記憶體時序其實就是描述記憶體條效能的一種引數，一般儲存在記憶體條的SPD中。一般數字“11-11-11-28”分別對應的引數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”， CAS Latency（簡稱CL值）是記憶體CAS延遲時間，RAS－to－CAS Delay（tRCD），記憶體行地址傳輸到列地址的延遲時間; RAS Precharge Delay（tRP），記憶體行地址選通脈衝預充電時間; Row Active Delay（tRAS），記憶體行地址選通延遲。

記憶體時序其實就是描述記憶體條效能的一種引數，一般儲存在記憶體條的SPD中。一般數字“11-11-11-28”分別對應的引數是“CL-tRCD-tRP-tRAS”， CAS Latency（簡稱CL值）是記憶體CAS延遲時間，RAS－to－CAS Delay（tRCD），記憶體行地址傳輸到列地址的延遲時間; RAS Precharge Delay（tRP），記憶體行地址選通脈衝預充電時間; Row Active Delay（tRAS），記憶體行地址選通延遲。

轉給你看看

記憶體引數規格：

記憶體的時序引數一般簡寫為2/2/2/6-11/1T的格式，分別代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。 2/2/2/6-11/1T中最後兩個時序引數，也就是tRAS和CMD(Command縮寫)，是其中較複雜的時序引數。目前市場上對這兩個引數的認識有一些錯誤，因為部分記憶體廠商直接用它們來代表記憶體效能。

CMD Rate祥解：

Command Rate譯為"首命令延遲",這個引數的含義是片選後多少時間可以發出具體的定址的行啟用命令，單位是時鐘週期。片選是指對行物理Bank的選擇（透過DIMM上CS片選訊號進行）。如果系統指使用一條單面記憶體，那就不存在片選的問題了，因為此時只有一個物理Bank。

用更通俗的說法，CMD Rate是一種晶片組意義上的延遲，它並不全由記憶體決定，是由晶片組把虛擬地址解釋為物理地址。不難估計，高密度大容量的系統記憶體的物理地址範圍更大，其CMD延遲肯定比只有單條記憶體的系統大，即使是雙面單條。

Intel對CMD這個問題就非常敏感，因此部分晶片組的記憶體通道被限制到四個Bank。這樣就可以比較放心地把CMD Rate限定在1T，而不理使用者最多能安裝多少容量的記憶體。

宣揚CMD Rate可以設為1T實際上多少也算是一種誤導性廣告，因為所有的無緩衝（unbuffered）記憶體都應具有1T的CMD Rate，最多支援四個Bank每條記憶體通道，當然也不排除晶片組的侷限性。

tRAS：

tRAS在記憶體規範的解釋是Active to Precharge Delay，行有效至行預充電時間。是指從收到一個請求後到初始化RAS（行地址選通脈衝）真正開始接受資料的間隔時間。這個引數看上去似乎很重要，其實不然。記憶體訪問是一個動態的過程，有時記憶體非常繁忙，但也有相對空閒的時候，雖然記憶體訪問是連續不斷的。tRAS命令是訪問新資料的過程(例如開啟一個新的程式)，但發生的不多。

接下來幾個記憶體時序引數分別為CAS延遲，tRCD,以及tRP，這些引數又是如何影響系統性能的呢？

CAS:

CAS意為列地址選通脈衝(Column Address Strobe 或者Column Address Select),CAS控制著從收到命令到執行命令的間隔時間，通常為2，2.5,3這個幾個時鐘週期。在整個記憶體矩陣中，因為CAS按列地址管理物理地址，因此在穩定的基礎上，這個非常重要的引數值越低越好。過程是這樣的，在記憶體陣列中分為行和列，當命令請求到達記憶體後，首先被觸發的是tRAS (Active to Precharge Delay)，資料被請求後需預先充電，一旦tRAS被啟用後，RAS才開始在一半的物理地址中定址，行被選定後，tRCD初始化，最後才透過CAS找到精確的地址。整個過程也就是先行定址再列定址。從CAS開始到CAS結束就是現在講解的CAS延遲了。因為CAS是定址的最後一個步驟，所以在記憶體引數中它是最重要的。

tRCD:

根據標準tRCD是指RAS to CAS Delay（RAS至CAS延遲)，對應於CAS,RAS是指Row Address Strobe，行地址選通脈衝。CAS和RAS共同決定了記憶體定址。RAS(資料請求後首先被激發)和CAS(RAS完成後被激發)並不是連續的，存在著延遲。然而，這個引數對系統性能的影響並不大，因為程式儲存資料到記憶體中是一個持續的過程。在同個程式中一般都會在同一行中定址，這種情況下就不存在行定址到列定址的延遲了。

tRP:

tRP指RAS Precharge Time ，行預充電時間。也就是記憶體從結束一個行訪問結束到重新開始的間隔時間。簡單而言，在依次經歷過tRAS, 然後 RAS, tRCD, 和CAS之後，需要結束當前的狀態然後重新開始新的迴圈，再從tRAS開始。這也是記憶體工作最基本的原理。如果你從事的任務需要大量的資料變化，例如影片渲染，此時一個程式就需要使用很多的行來儲存，tRP的引數值越低表示在不同行切換的速度越快

總結：

或許你看完以上論述後還是有一些不解，其實大家也沒必要對整個記憶體定址機制瞭解的非常透徹，這個並不影響你選擇什麼規格的記憶體，以及如何最大程度上在BIOS中最佳化你的記憶體引數。最基本的，你應該知道，系統至少需要搭配滿足CPU頻寬的記憶體，然後CAS延遲越低越好。

因為不同頻率的記憶體的價格相差並不是很大，除了那些發燒級產品。從長遠的目光來考慮，我們建議大家儘量購買高頻率的記憶體產品。這樣或許你將來升級CPU時可以節省一筆記憶體費用，高頻率的記憶體都是向下相容的。例如如果購買了PC3200 400MHz的記憶體，標明的CAS延遲是2.5。如果你實際使用時把頻率降到333MHz，通常情況下CAS延遲可以達到2。

一般而言,想要保持記憶體在一個高參數,如果不行可以採取降低頻率的方法。但對處理器超頻時，都會要求較高的匯流排速度，此時的瓶頸就在記憶體系統上，一般只有靠犧牲高參數來保持記憶體頻率和CPU的外頻同步。這樣可以得到更大的記憶體頻寬，在處理大量資料時就能明顯的從中獲益，例如資料庫操作，Photoshop等。

另外一點值得注意的是，PC3200或PC3500規格的記憶體，如果CAS延遲可以設為2，也能在一定程度上彌補記憶體頻寬。因為此時CPU和記憶體交換資料時間隔的時間大大減少了。如果使用者經常使用的程式並不需要大的頻寬，低CAS延遲也會帶來顯著的效能提升，例如一些小型遊戲和3D應用程式。