目前，中芯國際14nm晶片離不開ASML的DUV。雖傳上微已經搞定28nm製程的DUV 機子，且正在某地搭非美晶片產線試產，但沒有任何官方渠道證實，估計也不可能有。現在有關中中國產光刻機的資訊，基本都是秘密。

對於14nm的工藝來說，只需要DUV光刻機透過多次曝光，就可以實現量產製造的需求。在美國還沒有全面限制中國半導體行業之前，中國從asml公司進口過一批DUV光刻機。只不過因為製程工藝的原因，這些裝置發揮不出應有的水平。

之前中芯國際給華為代工了一批名為麒麟710a的手機晶片，這款晶片就相當於把臺積電版本的麒麟710換成了中芯國際的工藝。在初代臺積電7nm工藝的時候，就是用DUV光刻機進行實現。相對於臺積電的上一代的16nm，7nm可以提供3.3倍的電路密度。相同功耗，可以提供35-40%的效能提升。如果基於相同的效能做比較，功耗可降低65%。

在這種工藝下，需要DUV光刻機進行多次曝光才能夠完成。而EUV光刻機，可以一次完成。想要進一步發展更精密的技術，EUV光刻機是必不可少的。

中芯國際已經佈局發展先進製程工藝了，但是受制於裝置跟材料的問題，暫緩了生產測試的方案。自從2017年梁孟松加入中芯國際以來，中芯的技術發展迎來了快速迭代的發展。只用了不到1年的時間，就讓中芯國際的14nm工藝成功進行了流片測試。

但是在一些材料跟技術上面，中芯國際的14nm工藝還是需要依靠美方進行供應。梁孟松帶隊一邊研發新技術，一邊在老舊工藝上面開始採用中中國產供應鏈進行生產製造，逐步發展去美化路線。

前幾天上海企業釋出宣告，稱14nm工藝迎來了技術性的突破。這其中大機率是梁孟松團隊在技術上面打破了美國的壟斷，實現了中中國產技術的替代性。下一步，就是要依靠這個技術，不斷進行最佳化，解決良品率跟相容性的問題了。

中芯國際現在搞定14奈米工藝用的光刻機，也是ASML賣給中芯國際的。所以，說沒用ASML光刻機，中芯國際搞定14奈米工藝就是說夢話了。

現在中芯國際的14奈米工藝技術，就是臺積電在2015年的時候，在ASML還沒有出品EUV光刻機，生產14奈米工藝晶片的技術線路。由於中芯國際從臺積電挖來了許多工程師，實際上也就將臺積電的技術線路思路挖過來了。現在中芯國際實際上就是“復刻”了臺積電當年用ASML的DUV光刻機生產14奈米工藝晶片的技術。

在ASML還沒有出品EUV光刻機的時候，2015年臺積電就將工藝推到了14奈米的水平。靠的就是這個ASML上一代的DUV光刻機多次曝光技術。ASML上一代的浸沒式DUV光源的光刻機，一次曝光可以生產的最小尺寸是28奈米。臺積電就開發出來了這個多次曝光技術，用DUV光刻機也能生產尺寸小於28奈米的晶片。這一技術的極限是7奈米工藝。

所以，當中芯國際挖過來臺積電工程師的時候，也就將臺積電的這個技術思路一起挖過來了。既然臺積電已經把這條技術線路走通了，中芯國際就只管推下去，不用擔心技術線路走錯了。所以，就經過摸索，用ASML上一代的DUV光刻機，“復刻”出來了臺積電曾經實現的技術，也就生產出來了14奈米工藝，甚至7奈米工藝的晶片了。

當前，臺積電因為擁有了EUV光刻機，所以就將7奈米晶片的生產也轉到用EUV來做，原因就是用EUV技術線路的成本低於DUV技術線路。但中芯國際沒有EUV光刻機，就只能是“復刻”出來臺積電在2015年用DUV生產14奈米的這個技術線路了。據說，臺積電現在因為手裡EUV的數量不足，所以DUV多次曝光技術線路也在同時使用著。也就是說，中芯國際在這條DUV技術線路上，大致上追上了臺積電的進度。

我們能搞定？因為用的是別人淘汰的機器，就是這麼簡單，實際上中國不光在晶片落後，只要是高階或者技術含量高的行業，我們根本達不到標準，最簡單的就是目前好一點的線材的純度都沒辦法達到，其中包含傳輸等，可以去看看，最好的全是進口的。還有基礎工業，國內有，但無論質量還是精度差距依然非常巨大。

這問題應該問的有點問題，中芯還是有阿斯麥的機器的。

不過倒是可以藉機澄清一個誤會。在輿論口，往往大家以為14nm晶片需要14nm光源的光刻機來造，實際上並不是，而是透過高nm光源多次曝光實現的。這個內容有心的可以去翻檯積電的資料，大家都是這麼玩過來的。

算是可以搞定，但是半導體晶片最重要的是良品率，臺積電能碾壓三星的原因就在於，臺積電的良品率比三星高，而中芯的和這兩家比起來差的不是一點半點。

當然現在因為中美對抗的環境，良品率對大陸目前不是最主要的因素，能不能做出來，才是最關鍵的。但是這些中高階晶片都是商用的，要競爭還是要看成本的。你良品率底，表示成本就一定高，這是未來主要解決的問題。

前幾天上海釋出了一則訊息，這個訊息主要跟積體電路有關。

截至目前，上海積體電路產業規模達到2500億，14奈米先進工藝規模實現量產，另外中中國產90nm光刻機技術也取得了突破。

看到這個訊息，很多網友可能納悶，目前荷蘭的ASML不是沒有出口光刻機給我們嗎，為何上海能實現14nm晶片的量產呢？

其實ASML的光刻機分多種型別，整體分為兩類，一類是EUV光刻機，目前這類最先進的光刻機他們並沒有出口給中國；另一類是DUV光刻機，DUV光刻機是可以正常出口的，而且目前大陸已經成為ASML的DUV光刻機的重要出口目的地，除了EUV光刻機之外，ASML其他型號光刻機大約有30%左右是出口到中國大陸的。

當然，根據解析度不同，DUV光刻機也分為多個型別，根據波長不同，DUV光刻機可以分為三個大型別，分別是KRF、ARF和ARFi三種，對應的波長分別是248奈米、193奈米和134奈米。

其中ARFi透過對物鏡、光源等進行改進之後，解析度最高可以做到38nm，最後透過晶片製造廠家工藝改進並進行多次曝光之後，可以用於生產28nm、14nm、10nm甚至7nm的晶片，之前臺積電就曾經使用ARFi光刻機制造出了7nm的晶片。

而這次上海實現14nm晶片的量產使用的其實也是荷蘭ASML的ARFi光刻機，而不是中中國產光刻機。

目前中中國產光刻機最高解析度只有90nm，由上海微電子研發生產，這個光刻機經過多次曝光之後最高可以用於生產65nm的晶片，這類晶片其實也可以滿足市場大部分產品的需求，目前大部分電子產品的晶片製程其實都低於90nm。

只不過對於一些精密電子產品，比如手機、電腦等更新換代比較快的產品，想要保持效能上的提升，就必須使用最先進的晶片，否則就沒有市場競爭力了，所以我們看到目前市場主流手機廠家的旗艦機基本都是使用最先進的晶片，目前手機最先進的是5nm晶片，使用這些先進晶片對於提升手機效能、降低手機功耗都具有很大的優勢。

也正因為如此，各大晶片製造商都在想方設法提升晶片的製程。

想要提升晶片的製程有兩個關鍵因素，一個是光刻機，這是決定晶片製程下限的關鍵裝置；還有另一個是製造工藝，工藝的進步可以決定晶片的上限。

目前中芯國際採用ASML的ARFi光刻機雖然最高解析度只有38nm，但是經過工藝上的改進之後，他們可以用於生產14nm晶片。

除此之外，目前中芯國際還研發出了N+1、N+2工藝，這些改進工藝可以用於生產10nm晶片，甚至生產出接近7nm的晶片，但是7nm就是一個關口，沒有EUV光刻機幾乎不可能生產出7nm、5nm、3nm的晶片片。

14nm工藝可以透過duv光刻機多次曝光來完成，現中芯國際有一批之前從ASML引進過來的duv光刻機，對於現在最新的工藝來說已經屬於老舊裝置了，但生產14nm還是可以的，如果真能搞定，就離晶片自給率75％邁進一大步了

歐美對我們的半導體領域展開限制，這將助力我們半導體產業的“中中國產化”！

有媒體爆料稱，積體電路領域14nm先進工藝規模實現量產，90nm光刻機、5nm刻蝕機、12英寸大矽片、中中國產CPU、5G晶片等實現突破。

在大環境不利於我們的情況下，中芯依然能夠批量出貨14nm的晶片，證明了我們不屈的意志。中芯國際能量產14nm晶片，必定會對中國的半導體產業產生積極且巨大的推動。

這裡需要給大家說明的是，量產與大規模量產是兩個概念。技藝還不夠成熟或者產能不足以大規模量產，需要半年到一年的時間練手，提升技藝，新建生產線，然後投產。

據說中芯國際14nm工藝的良品率已經高達95%，也就是可以投產了，但是後面的工藝進展水平就不清楚了，但和臺積電以及英特爾三星肯定還有差距。

中芯國際能在短短几年時間取得如此傲人的戰績，春公子認為最應該感謝的人是梁孟松。

梁孟松是全球半導體產業的權威人物，其先後在臺積電與三星電子任職。臺積電能取得今天的成績，可以說梁孟松帶領的團隊居功至偉。

2017年梁孟松加盟中芯國際，在不到一年的時間幫中芯實現從28nm到14nm的技術跨越。

看到這裡或許有網友們會問了，我們現在不是買不了ASML的光刻機嗎？為什麼中芯國際還能搞出14nm晶片？

這麼說吧，臺積電早就做到了使用duv光刻機量產7nm製程晶片。有梁孟松在，即使沒有最先進的euv光刻機，中芯國際同樣也能搞定14nm晶片。

看到這裡或許又有網友們會問，臺積電和三星都在研發3nm和2nm了，中芯國際現在還在搞14nm和7nm，這又有什麼用呢？

這種說法是極為片面的，半導體制造是個極其燒錢的行業，從2000年中芯國際拔地而起，一直到2009年張汝京卸任，整整十年，中芯國際創造了不少技術上的奇蹟，但盈利能力始終堪憂，因為行業內的大部分利潤都被臺積電和三星等公司賺走了。

其實絕大多數科技都是這樣，無非就是錢+人，到位了就行。我們經常能看到某某技術差國外幾十年，結果花幾年功夫就跟上了，就是這個道理。

研發是需要投入的，路要一步一步走。中芯國際只要佔據了14nm、28nm等製程領域，就意味著中芯國際能獲得利潤支撐，這將有利於中芯國際的持續研發。

全球缺芯愈演愈烈，半導體將持續漲價，我們對半導體等科技領域的發展將提升到國家戰略高度，中中國產晶片科技或迎來“黃金10年”！

中芯國際宣告14nm晶片能量產，是中國晶片行業一步一個腳印邁進的步伐。

我們應該堅信，在中芯國際等半導體公司的帶領下，中國的半導體產業必將走上高階之路。任何阻礙我們發展的問題，都將得到解決！

不懂這個原理和技術，卻是中芯國際的小股東，我投的是中國晶片的未來，希望將來的一天中國能進入世界高階技術的頂尖，讓全界仰視中國。

加拿大產業研究機構TechInsights上月揭露透過逆向工程分析發現，中國挖礦機公司MinerVa產品使用 中芯7nm製程技術，這款產品在2021年7月份就出貨也就是說去年就能生產7nm。

去年中芯國際向ASML採購的11臺光刻機終於交付了，這11臺DUV光刻機並不牽涉到任何美G技術。也就是說中芯還是有ASML光刻機只是不是最選進的EUV光刻機，這類最選進的光刻機我們現在還是無法購買。

中芯能做7nm我想做14nm也是可以的，但是還達不到量產或者受制於光刻機無法大規模量產這才是重點。

目前中國所需要的晶片主要依賴進口。

據相關資料顯示，去年中國進口晶片的規模突破了四千億美元，將第二名的進口石油遠遠地拋在了身後。

中國作為世界最大的消費市場，中國企業為什麼沒有自給自足，反而將企業命運主動交給他國企業呢？

原因有兩個。

首先，先在過去的幾十年裡世界各國全力推動全球化，各個企業專注一兩個領域，其他零部件從其他企業購買。因此，國內很多企業搭上全球化快車，成為了世界上數一數二的企業。如聯想就是依靠進口各種零件，成為了世界上最大的PC組裝廠商。但是全球化的壞處慢慢顯現出來，也就是部分企業過度依賴全球化，放棄了對高科技領域的投入。

其次，自從2018年開始美國就不斷打壓中興、華為、大疆等中國真正的高新技術企業，對他們的發展造成極大影響。但美國並不滿足於此，今年開始全力打壓中國半導體產業。今年4月份美國牽頭成立了晶片四方聯盟，出臺了對我們14奈米及以下製程工藝晶片的出口限制方案，停止對中國先進光刻機的出口，試圖將我們排除在世界半導體高階產業鏈之外。

歷史多次證明，封鎖只能讓我們更強大。

9月14日上海政府正式對外宣佈，14nm純中中國產晶片已經實現了大規模量產，90nm光刻機、5mn蝕刻機、中中國產CPU以及5G晶片等，都實現了重大突破。上海積體電路產業規模達到兩千五百億元，約佔全國總量25%，彙集了全國40%的積體電路人才。

中國突破14奈米大規模量產，意義重大

14奈米以上的積體電路，佔整個積體電路銷售額的90%。也就是說積體電路的90%的品種上中國已經可以自己製造。比如，汽車晶片，工業自動化的晶片不管是邏輯片片還是儲存晶片、手機上用的感光晶片，汽車上最重要的IGBT功率半導體晶片，14mn都可以製造。我們注意到，公佈的還是突破了90mn光刻機，並沒提到28nm。據說28nm光刻機已經在一定範圍試用了，目前還是發現問題，發現技術缺陷，然後加以改進。

ASML光刻機整體分為兩類，一類是EUV光刻機，中國無法購買；一類是DUV光刻機，中國可以購買，而且是重要購買國。

DUV光刻機根據波長不同，可分為KRF、ARF和ARFi三種，其中ARFi光刻機，晶片製造商透過對鏡片、光源等進行改進，進行多次曝光之後，可生產28nm、14nm甚至7nm的晶片。之前臺灣的臺積電生產7nm的晶片就是如此。

而這次上海實現14nm晶片的量產，使用的就是ASML的ARFi光刻機，而非中中國產光刻機。但仍然意義重大，就是中國企業工藝的不斷提升的結果。

目前中芯國際相繼推出了了N+1、N+2工藝，可用於生產10nm晶片，甚至生產出接近7nm的晶片，但是因為成功率、成本等原因，無法大規模量產。想真正跨入7nm，還得使用EUV光刻機。

這次上海宣佈的中中國產光刻機只是90nm，經過多次曝光之後最高可以用於生產65nm的晶片，這類晶片可以滿足市場大部分產品的需求，因為大部分產品的晶片製程都低於90nm。

中國的晶片製造之路任重而道遠

大規模量產，代表了可以商用，且自給自足。透過中國企業的一步步進步，我相信，總有一天，我們有自己的世界上最先進的光刻機。