本質其實是一回事，從兩個角度來看。

1、自由電子移動形成的導電是電子導電

2、空穴導電，是指有空穴的半導體元件，電子在空穴裡移動，相當於空穴反向移動

實質上沒有區別，電子導電和空穴導電可以看作一個是電子從負極透過導體到正極，空穴導電看作正電荷從正極到負極

電子導電 ，導體中主要的載流子為電子的導電過程。可以金屬導體為例給予簡單說明。根據金屬導電的經典理論，金屬導體內有正離子組成的點陣和原子的價電子所形成的自由電子，後者可以在導體內自由運動。

空穴導電是共價鍵中的一些價電子由於熱運動獲得一些能量，從而擺脫共價鍵的約束成為自由電子，同時在共價鍵上留下空位，我們稱這些空位為空穴。

半導體通常採用矽（四價元素），磷（五價元素）和硼（三價元素）三種元素製備。其中矽中摻入磷的叫做N型半導體，材料中多的是電子，因此叫做電子導電。

矽中摻入硼的叫做P型半導體，材料中多的是空穴，因此叫做空穴導電。電子帶負電，那麼空穴就帶正電，它們共同組成一個PN接面。

1、形成的不同原因：

在外加電場中，p型半導體中的電子依次以電場的相反方向填充空穴，空穴沿電場的方向運動。空穴可以被認為是帶正電荷的粒子，它的運動透過取代電子的運動來解釋p型半導體中電流的形成。透過自由電子的定向運動而導電的行為。

2、不同的機制：

孔由於淨正電荷，所以會吸引其他電子，使電子運動更容易在半導體中，可以發現，似乎洞傳導是淨正電荷吸引其他電子帶正電荷的轉變，實際上事實上仍然是電子傳導，移動洞只是正電荷等價的。

空穴電流不是由自由電子填充空穴形成的，而是由價帶中的電子轉移形成的。

晶體中原子外層的空穴不是恆定的，可以被其他價電子填充，這些電子仍然在價帶中，可以從一個空穴跳到另一個空穴。價電子和自由電子之間有很多不同，它們不能自由流動，它們只是從一個坑移動到另一個坑。



擴充套件資料：

電子導電性的相關特性：

1、電子或空穴的遷移率遠遠大於離子的遷移率，所以即使材料中有少量的電子或空穴，它們對電導的貢獻也不能忽略，取決於載流子的濃度。對於不同的載流子濃度，陶瓷材料的電子電導行為可以有很大的不同，從接近金屬到接近絕緣體。

2、電子電導率的特徵是霍爾效應，即當電流流過樣品時，如果在垂直於電流方向施加磁場，在垂直於電流和磁場的平面上就會產生電場。如果材料中存在自由電子或空穴，它們會在電場的作用下產生定向運動。

3、由於離子的質量比電子大得多，所以它們在磁場中不會橫向移動。因此，霍爾效應可以用來區分陶瓷材料是進行離子傳導還是電子（空穴）傳導。

電子導電就是電子的定向移動，同理空穴導電是空穴的定向移動。能帶理論解釋就是產生了不同的雜質能級，感覺他倆差不多，沒什麼優勢可言

半導體中有兩種載流子：自由電子和空穴。在熱力學溫度零度和沒有外界能量激發時，價電子受共價鍵的束縛，晶體中不存在自由運動的電子，半導體是不能導電的。但是，當半導體的溫度升高（例如室溫300K）或受到光照等外界因素的影響，某些共價鍵中的價電子獲得了足夠的能量，足以掙脫共價鍵的束縛，躍遷到導帶，成為自由電子，同時在共價鍵中留下相同數量的空穴。空穴是半導體中特有的一種粒子。它帶正電，與電子的電荷量相同。把熱激發產生的這種躍遷過程稱為本徵激發。顯然，本徵激發所產生的自由電子和空穴數目是相同的。