作為清華大學的研究人員來講，這叫不務正業。光刻機不需要理論創新，屬於工程應用類的開發，他們應該做的是理論創新，國家在十年二十年以後需要用的理論。

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任正非講過一個故事：上世紀70年代，英國羅·羅公司主動提出可以將他們的斯貝發動機賣給中國，而且願意直接賣軍用發動機。負責談判的中方領導人大喜過望，要向英國科學家致敬，英國科學家卻說，“要感謝的是中國科學家的偉大發明”。領導人回來後查是哪位科學家，是吳仲華。他在哪？在湖北。那趕緊調回北京去做熱物理研究所的所長吧。

這是被戲劇化的爽文故事，後來被人證實與現實有一些出入。但可以肯定的是，斯貝發動機的三元流技術，的確是建立在“葉輪機械三元流動理論”基礎上。1950年，吳仲華在紐約美國機械工程師學會年會上宣讀論文，正式提出這一理論，後來被學界定為“吳氏通用理論”，理論中的基本方程則被稱為“吳氏方程”，吳仲華的講學錄影曾一度被NASA作為培訓教材。

任正非感慨的是，如果我們當初沿著吳仲華的基礎理論，持續進行工程技術突破，今日中國航空發動機的局面或許會更加樂觀。

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20210303

中美人工智慧（AI）領域競爭再升級！所有符合條件的，美國大學STEM專業畢業的博士生，將被直接授予綠卡！美國再次開啟全球AI人才收割的大幕，中國如何應對？

這是美國國家安全委員會今天向拜登政府提交的關於中美在人工智慧（AI）領域競爭策略的正式報告裡，對AI有關專業高層次人才提出的最新政策！

STEM 代表 science, technology, engineering and math 這4個領域的學科。即科學，技術，工程和數學！一般認為，這四個領域的博士生，是開展人工智慧技術研究的關鍵人才！

光刻機能做出90奈米光刻機就可以做13.5一12奈米光刻機，從原理核心機最佳化長短直徑大小奈米光刻機型號，列如一臺極紫外光源從過最佳化不同大小型號極紫外光源奈米，使用第四代枝術全三維設計軟體系統數字數質模擬模擬高速計算機計算設計不同型號產品，模組化設計軟體無紙製造連線各個生產線，製造分工分段，分裝總裝，測試試驗資料計算和實際一樣，比傳統圖紙設計製造節省80%時間成本資源。

不要高估了高校的科研能力！我在企業、高校都待過幾十年，瞭解國企是什麼狀況，也太瞭解高校“專家”、“教授”是什麼水平。我的結論是，中國的科研希望在企業，企業科研的希望在華為、三一之類的民營企業。

應該比想像的快，就像以前的電視，手機，現在大陸產的都不差，還出口了很多。

中國的很多技術，不怎麼對外宣傳，光刻機就三至五年，就能趕超世界。

就清華大學近年來的實際科研成果而言，落後二代的光刻機也是先進的，因為無從證實他們走在科技最前哨，那些成果回報國庫銀響呢，看看後起友校吧。

瞭解清華的人有多少？瞭解清華科研人員的又有多少？知道清華曾經設計製造者過輕型載重貨車麼？知道第一個原子反應堆（世界上最小的核電站）是由清華設計製造的麼？瞎噴

根據唐傳祥教授的說法：“SSMB 光源的潛在應用之一是作為未來 EUV 光刻機的光源。” 這也是此次團隊新成果之所以受到廣泛關注的重要原因之一。不過唐傳祥教授同時也說了，基於SSMB的EUV光源雖然有望解決自主研發光刻機中最核心的“卡脖子”難題，但是也還需要持續的科技攻關和上下游產業鏈配合，如此才能取得真正的成功。

其實這裡已經給了我們距離實際應用中間的差距，第一方面還需要持續的科技攻關，第二方面還需要上下游的產業鏈配合！那麼這其中就有兩個問題了！

第一方面：上下游產業鏈自主化生產能力是否成熟？

很顯然目前的環境並不成熟，很多技術都是依附國外授權許可開展的！如果想要進行完成這方面配合，就需要有專門的測試，小到多建立更多的各項鍊條的測試工作室，大到可能需要生產線的配合！但是如果已經達到了這一步，就要技術攻關每一個點都已經面面俱到了！單點突破是不行的！因為要一點點帶線，以線帶面才可以！

不過目前的所有階段都是在於“有望”解決自主化研發光刻機最核心的卡脖子難題！

第二方面：中中國產的光刻機技術攻堅，又到了何種地步？

我們知道如今全球採用較多的是荷蘭ASML，還有其他的幾家分別是：尼康、佳能、歐泰克、上海微電子裝備、SUSS、ABM, Inc；

位於中國上海的SMEE已研製出具有自主智慧財產權的投影式中端光刻機，形成產品系列初步實現海內外銷售，正在進行其他各系列產品的研發製作工作。高階的投影式光刻機可分為步進投影和掃描投影光刻機兩種，解析度通常七奈米至幾微米之間，高階光刻機號稱世界上最精密的儀器，世界上已有1.2億美金一臺的光刻機。高階光刻機堪稱現代光學工業之花，其製造難度之大，全世界只有少數幾家公司能夠製造，國外品牌主要以荷蘭ASML（鏡頭來自德國），日本Nikon（intel曾經購買過Nikon的高階光刻機）和日本Canon三大品牌為主。

EUV光刻機制造難度更大，因此，每年能夠生產出的數量也有限；這就導致了幾家晶片製造巨頭爭搶EUV光刻機。清華團隊基於SSMB的EUV光源有望實現大的平均功率，並具備向更短波長擴充套件的潛力，有助於突破大功率EUV光源。如果能夠成功得到應用，那麼我們卡脖子的問題也逐步會被解決了。

一項科研技術的成功需要不斷的嘗試不斷的開始才擁有最後的成果，我們普通人不能做出直接的貢獻，更不要總是反對，我們的國家總是會越來越好的！

昨天從媒體上看到清華大學首個原理驗證了"新型粒子加速器"的原理驗證實驗的訊息，得知它可作為“未來 EUV 光刻機的光源。”大家都知道EUV光刻機是製造晶片的重要關鍵裝置， 其中的光源也是光刻機的重要部件，目前採用的是美國造的，是屬於美國技術。晶片被卡脖子是因為國內目前不能製造5、7奈米的高階晶片，使得華為的旗艦手機生產受阻，手機銷售排名從去年上半年的全球第一，到年末的第五名之外。可見其晶片製造的重要性，在晶片製造上除了其產業鏈不鍵全外，就是沒有高階光刻機，前幾年國內晶片製造企業中芯國際和華虹等都想買，但瓦森納協議的影響和美國阻繞，直到目前也沒有買成。

去年晶片卡脖子事件後，除了華為啟動"南泥灣計劃"外，全國從上至下也在加速晶片製造的攻關，國家也大力扶持，所以這訊息一出來，立刻引起巨大反響。離高階光刻機的成功又離了一步，那清華大學的這個成果距離實際應用還有多遠呢？

在媒體訊息上，唐傳祥教授說"基於SSMB的EUV光源雖然有望解決自主研發光刻機中最核心的“卡脖子”難題，但是也還需要持續的科技攻關和上下游產業鏈配合，如此才能取得真正的成功。"

從這段話中我們不難理解到，這個實驗原理驗證結果，距離實際應用還需要解決兩方面問題，第一方面是科技攻關還有未解決的問題，需要繼續努力攻克難關，第二方面在產業鏈上，上下游不夠完善，還需要大家齊心協力互相配合繼續完善。

待這兩方面經過全國科技工作者的不懈努力，全面解決所有問題之際，就是"新型粒子加速器光源"的實際應用之時。"中國速度"也說明離這一天也不會大遙遠。

中國上海的中微電子已研製出具有自主智慧財產權的投影式中端光刻機，並形成產品系列開始海內外銷售；高階的投影式光刻的解析度為七奈米至幾微米之間，高階光刻機主要是荷蘭ASML的EUV光刻機。

在現實情況下，高階晶片需要我們在更多的領域發力，全面攻克高階光刻機，這次的清華大學的實驗驗證結果也屬於高階光刻機最核心的技術之一。