光刻裝備是半導體重中之重，是解決網路心片又一豐碩成果，為5G吋代打下堅石基礎，能帶動很多產業鏈，牽涉到強軍、強國有力裝備，打破國外壟斷、封鎖晶片產業，為國家爭光。芯痛病一石擊碎千丈落。

中國首臺紫光高分辯光刻機的誕生標誌著中國打破了西方國家的技術壟斷，為中國晶片產業提供了基礎支援，雖然我們的光刻機技術與西方存在差距，但我們有信心有能力奮起直追，我們都要有自信心不做噴子自我嘲諷給予更多的鼓勵。

從公開的資訊看對中國的晶片製造有幫助，但是因為這個技術現在只能在小直徑矽片上製作晶片，到大規模商業應用還有很大差距。現在商用的光刻機用20和30釐米直徑的矽片，這臺光刻機只能用7釐米以下的矽片。

中科院光電所研發成功的紫外超分辨光刻機在各大媒體上刷屏了，它打破了傳統光學光刻分辨力受限於光源波長及鏡頭數值孔徑的傳統路線格局，使用365nm波長就能實現單次曝光最高線寬分辨力達到22nm。除了技術水平之外，中科院的這套光刻機價格非常低廉，專案副總設計師胡松表示其售價會在1000萬到2000萬元之間，這價格在光刻機中真的是白菜價了，ASML的193nm光刻機售價在7000萬美元以上，EUV光刻機售價在1億歐元以上，國內的光刻機價格僅為EUV光刻機價格2%，不過雙方的技術體系也是不同的，中中國產光刻機現在還取代不了ASML的光刻機。

來自中科院官方的訊息報道，中科院光電所所長、超分辨光刻裝備專案首席科學家羅先剛研究員介紹說，2012年，該所承擔了超分辨光刻裝備這一國家重大科研裝備專案研製任務，經過近7年艱苦攻關，在無國外成熟經驗可借鑑的情況下，專案組突破了高均勻性照明、超分辨光刻鏡頭、奈米級分辨力檢焦及間隙測量和超精密、多自由度工件臺及控制等關鍵技術，完成國際上首臺分辨力最高的紫外超分辨光刻裝備研製，其採用365奈米波長光源，單次曝光最高線寬分辨力達到22奈米(約1/17曝光波長)。在此基礎上，專案組還結合超分辨光刻裝備專案開發的高深寬比刻蝕、多重圖形等配套工藝，實現了10奈米以下特徵尺寸圖形的加工。

這一世界首臺分辨力最高的紫外超分辨光刻裝備是基於表面等離子體超衍射研製而成，它打破了傳統光學光刻分辨力受限於光源波長及鏡頭數值孔徑的傳統路線格局，形成了一條全新的超衍射奈米光刻從原理、裝備到工藝的技術路線，具有完全自主智慧財產權，為超材料/超表面、第三代光學器件、廣義晶片等變革性戰略領域的跨越式發展提供了製造工具。

除此之外，中中國產的光刻機還有一個優勢就是價格便宜，專案副總設計師胡松在接受《環球時報》記者採訪時提到每臺光刻機的售價應該在1000萬元到2000萬元人民幣之間，未來市場前景廣闊，但是完全替代荷蘭ASML公司壟斷的尖端積體電路光刻機還有一段路要走。

“我們自主研製的光刻裝置目前可以小批次生產，助力新型奈米器件產品製造。在生產效率、套刻精度、芯片面積和成品率上還有待進一步提升”，副總設計師胡松說。

光電所根據實際需要，已經實現了相關器件的製造，包括奈米透鏡和波前調控等超材料/超表面器件，大口徑輕量化薄膜鏡等第三代光學器件，切倫科夫輻射、LSPR和SERS生化感測、超導奈米線單光子探測等系列新型奈米器件的製造。

相關器件已在中國航天科技集團公司第八研究院、電子科大太赫茲科學技術研究中心、四川大學華西醫院、中科院微系統所資訊功能材料國家重點實驗室等多家科研院所和高校的重大研究任務中取得應用。