靠近最後一個DDR3顆粒的位置放置(T拓撲結構是靠近最大T點放置);注意VTT上拉電阻到DDR3顆粒的走線越短越好;走線長度小於500mil;每個VTT上拉電阻對應放置一個VTT的濾波電容(最多兩個電阻共用一個電容);VTT電源一般直接在元件面同層鋪銅來完成連線,所以放置濾波電容時需要兼顧兩方面,一方面要保證有一定的電源通道,另一方面濾波電容不能離上拉電阻太遠,以免影響濾波效果。

    DDR3的佈局基本沒有什麼難點,只是要注意諸多細節之處,相信大家都已經學會。

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